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| DV-X_a计算a-SiO_2电子结构 | |
| 引用本文： | 蔡军,汪克林,夏上达,徐叙瑢.DV-X_a计算a-SiO_2电子结构[J].物理学报,1995(7). |
| 作者姓名： | 蔡军 汪克林 夏上达 徐叙瑢 |
| 作者单位： | 中国科学技术大学基础物理中心 合肥230026(蔡军，汪克林)，中国科学技术大学物理系 合肥230026(夏上达)，天津理工学院材料物理研究所 天津300191(徐叙瑢) |
| 基金项目： | 国家自然科学基金，中国科学技术大学青年基金资助的课题 |
| 摘 要： | 利用离散变分X_(?)(DV-X(?))的方法,非经验地计算非晶二氧化硅(a-SiO_2)电子结构,得到了与实验值较一致的结果,并研究a-SiO_2体结构畸变对a-SiO_2电子结构的影响. |
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