锌铝层状双金属氢氧化物焙烧物对钢筋的缓蚀作用研究

在空气气氛下合成了锌铝层状双金属氢氧化物(Zn-Al LDHs)和焙烧物(Zn-Al CLDHs),扫描电镜结果表明,所制得的双金属氢氧化物具有明显的层状结构.文中研究了Zn-Al CLDHs对钢筋的腐蚀保护效果,Zn-Al CLDHs固体在NaCl溶液中浸泡处理3 h后,钢筋的腐蚀速率显著降低.实验证明,Zn-Al CLDHs在结构重组过程中可吸收溶液中的Cl-,同时释放出OH-,改善腐蚀环境,有效抑制钢筋的腐蚀.     

溶胶-凝胶-水热晶化法制备锐钛矿TiO2纳米膜的耐蚀性能

以钛酸正丁酯为前驱体, 采用溶胶-凝胶-水热晶化法在不锈钢(SS)表面制备TiO₂纳米膜. 利用X射线衍射(XRD)、Raman光谱、场发射扫描电子显微镜(SEM)、原子力显微镜(AFM)和俄歇电子能谱(AES)表征了TiO₂纳米膜的晶型、表面形貌和表面化学组成. 通过极化曲线和电化学阻抗谱(EIS)研究了TiO₂纳米膜的耐蚀性能. 170 °C下水热晶化制备的锐钛矿TiO₂与450 °C焙烧制备的锐钛矿TiO₂的结晶度类似, 但两种TiO₂薄膜的表面结构存在明显差异, 水热晶化法制备的TiO₂纳米膜在3.5% (w) NaCl溶液中的耐蚀性能优于焙烧法制备的.     

阵列参比电极法研究316不锈钢焊缝腐蚀行为

应用自行建立的阵列参比电极技术,原位测量316不锈钢焊接样品在12%FeCl3溶液中腐蚀电位分布.同时借助电化学极化曲线、交流阻抗技术和扫描Kelvin探针对316不锈钢焊缝腐蚀进行跟踪检测.结果表明,经焊接的316不锈钢样品在12%FeCl3溶液中,最初时刻焊缝区发生优先腐蚀,而在母材区保持钝化状态;随着浸泡时间延长...     

模拟水中铜镍合金B10耐蚀性的光电化学研究

采用循环伏安、光电化学和电化学阻抗谱技术对模拟水中铜镍合金B10的腐蚀行为进行了研究.在电位从正往负向扫描中 B10表面膜显示p-型光响应,光响应来自电极表面的Cu2O层,但最大光电流比硼砂-硼酸中的要低。B10电极的耐蚀性能随着溶液中Cl-、SO42-和S2-浓度及pH的增加而降低。温度的升高会导致光电流由p-型转为n-型,耐蚀性能急剧下降。电化学阻抗谱测量结果与光电化学方法得到的结果相一致。     

疏水型纳米TiO2膜的制备、表征及耐蚀性能研究

以乙酰乙酸乙酯(EAcAc)作稳定剂和阻聚剂制备超微TiO2溶胶,用提拉法在AISI316L不锈钢上构筑一层纳米TiO2膜,经水热后处理有效消除膜中的龟裂现象,经氟硅烷基化制备成疏水型纳米TiO2膜．用胶粒分布仪测定溶胶颗粒分布,接触角测试仪测定表面疏水性、XRD、SEM表征膜的形貌、结构,电化学线性极化法测定疏水型纳米TiO2膜在模拟体液(Ringer溶液)中的电化学行为．结果表明：TiO2膜呈多孔有序纳米膜,颗粒分布均匀,粒径约为15～18nm,厚度约375nm,TiO2为锐钛矿型,疏水型纳米膜可使不锈钢腐蚀电流降低3个数量级,其耐腐蚀性大幅度提高．     

铜电路板缝腐蚀过程缝隙中pH、Cl-浓度分布的测量

根据铜电路板缝腐蚀特征,研制了阵列式Ag/AgCl、IrO2电极,设计缝隙腐蚀模拟装置,在0.5mol·L-1的NaCl溶液中分别同时原位检测电子线路板缝隙腐蚀过程,缝隙内的氯离子浓度分布、pH分布及其随时间的变化.研究表明,在电子线路板发生缝隙腐蚀的过程中,缝隙内部不同深度的Cl-及H 浓度逐渐增大,且随着与缝口距离的增大而增大,从而导致缝隙腐蚀不断向纵深方向发展.     

聚天冬氨酸与钨酸钠复配对白铜B10的缓蚀作用

应用光电化学的方法研究了两种环境友好型缓蚀剂聚冬天氨酸(PASP)和钨酸钠(Na2WO4)的单一配方及其复配对白铜B10在硼砂-硼酸缓冲溶液中的缓蚀作用援研究表明, 在光电流循环伏安测试中, 单一的PASP与Na2WO4均能够使B10表面Cu2O膜引起的p型光电流响应增大, 这说明缓蚀剂增大了Cu2O膜的厚度, 使B10的腐蚀速率减小. 单一的PASP与Na2WO4的最佳添加浓度分别为3和5 mg·L-1, 单一的Na2WO4比单一的PASP使p型光电流响应增大趋势更大. 若以总浓度为5 mg·L-1时对两者进行复配, 当PASP与Na2WO4的质量浓度比为1:1和1:3时, 两者复配比单一使用时的p型电流光响应都更大, B10的腐蚀更小, 即缓蚀剂的效果更好. 交流阻抗测试结果与光电化学测试相一致.     

高度有序的二氧化钛纳米管阵列的制备及其光催化活性的研究

采用电化学阳极氧化法在钛表面构筑了一种结构有序、微米级的TiO₂纳米管阵列膜层. 考察了制备电压、氧化时间、溶液搅拌等实验参数对TiO₂纳米管阵列形貌和尺寸的影响. 应用SEM和XRD对膜层的形貌和晶型进行了分析和表征, 并通过TiO₂纳米管阵列膜对甲基橙的光催化降解, 研究了TiO₂纳米管阵列膜层结构与光催化活性的关系. 结果表明: 阳极电压和溶液搅拌对制备TiO₂纳米管阵列的结构起到关键的作用. 控制20 V电压制备的TiO₂纳米管阵列膜, 管长达2.6～3.3 μm, 经500 ℃热处理后具有最高的光催化活性, 其光催化性能明显优于一般的TiO₂纳米颗粒膜.     

铝箔腐蚀用大功率变频电源

研制了用于电解电容器阳极铝箔腐蚀的变频电源.设计了一种应用单片机控制的高频开关电源和用电子开关桥换相的低频变频、多波形大功率电源.该电源不需要庞大、笨重的变压器,而且频率下限不受限制,甚至可低至1Hz以下.     

用CR传输线模型研究涂层/金属体系阻抗谱

根据CR传输线模型和QR电路之间的关系,建立了拟合其初值的计算方法,借助Z-View软件,可求得各元件精确值.根据电容（Ci）和电阻（Ri）随特征频率（f*）的分布,推导了元件相对增量与恒相位角元件（Q）指数参数n的关系. 结果表明, 当n小于0.5时,Ci比Ri增加得更快,从新的角度说明了n的物理意义及其和界面脱层之间的关系.作为应用实例,拟合了不同特征的电化学阻抗谱,分析了有机涂层/金属腐蚀体系阻抗变化的具体过程,区分了点蚀和脱层因素对阻抗谱的影响,从高阻抗体系同时得到了与不同空隙率有关的涂层电容和电阻值,并根据涂层体系的不均匀特征探讨了模型结构的物理意义.