溶剂效应对聚喹啉铝发光特性的影响

研究了非共轭聚喹啉铝（Palq)在氯仿和乙醇不同极性的溶剂下所获得的薄膜的吸收和发光光谱。由于溶剂性的不同，聚喹啉铝链在氯仿和乙醇溶液中表现出不同的聚集状态。当各种溶液分别旋涂成膜时，溶液中的聚喹啉铝的聚集态仍部分地保存下来，导致不同聚喹啉铝薄膜的电子结构状态的差别。结果，聚喹啉铝的薄膜表现出不同的发光特性。实验表明，在制作聚合物器件中，溶剂的选择对共轭聚合物的发光特性有着重要的影响。     

绝缘层LiF/Al电极对提高P-PPV发光器件发光性能的研究

为了提高聚合物电致发光器件中Ba（Ca）／Al阴极的稳定性,在该阴极与聚合物发光材料poly（2-（4-ethylexyl）phenyl-1,4-phenylene vinylene）（P-PPV）层之间插入一层7nm的LiF绝缘层,发光器件的发光性能在多项参数（发光器件的电压．电流特性、发光强度及外量子效率,以及电流效率等发光性能指标）上能够与工作性能优良但稳定性较差的Ba（Ca）／Al电极结构PLEDs器件的发光特性具有可比性。这对于研制高效率、高稳定的聚合物电致发光器件并最终将其用于商业目的,具有重大现实意义。     

发光层的形态结构对电致发光器件性能影响的研究

详细研究了沉积在Poly(9-vinylcarbazole)(PVK)薄膜上的8－羟基喹啉铝（Alq3）薄膜的形态结构对电致发光器件ITO／PVK／Alq3/Mg-Ag性能的影响。研究结果表明：发光层（Alq3层）的表面形貌极大地影响发光层和金属阴极的接触面积,从而影响器件的电流－电压特性。发光层的表面越均匀连续,发光层和金属阴极的接触面积就越大,通过器件的电流就越大。在三种条件的器件中,基底温度为438K时制备的Alq3薄膜所对应的器件的量子效率最高,298K制备的器件的率效次之,77K制备的器件的效率最差。     

共轭聚合物MEH-PPV的固态阴极射线发光

在有机／无机异质结ZnS／MEH－PPV／ZnS器件中，交流驱动条件下，实现了共轭聚合物MEH－PPV的固态阴极射线发光，器件的发光光谱与MEH－PPV的光致发光谱相同。电子经过ZnS层加速后，成为过热电子，这些过热电子直接碰撞激发MEH－PPV而发光。在日光灯照明下，可以看到器件的均匀发光。     

高效率共轭聚合物主体绿光磷光发光二极管

因电致发光效率高和器件制备工艺简单,聚合物为主体的绿色磷光电致发光成为一个研究热点.共轭聚合物的三线态能级一般低于绿色磷光材料的三线态能级,易对磷光的发光引起猝灭导致低的发光效率,所以较少被用作绿色磷光材料的主体.通过增加聚乙烯基咔唑（PVK）作为空穴传输层,获得了高发光效率的共轭聚合物聚芴（PFO）作主体绿色磷光发射,甚至高于相同条件下以PVK为主体的绿色磷光发射.究其原因,PVK的电子阻挡作用使发光中心靠近PVK与PFO的界面,界面处PVK因为其高的三线态能级增强了绿色磷光的发光.当三-（2-苯基吡啶）-Ir（Ir（ppy）₃）掺杂浓度为2％时得到了最高的亮度效率24.8 cd/A,此时的电流密度为4.65 mA/cm²,功率效率为11 lm/W,最高亮度达到35054 cd/m²,色坐标是（0.39,0.56）. 关键词： 共轭聚合物 磷光 绿光发光     

光学材料 发光材料、荧光材料

O472.3 2006032675Au/(Si/SiO2)/p-Si薄膜中电流及电致发光机制的分析=Study of transport and electroluminescence mechanism inAu/(Si/Si O2)/p-Si structure[刊,中]/张开彪(西北师范大学物理与电子工程学院.甘肃,兰州(730070)) ,马书懿…∥光电子·激光.—2006 ,17(2) .—135-138用射频磁控溅射法制备了具有Au/(Si/Si O2)/p-Si结构的样品,利用I-V特性曲线和电致发光(EL)谱对载流子的输运及复合发光过程进行了研究。用位形坐标理论模型分析的结果表明,在Si O2薄膜中存在2个由于缺陷而形成的发光中心,Au膜中的电子和p型Si中的空…     

金属氟化物对聚合物发光二极管发光性能的提高

在以聚合物发光材料MEH-PPV为发光层的聚合物发光二极管(PLEDs)的金属阴极与聚合物发光层之间插入一层绝缘的金属氟化物,发光器件的发光性能有所提高,而且绝缘层的厚度会影响器件性能提高的最终效果。特别是具有LiF／Al的双层电极的发光器件,其发光特性与工作性能优良,但稳定性较差的Ba(Ca)／Al电极结构器件的发光特性具有可比性。初步分析表明绝缘层的插入造成了发光聚合物层与金属电极界面的能带发生弯曲,降低了发光器件中少数载流子电子的注入势垒,提高了发光器件中少数载流子电子的注入效率。从而最终导致了发光器件的开启电压、发光强度、外量子效率及电流效率等发光性能指标的显著提高。     

有机薄膜电致发光器件结构与发光特性的研究

从有机电致发光薄膜的发光机理出发，通过以Ａｌｑ薄膜器件、ＰＶＫ为空穴传输层和Ａｌｑ为发光层的双层 及ＰＶＫ掺荧光材料Ｐｅｒｙｌｅｎｅ的双层薄膜器件的研制，从器件的电致姚谱、电流密度－电压特性、亮度－电压特性的曲线的测试结果，计算分析了器件的流明效率、量子效率，并对有机薄膜电致发光器件的结构与发光特性之间的关系进行研究，利用能级理论分析了器件的姚特性随器件的结构不同所具有的规律。实验表明，加入ＰＶＫ     

阴极射线发光材料的进展

本文介绍阴极射线发光材料的一些重要特性以及最近在国外荧光粉新牌号的编排和命名。详细评论了按不同用途分类的荧光粉的最近发展,并对新发展的阴极射线发光单晶薄膜屏和阴极射线发光中的能量传递进行综述。     

阴极射线发光材料的进展

本文介绍阴极射线发光材料的一些重要特性以及最近在国外荧光粉新牌号的编排和命名。详细评论了按不同用途分类的荧光粉的最近发展,并对新发展的阴极射线发光单晶薄膜屏和阴极射线发光中的能量传递进行综述。     

有机材料激子发光的温度特性

基于实验和理论模拟研究了12~320 K温度范围内八羟基喹啉铝[tris-(8-hydroxyquinoline)aluminum,Alq]和一种高效红光染料甲基2叔丁基6(1,1,7,7四甲基久咯呢定基9烯基)4H 1吡喃[4-(dicyanomethylene)-2-t-butyl-6(1,1,7,7-tetramethyljulolidyl-9-enyl)-4H-pyran,DCJTB]的光致发光(photoluminescence,PL)随温度的变化,提出三种不同电荷分离程度的激子参与的Alq的稳态光致发光过程,通过拟合参量得到了三种激子的能量差值和辐射复合几率之比,观察并解释了DCJTB发光光谱从200 K以下到室温的升温过程中发生的蓝移。认为变温光致发光有可能用于评估材料的发光和导电性能,比较并讨论了有机和无机发光材料激子发光的温度特性,认为低温下小分子发光材料倾向于分子态,随温度升高逐渐向半导体态转变,Alq在150~190K之间开始发生这种转变,而DCJTB则从300~320 K开始。     

有机/聚合物白光电致发光器件

将聚合物材料作为空穴传输材料,以有机小分子蓝光染料1,1,4,4－四苯基丁二烯,绿光染料8－羟基喹啉铝和黄光染料5,6,11,12－四苯基四苯并作为产生白光所需要的三种色源,制备了有机／聚合物白光电致发光器件。这种器件的设计使聚合物的热电稳定性好的优点与有机小分子材料荧光效率高的优点相结合,拓宽了材料的选择范围,更有利于选择能带匹配的材料体系。器件的开启电压为2.5V左右,发光效率在9V时达到最大1.24lm／W,该电压下的亮度达到1600cd/m^2,器件的最大亮度超过20000cd/m^2（18V）,器件最佳色度为（0.319,0.332),这在目前国际上有报道的有机／聚合物白光发光器件中居领先水平。     

InGaN基发光二极管和激光二极管

在InGaN发光二极管中,尽管存在着大量的位错,但其效率还是相当高的.用InGaN作为有源层是很重要的.在InGaN基LED的情况下,为产生光发射需要较高的激发功率.横向大面积外延生长的GaN激光二极管(LDs)是在厚的GaN衬底上外延制备成的.在温度250℃、30mW输出的连续工作状态下,其工作电流小于42mA,600℃、30mW输出的连续工作状态下的寿命约为15 000小时.这些结果表明,螺旋位错密度的降低延长了激光二极管的寿命.此外,良好的散热也是很重要的.     

一种新型结构的黄光有机电致发光器件

用有机荧光染料罗丹明B(Rhodamine B)作为掺杂剂, 采用双量子阱结构制备了一种新型的黄光有机电致发光器件,器件结构及各层厚度为：ITO/CuPc(6 nm)/NPB(20 nm)/Alq₃(3 nm)/Alq₃：Rhodamine B(3 nm)/Alq₃(3 nm)/Alq₃：Rhodamine B(3 nm)/Alq₃(30 nm)/Liq(5 nm)/Al(30 nm)。研究发现Rhodamine B的掺杂浓度对该器件的发光亮度和发光效率有较大影响。当Rhodamine B的掺杂浓度为1.5 wt％时, 得到了最大电流效率1.526 cd·A-1,最大发光亮度1 309 cd·m-2的黄光有机电致发光器件。由器件的电致光谱曲线,可以看到在发光层之间存在着Alq₃向RhB传递能量的过程。由于量子阱的斯托克斯效应与RhB染料分子间的自极化作用,随着掺杂浓度的增加,λ_max出现明显红移。     

Flip-Chip GaN-Based Light-Emitting Diodes with Mesh-Contact Electrodes

GaN-based light-emitting diodes （LEDs） with mesh-contact electrodes have been developed. The p-type ohmic contact layer is composed of oxidized Ni/Au mesh and NiO overlay （20A）. An Ag （3000A） omni-directional reflector covers the p-type contact. The n-type contact is a Ti/AI planar film with a 10-μm-width Ti/AI stripe. The Ti/AI stripe surrounds the centre of LED mesa. With a 20-mA current injection, the light output power of GaN-based LEDs with mesh-contact electrodes is 23% higher than that of the conventional LEDs.     

植物照明用荧光粉转换白光二极管的研究

LED具有效率高、体积小、功耗低、寿命长等优点,并且因其具有可轻易实现宽幅光谱调控的特性,在植物照明领域崭露头角。植物照明用LED分为两大类,一类是单色光LED,另一类是白光LED,其中植物照明用白光LED可与单色LED混合或者单独使用从而实现植物补光照明。植物封装用白光LED大部分采用蓝光LED芯片或紫外LED芯片和荧光粉组合实现,即荧光粉转换型白光LED,但是光谱集中于可见光偏蓝,对植物进行光合作用的效率不明显。植物对于光的吸收不是全波段的而是有选择性的,基于植物光合作用吸收光谱的特殊性,将白光LED光谱的显色性能作为评判其光谱是否适合植物生长所需的光质的标准,其平均显色指数Ra,特殊显色指数R9(饱和红光),R12(饱和蓝光)被考虑选择为植物照明用白光LED的主要性能评价参数。为设计出植物进行生长发育所需要的、性能良好的能应用于植物照明领域的白光LED,选用常见商用YAGG为绿色颜色转换材料,选用(Sr, Ca)AlSiN₃为红色颜色转换材料,并用传统高温固相法制备了系列光谱可调的(Sr, Ca)AlSiN₃荧光粉,并进行了光谱性能分析。通过将搭建好的LED结构模型导入光学仿真软件并分别引入绿色荧光粉颗粒、红色荧光粉颗粒以及蓝光芯片的特性参数,在Lighttools中分别建立了单蓝光LED芯片(450 nm)和双蓝光LED芯片(450+470 nm)激发(Sr, Ca)AlSiN₃和YAGG荧光粉组合,实现了白光LED的光学仿真模型,研究了两种激发模式下仿真得到的不同色温白光LED的光谱功率分布及其显色性能。用蓝光LED芯片、(Sr, Ca)AlSiN₃以及YAGG荧光粉组合进行了单芯片和双芯片显色性能差异的封装验证。通过将Sr_0.8Ca_0.12AlSiN₃∶0.08Eu2+和YAGG荧光粉的混合物点涂在双蓝光LED芯片上进行了白光LED的封装制备,获得了Ra=91.2,R9=96.1,R12=78.9,光谱辐射光效LER=126 lm·W-1的高效高显色白光LED其含有植物生长所需要的蓝光和红光。     

Phase-Modulation Fluorometer Using an Ultraviolet Light-Emitting Diode

We have constructed a phase-modulation fluorometer using a commercially-available ultraviolet light-emitting diode (UV LED) as an excitation light source. The center wavelength of the UV LED is 370 nm and its spectral bandwidth is 10 nm. A 10 mApp modulation-current was superimposed on a bias current of 5 mA with a fixed frequency in the range of 1-20 MHz. The average UV power on the sample was 250 μW. The fluorescence signal was detected by a photomultiplier tube and was fed into a versatile digital oscilloscope. The phase difference between the fluorescence signal and the reference signal obtained from a diffusion plate was directly read out using the operational functions of the digital oscilloscope. To demonstrate the system performance, fluorescence lifetimes of 25 ppm rhodamine 6G in ethanol and of 10 ppm quinine sulfate in 0.1 N H₂SO₄ were measured. The calculated lifetimes of 5.8 ns and 19.1 ns, respectively, agreed with those reported in the literature. The combination of the UV LED and the digital oscilloscope made the fluorometer simple and easy to construct with low cost.     

铒配合物的红外有机电致发光

研究了三价饵离子配合物在近红外区段的电致及光致发光特性。采用双层电致发光器件获得了饵离子位于1530nm的光发射,并通过改进后的三层结构器件的红外发射明显提高,首次获得了Er(DBM)3bath在977nm和1530nm的发射。总结不同电流密度下的系发射光谱强度变化规律,发现随电流密度增大,虽然光谱强度的增长呈近似线性,但相对效率却在急剧下降,对这一现象做了这初步讨论。器件在可见区有发光,其来源归结为激基复合物的发射。     

Broadband Light-Emitting Diodes with One-Dimensional Photonic Crystal Layer

In this article, a broadband gallium-nitride-based light-emitting diode with a one-dimensional photonic crystal layer is investigated. The broadband light-emitting diode using the proposed backside reflector has high reflectance (>95%) over a 270-nm bandwidth in visible light at an arbitrary incidence angle. A broadband light-emitting diode of high output power due to the high reflectivity is achieved. Also reported are the results for light-emitting diodes by the transistor outline can (TO-can) package. The proposed light-emitting diodes possess broadband high reflected spectra, high output power for light extraction, and a good view angle.