YBa2Cu3O—7超导体中钡的价态

对于YBa_2Cu_3O_(～7)超导体的Ba 3d X光电子能谱(XPS)存在分裂(出现肩峰)的现象有很多不同的解释.Kohiki等认为主峰和肩峰分别代表晶格Ba~(2 )离子和金属Ba;Han等则认为它们分别代表Ba~(2 )离子和更高价态的Ba离子;Ji等提出超导体中存在Ba~(2 )和Ba~((2-δ) )两种离子;唐有祺等报道超导体存在体相钡、表面BaCO_3的钡和绝缘相中的钡,它们的Ba 3d_(5/2)结合能分别为777.8,779。7和781.5eV;Fjellvag等也观察到Ba3d谱中出     

Cu^3＋在高温超导体YBa2Cu3O7—x中存在吗？

本文简要地评述了高温超导体ＹＢａ２Ｃｕ３Ｏ７－ｘ中是否存在Ｃｕ３＋的各种研究结果和存在的争议，介绍了这方面研究的某些新进展．     

Ce(Ⅳ)和Ce(Ⅲ)化合物系列的X射线光电子能谱研究

用XPS研究了标称四价铈盐系列:硫酸铈铵、硫酸铈、二苯基羟乙酸铈、碘酸铈、过氧化铈、二氧化铈以及三价铈盐系列:草酸亚铈、硫酸亚铈、二苯基羟乙酸亚铈、碘酸亚铈和氯化亚铈.结果表明,上述标称四价铈盐都属于混合价化合物,其Ce3d电子能谱呈现Ce⁴⁺和Ce³⁺的二组谱线结构的混合.在真空中加热后CeO₂的Ols电子能谱有两个氧峰,这说明 Ce(4f⁰)O(2p^π)←→Ce(4f¹)O(2p^n-1) 类型价态波动的可能性较大.三价铈盐的3d谱线的低结合能端约3.5—4eV处则存在摔落伴峰.     

单层表面分析方法──低能离子散射和静态二次离子质谱

固体材料的表面特性,例如电子或离子的表面发射或表面吸收,分子的表面吸附,以及表面化学反应等。取决于材料的表面层。特别是最外原子层的组成和结构.自六十年代末期以来,研究表面组成和结构的方法已获得迅速发展[1].这些方法的信息深度范围一般为1—10个原子层,其中低能离子散射和静态二次离子质谱可用于单层表面分析.这两种方法都是用离子束来探测表面的.和用电子束入射的情形类似,用离子束入射时也能引起四种类型的粒子发射:离子散射和二次离子发射;中性粒子溅射;电子发射和光子发射.这些发射原理已构成多种表面的研究方法,见图1.在这些…     

XPS分析中使用样品磁透镜引起的谱峰位移和峰形畸变

发现当使用Mg/Al双阳极和样品磁透镜进行非导电样品（或与样品托绝缘的导电样品）的X射线光电子能谱分析时，谱峰出现异常大的位移和谱形出现畸变；在同时使用电子中和枪时谱峰位移变小，当导电样品与样品托有良好的电接触时谱峰位移消失；作者提出这种异常大的位移来自样品荷电效应，后者是由于样品磁透镜的磁场与来自X射线枪A1窗的低能杂散电子发生了相互作用并使这些杂散电子不能到达样品表面起中和作用所致。     

Ba-K-Bi-O超导体熔盐阳极电结晶研究

用ＸＰＳ和ＸＲＤ表征了Ｂａ－Ｋ－Ｂｉ－Ｏ超导体熔盐电结晶的阳极和阴 极产物，用ＳＥＭ分析了Ｂａ－Ｋ－Ｂｉ－Ｏ单生长形态。结果表明，阳极产物是Ｂａ－Ｋ－Ｂｉ－Ｏ超导体单晶，以台阶式方式生长。－Ｋ－Ｂ－     

低能离子散射谱分析中的荷电效应及中和作用

用低能离子散射谱（ISS）对比分析了与样品托有良好电接触的和与样品托绝比的金属银片，观察到荷电效应对ISS分析有严重影响。实验还表明在ISS分析时使用低能电子中和枪可以有效地消除荷电效应，还发现电子中和枪的使用对于惰性气体离子的中和作用无明显影响。     

高温超导体的Cu-O键型和氧上的部分电荷

多数钙钛矿型化合物是离子型绝缘体，而高温超导化合物则有金属电性，它们是以什么键型为主？对此等人[1]认为用共价或金属成键图像描述高温超导体在化学上更合理，Nepela等人[2]指出超导体临界温度（Tc）随阴离子平均电负性与阳离子平均电负性之差增大而升高．这意味着离子性较强的超导体有较高的人．杨频等问运用晶型键参数方法估算结果表明高温超导体属干部分离子性与部分共价性键．以上不同的结果都是基丁理论处理或估算得到的·本文试图在实验上通过比较不同成键特征的铜化合物的x光电子能潜（＊P8）来估计对高温超导性起重要作用的C…     

K-Pb-Tl-O复合氧化物的合成和电子结构的XPS研究

用熔盐阳极电沉积法合成了导电的复合氧化物K-Pb-Tl-O晶体.这些晶体具有纳米尺寸层状结构.用XPS对其进行了表征,并与相关的化合物进行了比较.实验表明,氧化物中的Pb和Tl都以高价态的单一价态存在,但电子结合能比相应的非导电低价化合物的低.该文用原子外弛豫效应解释了复合氧化物中的Pb和Tl的结合能的反常现象.讨论了它们的价电子结构与导电性的关系.