电化学条件下富电子芳烃的C—H官能团化实现烯烃的1,2-二芳基化

传统的烯烃二芳基化主要手段是,先通过过渡金属催化的芳基亲电试剂与烯烃发生交叉偶联,然后再与芳基亲核试剂发生反应[1].但是这种反应策略存在原子经济性低及反应步骤多的缺点.因此急需发展一种高效、高原子经济性的合成方法来实现烯烃的二芳基化.2015年,Bunel/Lei课题组[2]报道了FeCl3/2,3-二氯-5,6-二氰基对苯醌(DDQ)催化条件下苯乙烯的1,2-二芳基化;2017年,Bao课题组[3]报道了Fe(OTf)3/DDQ催化条件下苯乙烯的1,2-二芳基化。     

CONSERVATION INTEGRALS AND DETERMINATION OF HRR SINGULARITY FIELDS

The angular distribution functions of HRR singularity fields are analyzed viaconservation integrals.Two functional equations are proved for the anguler distributionfunctions and can be used for their solutions.The detailed forms of the functional equationsand the final governing equations for solutions are given for the case of plane strain andplane stress.Accurate numerical results are also given for some typical parameters and theequivalence of different governing equations is proved.     

二维分数阶Volterra积分方程的修正block-by-block方法

基于经典block-by-block方法的思想,构造了二维分数阶Volterra积分方程的一个修正block-by-block数值求解格式.该方法的优点在于只需求解u(x1,y),u(x2,y),u(x,y_1)和u(x,y_2),其他未知量均不需要耦合求解.数值算例表明该格式具有较好的逼近性.     

断裂过程区应力应变场的数学分析

本文将条状分离区看作是位错连续分布区域,利用复变函数理论及切比雪夫多项式级数展开提出了一种统一的数学分析的方法,用以对均匀材料裂纹前方分离过程区的非线性效应进行有效的,精确的解析分析。避免以前各种模型一般都需要借助于有限元法或其他离散方法才能得到数值解答的难点。本文利用这一新方法,对断裂过程区是内聚力模型,条状屈服区模型的裂纹问题,受约束金属薄膜的裂纹问题,进行了分析计算,并与已有的结果进行了比较,得到了满意的结果。     

压电材料椭圆切口的力学分析

在线性压电本构方程框架下，用复势函数方法对椭圆切口模型进行了精确的数值计算。完整地考虑了各向异性力电耦合效应以及切口内不同电介质的介电性质。给出了切口内部不同介电性质对压电材料内部应力的影响。指出了Sosa文章里的一些计算错误。由于现在文献中很少有关于电导通边界条件下理论解的数值结果，所以本文同时提供了不同电边界条件下理论解的数值结果，所以本文同时提供了不同电边界条件下的理论解的数值结果。最后通过最小势能原理建立了8结点有限元模型，对椭圆切口问题进行了计算并与理论解进行了仔细比较。     

损伤材料裂纹尖端附近的应力场

本文导出了损伤材料的全量理论,导出了全量公式中H的渐近表达式;最后得到损伤材料平面应变条件下的裂纹尖端的应力应变场。     

理想塑性材料扩展裂纹的平面应变问题

本文从三维塑性流动理论出发,导出了理想塑性材料平面应变问题的基本方程.进而对扩展裂纹问题建立了完整的定解方程和速度场求解公式.已有的渐近方程只是预解方程和零级定解方程的组合.本文证实了已有的中心扇形区,虽然满足了渐近方程,但不能适应高阶渐近方程.     

晶体硬化系数表示式及材料常数标定

从均匀变形率场中各种取向滑移系硬化的基本特征出发,提出了新的单晶硬化系数表示式,内含12个材料常数,各有明确的物理意义,进而以精确模拟宏观力学性质为目标,利用非线性规划理论建立了一种准确可靠又行之有效的材料常数标定方法,作为例子,使用非线性规划中的改进Ganss-Newton法与梯度法相结合的算法、根据典型单轴拉伸实验曲线确定了铜与铝单晶的材料常数,预测了它们在多种位向上拉伸变形时的应力应变响应,与实验结果吻合良好.     

平面应力裂纹问题的高阶渐近场

本文对平面应力I型裂纹问题高阶渐近场,进行了严格的数学分析.证实了二阶渐近场不是含有独立常数的高阶本征场,而必须与一阶渐近场的弹性应变项相匹配.二阶渐近场对裂纹前方的应力场的影响很小.裂纹前方应力场由HRR奇性场表征,因而J积分单参数准则可以作为平面应力问题的起裂准则.     

一种高精度测定光学零件折射率的新方法——干涉浸液法

浸液法测定光学零件折射率一直被认为是测定光学零件折射率的最简便方法之一.由于不能根据零件与液体间的界面精确判别出液体与零件折射率之间的微小差别,这就限制了浸液法用于高精度测量光学零件折射率。本文介绍的干涉浸液法是基于干涉原理,判定出液体与光学零件折射率之间的微小整别达10~(-5),不仅方法简便,而且测定精度与零件的其它参数(如焦距、像羞以及厚度、曲率半径)基本无关。