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设计合成了4种对称的以不同供/吸电子基团为共轭桥、两端连接meso位苯或噻吩取代的新型氟化硼二吡咯甲川(BODIPY)衍生物;通过1H NMR,13C NMR和MS等手段对其进行了结构表征;并采用紫外吸收光谱、荧光发射光谱及循环伏安(CV)等方法研究了其光电性能.紫外光谱数据表明,BODIPY结构具有明显的特征吸收,中间的桥联基团无论是强供电子的苯并二噻吩(BDT)还是强吸电子的苯并噻二唑(BT)均不能使整个分子产生明显的分子内电子迁移(ICT).另一方面,meso位的取代基可与BODIPY核产生微弱的ICT,且meso位噻吩取代的分子比meso位苯环取代的分子表现出更强的ICT.紫外光谱数据和电化学测试结果表明,meso位噻吩取代的分子比meso位苯环取代的分子具有更低的氧化电位和更窄的能隙. 相似文献
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“复杂氧化还原电对电极电势的计算”一直是大学化学教学的难点,以此为例开展翻转课堂教学:教师引导学生归纳、类比,厘清难溶盐电极、配合物电极与“金属电极”之间的渊源,完成知识的内化;通过课堂翻转,学生将内化的知识在课堂实践中加以展现与深化,掌握复杂电极在标准状态下电极电势的计算方式。实践表明,该教学模式避免了学生线上学习存在的刷屏、刷题、心理浮躁等现象,有助于推动学生进行深度学习,将碎片化的知识迁移、串联、整合成体系,达到学以致用的目的。 相似文献
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Groove-type channel enhancement-mode Al GaN/GaN MIS HEMT with combined polar and nonpolar AlGaN/GaN heterostructures 下载免费PDF全文
A novel groove-type channel enhancement-mode AlGaN/GaN MIS high electron mobility transistor(GTCE-HEMT)with a combined polar and nonpolar AlGaN/GaN heterostucture is presented. The device simulation shows a threshold voltage of 1.24 V, peak transconductance of 182 m S/mm, and subthreshold slope of 85 m V/dec, which are obtained by adjusting the device parameters. Interestingly, it is possible to control the threshold voltage accurately without precisely controlling the etching depth in fabrication by adopting this structure. Besides, the breakdown voltage(VB) is significantly increased by 78% in comparison with the value of the conventional MIS-HEMT. Moreover, the fabrication process of the novel device is entirely compatible with that of the conventional depletion-mode(D-mode) polar AlGaN/GaN HEMT. It presents a promising way to realize the switch application and the E/D-mode logic circuits. 相似文献
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为探讨高级知识分子患脂肪肝的概率与肥胖、高血压、高胆固醇、高甘油三脂之间的关系 ,运用多因素数理统计分析方法对 4 91名副教授级以上教职工体检数据进行了分析。结果显示probit模型比 logistic模型能更好地拟合所分析的数据 ,而且脂肪肝与是否肥胖 ,是否高血压存在统计关联 ,既肥胖又患高血压的人患脂肪肝的概率是二者都正常的人的 2 .68倍。 χ2检验显示 ,患脂肪肝的男性显著高于女性。中国科大高级知识分子脂肪肝高检出率及其与肥胖、高血压关系的现象应引起足够重视 相似文献