磷光电致发光器件研究中的若干问题

本文从光物理和光化学的角度出发对磷光电致发光器件中的一些基本过程和问题,如发光层材料的选择和激发,主体化合物分子间的能量迁移,主客体分子间的能量转移以及磷光的发射等进行了扼要的讨论,并指出了在设计和制备这类新型的发光器件中应注意的一些问题.     

几种吡唑啉衍生物的光致发光和电致发光特性研究: 一类 蓝色的OLED发光材料

对四种不同结构的吡唑啉化合物在溶液和薄膜中的光致发光行为及作为掺杂染料组成两种不同结构电致发光(EL)器件的发光行为进行了研究。结果表明,具有相同共轭部分,但未成环的腙类化合物,不论在溶液中或在固相条件下,都不能很好的发射荧光。而构成了吡唑啉环的化合物,则在上述两种情况下都有较强的荧光发射能力。在5位处联有苯基的非平面状吡唑啉化合物,由于不易于结晶化而有良好的成膜性能;相反,在5位处无苯环联结者,如EP3,则由于其易于结晶化,因而不利于器件的制作。     

有机小分子发光材料与聚合物发光材料在大气存放条件下的稳定性对比研究

分别采用紫外光电子能谱（UPS）、X光电子能谱（XPS）、原子力显微镜（AFM）、以及光致发光光谱（PL）等方法对在大气存放条件下的8－羟基喹啉铝（Alq)薄膜和聚（9,9－二辛烷基芴）（PFO）薄膜的电子结构、表面形 及发光特性进行了对比。研究结果表明,PFO的电子结构、表面形貌以及发光特性受外界气氛影响极小,是一种非常稳定的聚合物发光材料。这为聚合物发光器件的稳定性提供了有利的条件。     

苯并噻唑衍生物用作EL器件中发光材料的研究

在多层结构的有机电致发光器件(EL)研制中,一个最富吸引力的提高器件发光效率的方法是通过选择具有高荧光量子产率的发光染料为掺杂剂,加入到作为主体的电子或空穴传输层内,经电子与空穴在主体化合物层内的复合形成激子,经能量转移,激发染料分子,发射染料荧光.     

高效率的有机电致发光器件

有机电致发光器件 (OL EDs)的发光机理包括电子和空穴从电极的注入、激子的形成及复合发光 ,其中 ,空穴和电子的注入平衡是非常重要的。为了平衡载流子的注入以得到高效率和稳定性好的器件 ,人们不仅使用了电子注入更为有效的 L i F/ Al[1] 和 Cs F/ Al[2 ] 等复合电极 ,同时也使用了空穴缓冲层 ,如 S.A.Van Slyke等 [3]在ITO和 NPB之间使用 Cu Pc,使得器件的稳定性得到了明显的提高 ;A.Gyoutoku等[4 ] 用碳膜使器件的半寿命超过 3 5 0 0小时 ;最近 ,Y.Kurosaka等 [5]和 Z.B.Deng[6 ]分别在 ITO和空穴传输层之间插入一薄层 Al…     

有或没有Alq3参与情况下LiF和Al的化学反应

利用X光电子能谱（XPS）和高分辨电子能量损失谱（HREELS）研究了几种条件下LiF和Al的化学反应.在有Alq3参与的情况下,LiF和Al在室温下发生反应.在Al/LiF/Alq3系统中,Li 1s的峰发生了0.25 eV的位移,同时F 1s也发生了相应的位移.在没有Alq3参与的情况下,加热样品至350 K后,在Li 1s峰的低能端0.85 eV处出现了一个伴峰.XPS研究表明,这个伴峰对应的是金属态的Li 1s.HREELS的结果也验证了这一结论.     

几种吡唑啉衍生物的光致发光和电致发光特性研究: 一类 蓝色的OLED发光材料

对四种不同结构的吡唑啉化合物在溶液和薄膜中的光致发光行为及作为掺杂染料组成两种不同结构电致发光(EL)器件的发光行为进行了研究。结果表明,具有相同共轭部分,但未成环的腙类化合物,不论在溶液中或在固相条件下,都不能很好的发射荧光。而构成了吡唑啉环的化合物,则在上述两种情况下都有较强的荧光发射能力。在5位处联有苯基的非平面状吡唑啉化合物,由于不易于结晶化而有良好的成膜性能;相反,在5位处无苯环联结者,如EP3,则由于其易于结晶化,因而不利于器件的制作。     

质量分离低能离子束沉积碳膜及离子轰击效应

用质量分离的低能离子束沉积技术得到了非晶碳薄膜,X射线衍射、Raman谱以及俄歇深度谱的线形表明,此种非晶碳膜中镶嵌着金刚石颗粒.碳离子的浅注入是该碳膜SP³形成的主要机理.从一个侧面说明了化学气相沉积法中偏压预处理增加金刚石成核的主要原因是因为离子轰击效应. 关键词： 非晶碳 离子轰击 质量分离低能离子束     

ON THE STUDY OF SILICON NANO-WIRES SELF-ASSEMBLED AS PARTICLES

Two different types of Silicon nano-wires (SiNWs) have been observed by scanning and transmission electron microscopy. One are of free standing SiNWs deposited uniformly on the surface of silicon substrates, and the other are self-assembled into special shaped particles. These SiNWs were synthesized by thermal evaporation of SiO amorphous powders without any metal catalysts in the temperature range of 900-1250℃. Growth history reveals that the self-assembled SiNWs are formed by original nucleation from the surface of amorphous SiO_{x particle matrices through phase separation and silicon precipitation followed by further growth through oxide-assisted vapor-solid reactions. The above results provide a solid experimental support for the oxide-assisted growth model of SiNWs.}