F／Cl比与Eu~（2＋）：BaFCl中F色心的浓度和光激励截面的关系

研究了Ｅｕ（２＋）：ＢａＦｘＣｌ２在紫外线辐照下的光激励发光。通过改变激励方式及激励光的扫描方向，给出了Ｅｕ（２＋）：ＢａＦｘＣｌ２－ｘ光激励发光过程中，两种Ｆ色心的浓度比值与光激励截面比值的测定方法。利用这种测定方法，进一步研究了两种Ｆ色心的浓度比值和光激励截面比值与Ｆ／ＣＩ比值的关系。     

CBP/Alq3有机量子阱结构的光致发光

采用多源有机分子气相沉积系统(OMBD)制备了CBP/Alq₃有机多量子阱结构,利用电化学循环伏安特性和吸收光谱、小角X射线衍射、荧光光谱研究了量子阱的能带、结构和光致发光的特性。电化学循环伏安特性和吸收光谱的测量结果表明,CBP的最低占据分子轨道(LUMO)与最高占据分子轨道(HOMO)的位置分别为-2.74,-6.00eV,Alq₃的LUMO与HOMO的位置分别为-3.10,-5.80eV,所以CBP/Alq₃有机量子阱为Ⅰ型量子阱结构。小角X衍射测量显示,在小角的位置(2θ的范围在0°～3°)观察到了对应于量子阱结构的多级布拉格衍射峰,表明多层量子阱结构是有序的层状结构,界面比较完整,界面质量比较好。荧光光谱的研究结果表明,Ⅰ型量子阱结构可以有效地把能量从垒层传递给阱层,从而增强了阱层材料的发光。阱层的厚度对发光峰的位置影响很大,随阱层厚度减小,阱层材料的发光峰出现蓝移现象。并对引起发光峰蓝移的原因进行了讨论。     

Ga3+对Ce3+光致发光的影响

研究了Ｇａ３＋在ＳｒＳ∶Ｃｅ和ＳｒＧａ２Ｓ４∶Ｃｅ薄膜电致发光（ＴＦＥＬ）材料中的作用及其对Ｃｅ３＋发光特性的影响。在ＳｒＳ中掺入Ｇａ２Ｓ３并烧结，发现Ｇａ３＋的浓度增加时，Ｃｅ３＋的发光显著向短波方向移动，激发谱中对应于ＳｒＳ带间吸收的激发峰相对减弱，而对应于Ｃｅ３＋的基态到激发态跃迁的激发效率相对提高，并出现逐渐增强的ＳｒＧａ２Ｓ４的带间吸收。Ｇａ３＋的引入使Ｃｅ３＋周围的配位场发生变化，相应的能级分布有所改变，Ｓｒ２＋离子性的增强和Ｃｅ３＋－Ｃｅ３＋相互作用的减弱对Ｃｅ３＋发光特性有显著影响。     

物理概念清楚、理论实验并重、从经典到前沿的一本拉曼光谱学专著

上世纪80年代初,我负责组织我国光电显示材料和器件的研制,因而有机会认识当时正从事液晶物理研究的张树霖同志.90年代初,我培养的一个博士,在他的指导下完成了相当出色的博士后研究,这使我开始对张树霖教授所从事的低维半导体的拉曼光谱学研究工作产生了兴趣,并一直加以关注和了解.     

Characteristics of pentacene organic thin film transistor with top gate and bottom contact

High performance pentacene organic thin film transistors (OTFT) were designed and fabricated using SiO₂ deposited by electron beam evaporation as gate dielectric material. Pentacene thin films were prepared on glass substrate with S--D electrode pattern made from ITO by means of thermal evaporation through self-organized process. The threshold voltage V_TH was --2.75± 0.1V in 0---50V range, and that subthreshold slopes were 0.42± 0.05V/dec. The field-effect mobility (μ_EF) of OTFT device increased with the increase of V_DS, but the μ_EF of OTFT device increased and then decreased with increased V_GS when V_DS was kept constant. When V_DS was --50V, on/off current ratio was 0.48× 10⁵ and subthreshold slope was 0.44V/dec. The μ_EF was 1.10cm²/(V.s), threshold voltage was --2.71V for the OTFT device.     

无机材料中复合发光研究的进展

早期观察到的发光现象既有分立中心的发光,也有离化了的自由载流子参与的复合发光.在发现掺杂的重要性后,绝缘体及半导体内分立中心的发光研究得到了很大的发展。结合灯粉及电子束管的需要,应用了晶体场理论和分子轨道理论,发展了能量输运理论、电声子耦合理论及荧光谱线窄化技术[1]等.相形之下,复合发光的研究就较少,以从禁带至导带跃迁中能量最低的激子而言,起初只是研究它的吸收,从七十年代才开始研究它的发光.但是,复合发光和分立中心的发光相比,既不受杂质浓度及杂质激发态寿命的限制,又有较宽的能量状态,变化范围也较大[2].近年来,它…     

DV-X_a计算a-SiO_2电子结构

利用离散变分X_(?)(DV-X(?))的方法,非经验地计算非晶二氧化硅(a-SiO_2)电子结构,得到了与实验值较一致的结果,并研究a-SiO_2体结构畸变对a-SiO_2电子结构的影响.     

BaFCl∶Eu~（2＋）中F色心的浓度和光激励截面与温度和紫外线的辐照波长的关系

本文研究了ＢａＦＣｌ∶ＥＵ（２＋）在不同波长的紫外线辐照和不同的测定温度下的光激励发光性质．通过改变激励方式及激励光的扫描方向，给出了ＢａＦＣｌ∶Ｅｕ（２＋）光激励发光过程中，两种Ｆ色心的浓度比值和光激励截面比值与紫外线辐照波长和测定温度的关系．同时我们还研究了在激励读出过程中，对应两种Ｆ色心的光激励发光强度与激励温度的关系，并且给出了相应于Ｆ（Ｃｌ－）心的热激活能．     

掺杂二氧化钛纳米管对有机电致发光性能的影响

在聚合物电致发光器件中，通过在不同功能层中掺杂二氧化钛纳米管来改善器件的性能.由于二氧化钛纳米管具有p型传导特性，可以显著增大空穴传输层中载流子的迁移率.由于二氧化钛纳米管在发光层中可以增大发光材料分子的刚性，从而减少无辐射跃迁.当把二氧化钛纳米管掺杂到空穴缓冲层中时，由于其与有机分子的强相互作用，一方面降低了空穴的传导性，同时也减少了界面淬灭发光的缺陷态的产生. 关键词： 二氧化钛纳米管 聚合物电致发光 掺杂     

溶剂效应对聚喹啉铝发光特性的影响

研究了非共轭聚喹啉铝（Palq)在氯仿和乙醇不同极性的溶剂下所获得的薄膜的吸收和发光光谱。由于溶剂性的不同，聚喹啉铝链在氯仿和乙醇溶液中表现出不同的聚集状态。当各种溶液分别旋涂成膜时，溶液中的聚喹啉铝的聚集态仍部分地保存下来，导致不同聚喹啉铝薄膜的电子结构状态的差别。结果，聚喹啉铝的薄膜表现出不同的发光特性。实验表明，在制作聚合物器件中，溶剂的选择对共轭聚合物的发光特性有着重要的影响。