SnSxSe2-x单晶纳米片的可控制备与表征

锡二硫族化合物可以通过改变硫和硒的含量来连续调控三元合金材料的带隙、载流子浓度等物理化学性质,在电子和光电子器件应用上具有巨大的潜力。本文采用化学气相沉积(CVD)技术可控地制备了不同元素组分的SnS_xSe_2-x(x=0,0.2,0.5,0.8,1.0,1.2,1.5,1.8,2.0)单晶纳米片。采用扫描电子显微镜(SEM)、原子力显微镜(AFM)、能量色散X射线光谱(EDS)、透射电子显微镜(TEM)以及拉曼光谱等手段对SnS_xSe_2-x纳米片进行了综合表征。结果表明本方法成功实现了元素百分比可调的SnS_xSe_2-x单晶纳米片的可控制备。重点研究了依赖于元素百分比的SnS_xSe_2-x的拉曼特征谱,实验结果与基于密度泛函理论(DFT)的第一性原理计算得到的SnS_xSe_2-x的拉曼仿真谱高度吻合,理论计算结果较好地诠释了实验拉曼光谱发生变化的原因。本研究提供了一种元素百分比可调的三元SnS_xSe_2-x单晶纳米片的可控制备方法,同时对锡二硫族化合物的明确、无损识别提供了方案。     

Y掺杂WS2二维材料的第一性原理研究

WS₂由于其优异的物理和光电性质引起了广泛关注。本研究基于第一性原理计算方法,探索了本征单层WS₂及不同浓度W原子替位钇(Y)掺杂WS₂的电子结构和光学特性。结果表明本征单层WS₂为带隙1.814 eV的直接带隙半导体。进行4%浓度(原子数分数)的Y原子掺杂后,带隙减小为1.508 eV,依旧保持着直接带隙的特性,随着Y掺杂浓度的不断增大,掺杂WS₂带隙进一步减小,当浓度达到25%时,能带结构转变为0.658 eV的间接带隙,WS₂表现出磁性。适量浓度的掺杂可以提高材料的导电性能,且掺杂浓度增大时,体系依旧保持着透明性并且在红外光和可见光区对光子的吸收能力、材料的介电性能都有着显著提高。本文为WS₂二维材料相关光电器件的研究提供了理论依据。     

亚硝基铁氰化钠分光光度法测定药品“必理通”中对乙酰氨基酚含量

用亚硝基铁氰化钠分光光度法测定药品“必理通”中的对乙酰氨基酚含量。采用亚硝基铁氰化钠试液为显色剂,蒸馏水做溶剂,在波长为700nm下有最大吸收,利用分光光度计测定不同浓度溶液的吸光度,并绘制标准曲线进行分析。实验证明,对乙酰氨基酚在0．024mg／mL～0．168mg／mL浓度范围内,吸光度与样品浓度的线性关系良好,回收率在98．0％以上。此测定方法准确、快速、简便,是测定对乙酰氨基酚含量的最佳方法之一。     

水相中荧光CdSe纳米晶的优化合成与表征

Ⅱ-Ⅵ族半导体纳米粒子（也称半导体量子点（semiconductor quantum dots）简称NCs）由于其独特的光学、光化学、电化学以及非线性光学性质已逐渐引起人们的广泛关注。而Ⅱ-Ⅵ族NCs最诱人的 潜在应用是作为荧光探针应用于生物体系,在生命科学研究中起到定性和定量标记分子和细胞的作用。