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1.
锡二硫族化合物可以通过改变硫和硒的含量来连续调控三元合金材料的带隙、载流子浓度等物理化学性质,在电子和光电子器件应用上具有巨大的潜力。本文采用化学气相沉积(CVD)技术可控地制备了不同元素组分的SnSxSe2-x(x=0,0.2,0.5,0.8,1.0,1.2,1.5,1.8,2.0)单晶纳米片。采用扫描电子显微镜(SEM)、原子力显微镜(AFM)、能量色散X射线光谱(EDS)、透射电子显微镜(TEM)以及拉曼光谱等手段对SnSxSe2-x纳米片进行了综合表征。结果表明本方法成功实现了元素百分比可调的SnSxSe2-x单晶纳米片的可控制备。重点研究了依赖于元素百分比的SnSxSe2-x的拉曼特征谱,实验结果与基于密度泛函理论(DFT)的第一性原理计算得到的SnSxSe2-x的拉曼仿真谱高度吻合,理论计算结果较好地诠释了实验拉曼光谱发生变化的原因。本研究提供了一种元素百分比可调的三元SnSxSe2-x单晶纳米片的可控制备方法,同时对锡二硫族化合物的明确、无损识别提供了方案。  相似文献   
2.
二维材料MXene纳米片由于具有较大的比表面积和较高的电子迁移率而受到广泛的关注。本文采用基于密度泛函理论的第一性原理计算,对单层MXene纳米片Ti2N电磁特性的过渡金属(Sc、V、Zr)掺杂效应进行了系统研究。结果表明,所有过渡金属掺杂体系结合能均为负值,结构均稳定;其中Ti2N-Sc体系的形成能为-2.242 eV,结构更易形成,且保持稳定;掺杂后Ti2N-Sc、Ti2N-Zr体系磁矩增大;此外,Ti2N-Sc体系中保留了较高的自旋极化率,达到84.9%,可预测该体系在自旋电子学中具有潜在的应用价值。  相似文献   
3.
Yang  Chao  Ren  Han  Wei  Er-ling 《应用数学学报(英文版)》2022,38(3):719-728
Acta Mathematicae Applicatae Sinica, English Series - A subset I of vertices of an undirected connected graph G is a nonseparating independent set (NSIS) if no two vertices of I are adjacent and G...  相似文献   
4.
Liu  Shao-Hua  Tian  Bo 《Nonlinear dynamics》2022,108(3):2471-2482
Nonlinear Dynamics - In this paper, a (2+1)-dimensional Caudrey–Dodd–Gibbon–Kotera–Sawada system is investigated in fluid mechanics via the symbolic computation. With the...  相似文献   
5.
Bo  Luo  Gao  Wei  Yu  Yuguo  Chen  Xiaojun 《Nonlinear dynamics》2022,110(1):281-311
Nonlinear Dynamics - The perovskite solar cell (PSC) is one of the most promising photovoltaic candidates along with the highly increasing demand for green electricity. One of the main concerns...  相似文献   
6.
Acta Mathematica Sinica, English Series - We are interested in the existence and asymptotic behavior for the least energy solutions of the following fractional eigenvalue problem $$\left({\rm{P}}...  相似文献   
7.
Catalysis Surveys from Asia - Co3O4 catalyst derived from Co-MOFs demonstrated rich active sites in the catalytic reaction. In this paper, we prepared the rod-like Co3O4 catalysts by calcining...  相似文献   
8.
In this paper, the authors discuss a generalization of Lappan’s theorem to higher dimensional complex projective space and get the following result: Let f be a holomorphic mapping of ? into Pn(C), and let H1, · · · , Hq be hyperplanes in general position in Pn(C).Assume that sup {(1 ? |z|2)f?(z) : z ∈ q[ j=1 f?1(Hj )o < ∞,if q ≥ 2n2 + 3, then f is normal.  相似文献   
9.
Considering the effect of stochasticity including white noise and colored noise, this paper aims to study a hybrid stochastic cholera epidemic model with waning vaccine-induced immunity and nonlinear telegraph perturbations. First, we derive a critical value ? 0 C related to the basic reproduction number ? 0 of the deterministic model. The key aim of this paper is to generalize the θ-stochastic criterion method proposed by the recent work (Han et al. in Chaos Solit Fract 140:110238, 2020) to eliminate nonlinear telegraph perturbations. Next, via constructing several θ-stochastic Lyapunov functions and using the generalized method, we further prove that the stochastic model have a unique ergodic stationary distribution under ? 0 C > 1. Results show that the prevention and control of cholera epidemic depend on low transmission rate and small telegraph perturbations. Finally, the corresponding numerical simulations are performed to illustrate our analytical results and a practical application on the Somalia cholera outbreak is shown at the end of this paper.  相似文献   
10.
Three nonfused ring electron acceptors (NFREAs) TTC6,TT-C8T and TT-TC8 were purposefully designed and synthesized.The molecular geometry can be adjusted by the steric hindrance of lateral substituents.According to the DFT calculations,from TTC6 to TT-C8T and TT-TC8,planarity of the molecular backbone is gradually improved,accompanying with the enhancing of intramolecular charge transfer effect.As for TT-TC8,the two phenyl substituents are almost perpendicular to the molecular backbone,which endues the acceptor with good solubility and suppresses it to form over-aggregation.Multidirectional regular molecular orientation and closer molecular stacking are formed in TT-TC8 film.As a result,TT-TC8 based devices afford the highest PCE of 13.13%,which is much higher than that of TTC6 (4.41%) and TT-C8T (10.42%) and among the highest PCE values based on NFREAs.  相似文献   
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