FAR-INFRARED PHOTOCONDUCTIVITY MECHANISM ON SHALLOW IMPURITY IN GaAs

We report the far-infrared photoconductivity spectroscopy (FIRPCS) of the high purity n-GaAs grown by molecular beam epitaxial (MBE) technique. The current-voltage (I-V) measurement and FIRPCS under different electric field strength have been performed on high purity n-GaAs at 4.2K. Except for photothermal ionization process, a new far-infrared photoconductivity (FIRPC) mechanism is observed. This photo ionization process is assisted by impact ionization and depends on external electric field. This new mechanism originates from photo-field ionization.     

岩石失稳破裂的变形突跳研究

针对在非刚性加载条件下岩石失稳破裂过程中变形突跳的特性, 根据时间的不可逆性, 研究了岩石试样在普通试验机下的变形规律及突跳特性, 得到了与尖点突变模式相似的突变机构。再利用突变理论中尖点突变模型研究由试验机和岩石试样组成的力学系统的失稳机制, 结果表明：两者得到的岩石变形突变量非常相似, 且具有同一变化趋势。     

综放顶煤爆破能量的分形研究

基于综放开采预爆破弱化坚硬顶工艺,利用分形理论建立岩石断耗能量与块度分维值之间的理论关系,推导出岩石爆破块度分数维与炸药单耗之间关系,进行了室内相似材料模型爆破实验,验证了上述理论关系,利用爆破岩石表面裂隙分布的分形维数值作了衡量指标,优化爆破孔网参数。     

反倾层状岩质边坡失稳的断裂力学分析

反倾层状岩质边坡的高危地质灾害承载体在自然界中普遍存在,为研究其失稳破坏机制,将反倾边坡岩层简化为一个带裂缝的悬臂梁,建立了由一组结构面控制边坡稳定性的断裂力学模型,推导了各岩层结构面等效应力强度因子和岩层及边坡稳定性判据。分析了岩层倾角、层厚、结构面长度、内摩擦角和粘聚力5个因素对边坡的稳定性影响。结果表明,随着岩层倾角和结构面长度的增加,边坡不稳定区域增加,坡脚处的抗滑稳定性减小;随着内摩擦角和粘聚力的增大,边坡不稳定区域减小,坡脚处的抗滑稳定性增大;随着岩层厚度的增大,不稳定岩层的范围基本保持不变,但是岩层的抗滑稳定区域随着厚度增加逐渐向坡脚移动,厚度越大,坡脚处的抗滑稳定性越大。实例分析验证了本文理论的合理与可行性,研究结论对工程实践具有一定指导意义。     

GaAs中与施主高激发态有关的共振极化子效应

报道了n型GaAs的杂质磁光电导谱．在相对低的磁场下观察到束缚电子高激发态与LO声子的共振相互作用；讨论了共振极化子光电导响应随磁场强度变化的行为，以及钉扎在LO声子能量处的光电导峰的物理起源     

GaAs中与施工高激发态有关的共振极化子效应

报道了ｎ型ＧａＡｓ的杂持磁光电导谱，在相对低的磁场下观察到束缚电子高激发态与ＬＯ声子的共振相互作用；讨论了共振极化子光电导响应随磁场强度变化的行为，以及钉扎在ＬＯ声子能量处的光电导峰的物理起源。     

分形电极/电解液界面阻抗谱的恒相角特征

分析了离子在交变电场中的行为及其与界面分形结构的关系,得出分形电极/电解液界面的阻抗谱具有恒相角特征的结论,并导出η与分形维数D_s之间的具体关系η=3-D_s以及频率与标度之间的正比关系,这些结果与Liu,Sapoval,Hill和Chu等的计算结果一致,由于这些结果具有普适性,从而确认电极表面的分形结构是恒相角阻抗的物理根源,并为表面与界面分形的研究提供了新的途径。