利用空间位阻和氢溢流协同作用促进5-羟甲基糠醛选择性加氢制备5-甲基糠醛

化学工业生产中，用氢气为还原剂，通过选择性加氢可以制备多种重要化学品。5-羟甲基糠醛是重要的生物质基平台化合物，而5-甲基糠醛是用途广泛的化学品。由5-羟甲基糠醛加氢得到5-甲基糠醛是一条非常理想的路径，但是选择性活化C-OH非常困难。本文设计并制备了Pt@PVP/Nb₂O₅(PVP: 聚乙烯吡咯烷酮)催化剂，该催化体系巧妙地结合了位阻效应、氢溢流和催化剂界面的电子效应，系统研究了该催化剂对5-羟甲基糠醛选择性加氢制备5-甲基糠醛催化性能，在最优条件下，5-甲基糠醛的选择性可达92%。利用密度泛函理论计算研究了5-羟甲基糠醛选择性加氢制备5-甲基糠醛反应路径。     

浙江省国产科研仪器发展现状分析及对策

采用网络调查法,由浙江科技大脑、巨潮资讯网、浙江省大型科研仪器开放共享平台分别获取了浙江省国产仪器研制项目立项情况、全国仪器仪表行业A股上市企业情况及浙江省国产科研仪器应用现状,并对获取的数据进行了分析,进而梳理了浙江省国产科研仪器发展现状,指出了目前存在的问题,提出了相应的对策建议.     

XPS分析固体粉末时的样品制备法研究

用XPS分析固体粉末样品时通常将粉末直接撒在双面胶带上进行测试.这种方法粉末容易脱落,并导致仪器污染或损坏.本文介绍一种将粉末样品铺在胶带上压成薄层进行测试的制样方法.后一种方法不需模具,简单快捷,实验表明它不仅有利于保护仪器,而且有利于提高XPS分析的灵敏度和分辨率.     

样品高度对XPS测试的影响

采用Al靶微聚焦单色器光电子能谱仪进行XPS测试时,如果样品高度选择不好,会导致测得的光电子峰强度降低. 而对于一些电子结合能较高的元素,其光电子峰会变宽,有时出现双峰. 分析了该现象的原因是X射线光斑、电子中和枪中和区域以及光电子能量接收区域没有聚焦于同一点.     

Observation of positive and small electron affinity of Si-doped AlN films grown by metalorganic chemical vapor deposition on n-type 6H–SiC

We have investigated the electron affinity of Si-doped AlN films(N_(Si)= 1.0 × 10~(18)–1.0 × 10_(19)cm~(-3)) with thicknesses of 50, 200, and 400 nm, synthesized by metalorganic chemical vapor deposition(MOCVD) under low pressure on the ntype(001)6H–SiC substrates. The positive and small electron affinity of AlN films was observed through the ultraviolet photoelectron spectroscopy(UPS) analysis, where an increase in electron affinity appears with the thickness of AlN films increasing, i.e., 0.36 eV for the 50-nm-thick one, 0.58 eV for the 200-nm-thick one, and 0.97 e V for the 400-nm-thick one.Accompanying the x-ray photoelectron spectroscopy(XPS) analysis on the surface contaminations, it suggests that the difference of electron affinity between our three samples may result from the discrepancy of surface impurity contaminations.     

硅片上超薄氧化硅层厚度测量的XPS标准曲线法

提出一种新的处理方法-XPS标准曲线法来测量硅片上超薄氧化硅层(SiO2/Si)的厚度。该方法利用一系列氧化硅厚度(d)准确已知的SiO2/Si标准样品,分别记录其氧化硅和元素硅的Si(2p)谱线,并得到峰高比(R),然后将厚度(d)对峰高比(R)作图得到标准曲线。在相同的实验条件下,测得未知样品氧化硅和元素硅的Si(2p)谱线并计算其峰高比,通过插入法在标准曲线上得到相应的氧化硅层厚度。SiO2/Si标准样品由设备一流和经验丰富的权威实验室提供,其氧化硅厚度采用多种方法进行测量比对。实验表明:基于氧化硅厚度准确知道的标准样品制作的XPS标准曲线,用于硅片上超薄氧化硅层厚度测量时具有快速、简便和比较准确等优点,有较好的实用价值。     

BiI3-nylon11纳米复合材料的XPS及ATR-IR分析

用X射线光电子能谱法（XPS）测定了BiI₃与nylon11作用生成纳米复合材料后聚合物中酰胺基团的N、O内层能级电子结合能变化,同时用衰减全反射红外光谱法（ATR-IR）研究了BiI₃-nylon11复合材料中BiI₃对尼龙酰胺基团之间氢键作用的影响.结果表明,与纯nylon11聚合物相比,BiI₃-nylon11纳米复合材料中N1s、O1s的结合能要稍高一些;N-H伸缩振动、酰胺I谱带、酰胺II谱带振动频率在X射线照射前均发生显著位移,而X射线照射后没有明显的变化,只是谱带变宽.另一方面,无论X射线照射与否,CH₂伸缩振动基本不变.实验所得结果对于理解聚合物中氢键相互作用及其对复合材料的结构和性能的影响有一定意义.     

嵌入式超薄碳糊膜银离子传感器的研究

研制了一种新颖的超薄碳糊膜银离子传感电极 .在镍铬合金基体上通过嵌入碳糊薄膜而制得该电极 .用电位法研究了电极的响应特性 ,电极电位E (mV)与银离子浓度在 1.0× 10 -6～ 1.0× 10 -2 mol/L范围内呈良好的线性关系 ,相关系数为 0 .9998,检测限为 6.0× 10 -7mol/L ,对银离子的响应斜率为 5 8.3～ 60 .3mV/ ( -logcAg+ ) .电极制作简单、费用很低、稳定性良好 ,可用作银离子指示电极     

纳米电化学界面的构建及脱氧核糖核酸中碱基对的电化学行为

以玻碳电极为基体,制备了单壁碳纳米管复合聚吖啶橙(SWNTs/POAO)修饰电极。此电极结合纳米材料电催化特性和吖啶橙聚合物薄膜的分子识别能力,以脱氧核糖核酸(DNA)分子中的碱基对为探针,研究了DNA中碱基对的电化学行为。该电极对腺嘌呤(ADE)、鸟嘌呤(GUA)、胞嘧啶(CYT)和胸腺嘧啶(THY)都表现了良好的电催化性,嘌呤碱和嘧啶碱的氧化峰能够完全分离。在pH 7.0的B.R.缓冲溶液中,在0.5~1.3V电位范围内,GUA和ADE分别在0.7V和1.0 V左右出现灵敏的氧化峰,峰电流随其浓度而线性变化。ADE和GUA的检出限分别为1.8×10-9和9.0×10-10mol/L。嘧啶碱基不干扰嘌呤碱基的测定。SWNTs/POAO电极可以用来同时测定DNA中的ADE和GUA。     

硅晶片上超薄氧化硅层厚度纳米尺寸效应的XPS研究

用X射线光电子能谱(XPS)测定了一系列厚度经过国际比对准确已知的硅晶片上的超薄(1.45nmd7.2nm)氧化硅膜的Si2p电子能谱和价带谱.结果表明:SiO2膜厚d2nm时,Si2p结合能最低,其原因可归结于此时光电离空穴既有来自SiO2中的原子极化对空穴的原子外弛豫,也有来自衬底Si的电荷移动对空穴的屏蔽(有效屏蔽距离大约是(2.5±0.6)nm);当d3nm时Si2p结合能增大,此时只有来自SiO2的原子外弛豫,d较小者的Si2p结合能较高.SiO2的价带电子结构也与其厚度纳米尺寸效应有关:当d2nm时价带中SiO2的O2p非成键电子峰的相对强度较强,O2p—Si3p和O2p—Si3s成键电子峰较弱.