富Sn法制备多芯Nb_(3)Sn超导复合线的研究

采用Nb管和富Sn的铜锡合金之间的内扩散法制备了33和55芯的多芯Nb_3 Sn超导复合线.研究了Nb_3Sn反应扩散热处理(600—850℃,1—250hr)和添加元素In对Nb_3Sn反应扩散层的厚度、晶粒大小和超导性能的影响.结果表明:阶梯升温扩散热处理有利于晶粒细化,添加元素In提高了Nb_3Sn反应扩散层平均生长速率与Nb_3Sn晶粒长大速率之比值.55芯Nb_3(SnIn)复合线全电流密度J_c(4.2K,6T)约为7.3×10~4 Acm~(-2)     

熔融织构YBCO单晶的层间耦合

在０～７．５Ｔ磁场范围内,采用膺磁通变压器结构（八电极）,测量了磁场平行于ｃ轴时熔融织构生长的ＹＢＣＯ单晶上和下两个表面的电阻－温度关系。实验结果表明,在测量仪表所能测量的精度范围内,没有观测到Ｖｔｏｐ和Ｖｂｏｔ的情况,Ｖｔｏｐ总是大于Ｖｂｏｔ。不同磁场下Ｖｔｏｐ／Ｖｂｏｔ随着温度的降低而变化;ｃ－轴电阻的测量结构则表明,样品沿ｃ方向与ａｂ面具有相似的超导电性,且Ｔ＾ｃｃ〉Ｔａｂｃ,这充分表明随着     

原位电阻法研究MTG-YBCO的吸氧扩散

本工作采用原位电阻驰豫方法研究了熔融织构（MTG）YBCO（YBa2Cu3O7_δ＋0.4molY2BaCuOz)复相体系中氧（缺位）扩散。实验结果表明：MTG－YBCO生长过程中保留的非氧缺位类缺陷能加速吸氧进程,经930℃高温退火的MTG－YBCO的吸氧速率比未经高温退火者小。高温火MTC－YBCO在400－550℃温区吸氧而致的电阻弛豫可近似用一热激活过程一氧（缺位）扩散描述,氧扩散激活能力－0.73eV,在400－550℃温区氧的化学扩散系数为－10^-5cm^2sec^-1。所得晶格扩散激活能和化学扩散系数分别处于文献报道相应值的低值区和高值区。这种行为可能和MTG－YBCO材料中复杂的缺陷状态有关,缺陷提供了氧的局域快扩散通道,从而一定程序上影响氧（缺位）迁移动力学。     

脉冲超导磁体用Cu-CuNi-NbTi三组元多芯超导复合线的研制

从稳定性和交流损耗的观点阐述了脉冲磁体所用多芯超导复合线之主要参数(芯线直径d、复合线直径D和拧扭距l_p)的设计方法.设计并研制了两种cu-CuNi-NbTi三组元多芯复合线,其母材横向平均有效电阻率和NbTi芯径分别约为2×10~(-6)Q.cm,10 μm和2×10~(-7)Q.cm,6μm.讨论了复合线冶金工艺,特别是挤压温度对拉制NbTi细芯的影响.报道了复合线短样超导临界电流密度及其小型磁体的励磁性能.     

添加元素In、Ga对富Sn法Nb_3Sn反应扩散过程和超导临界特性的影响

本文主要报道添加元素In、Ga对Nb管富Sn法Nb_3Sn反应扩散热处理过程和超导临界特性的影响的初步结果。     

添加元素Ti、In对Nb管富Sn法Nb_3Sn生长特性和超导性能的影响

采用Nb管和高Sn含量的Cu-Sn,Cu-Sn-Ti,Cu-Sn-In合金之间的内扩散法制备了Nb_3Sn多芯超导复合线,研究了Nb_3Sn反应扩散热处理条件和添加元素Ti、In对Nb_3Sn反应层生长动力学、组织结构和超导性能的影响。结果表明:母材中添加适量的第三元素Ti或In均提高Nb_3Sn反应层生长速率,与In相比,Ti的效果更为显著.添Ti样品的T_c值在母材添Ti量为0.4w/o处出现峰值,比末添Ti样品的T_c值升高0.3K.添Ti样品的H_(c2)(o)值随母材添Ti量增加单调提高,当母材添Ti量为0.76w/o时,其H_(c2)(o)值由未添Ti样品的21T提高到大约29T.在4.2K和15T脉冲背景磁场(脉冲上升时间t_m=10ms)下,添Ti和添In样品的J_c(non Cu)值分别可达6×10~4Acm~(-2)和2.5×10~4Acm~(-2).     

全Nb_3Sn 12T净孔径Φ36mm密实型超导磁体

本文报道用超导线共计11kg的三个Nb_3Sn分磁体组合成的净孔径φ36mm,中心场强12T的超导磁体。该强场超导磁体的特点是:体积小,重量轻,耗氦少,且可拆卸重新组合,以不同的孔径和中心场强多用途使用。     

Nd1.1Ba1.9Cu3Oy正交相中的进氧扩散研究

本文采用高温原位电阻法研究了氧在Ｎｄ１．１Ｂａ１．９Ｃｕ３Ｏｙ超导材料中的进氧扩散。