（La1—xSrx）2CuO4高Tc单晶样品中Sr对其性质的影响

实验上研究了（Ｌａ１－ｘＳｒｘ）２ＣｕＯ４）高Ｔｃ单晶样品的ｃ－轴正常态电阻同温度的关系以及Ｔｃ附近ｃ－轴电阻作为磁场和磁场取向的函数，结果表明，（１）随着Ｓｒ含量的增加，ｃ－轴正常态电阻从半导体行为变为金属行为，和（２）固有的各向异性随Ｓｒ含量的增加而逐渐变弱，这些意味着Ｓｒ掺杂在Ｌａ基系统中有利于Ｃｕ－Ｏ面间耦合的改善。     

（La_（1－x）Sr_x）_2CuO_4高T_c单晶样品中Sr对其性质的影响

实验上研究了（Ｌａ（１－ｘ）Ｓｒｘ）２ＣｕＯ４高Ｔｃ库晶样品的ｃ－轴正常态电阻同温度的关系以及Ｔｃ附近ｃ－轴电阻作为磁场和磁场取向的函数．结果表明，（１）随着Ｓｒ含量的增加，ｃ－轴正常态电阻从半导体行为变为金属行为，和（２）固有的各向异性随Ｓｒ含量的增加而逐渐变弱，这些意味着Ｓｒ掺杂在Ｌａ基系统中有利于Ｃｕ－Ｏ面间耦合的改善．     

Bi系超导带材的的激活能和钉扎势

本报道了在液氮温区外磁场平行ｃ轴状态下，测量不同工艺制备的银包套Ｂｉ系超导带材短样的磁回滞曲线和磁弛豫曲线。计算了样品的Ｊｃ，激活能和钉扎势，从５００Ｇｓ到５５００Ｇｓ，激活能在７４ｍｅＶ－８２ＭＥｖ范围内随磁场上升变化较小，钉扎势在１２ｍｅＶ－４９ｍｅＶ范围内随磁场上升而下降。     

在层状超导体2H-NbSe2中的重入现象

我们测量了纯２Ｈ－ＮｂＳｅ２单晶样品在磁场下的直流电输运行为,得到了有重大现象的电阻随磁场变化Ｒ（Ｈ）、电阻随温度变化Ｒ（Ｔ）以及临界电流随磁场变化Ｉｃ（Ｈ）关系曲线。我们还采用六电极法同时测量了上、下表面的电势,得到了上、下表面重入不同步的新结果,这个新的实验结果可以由磁通动力学理论,结合Ａｎｄｅｒｓｏｎ磁通需动模型给予很好的解释。     

Bi2Sr2Ca(Cu1-xMnx)2Oy单晶的结构与超导电性

用自助熔剂法制备了Ｂｉ２Ｓｒ２Ｃａ（Ｃｕ１－ｘＭｎｘ）２Ｏｙ（ｘ＝０．０１,０．０５,０．０８,０．１０）单晶。单晶的ｃ轴长度随Ｍｎ含量的增加而减小。Ｒ－Ｔ曲线测量表明,零电阻温度Ｔｃ随ｘ的增大面逐渐下降。对Ｍｎ掺杂量较高的一些单晶,发现其Ｒ－Ｔ曲线在１０５Ｋ左右有一陡降,表明Ｍｎ掺杂量较高的单晶中可能有微量的Ｂｉ２２２３相成分存在。     

含不同211相颗粒的区域熔炼YBa2Cu3O6＋x样品的临界电流

在５５－７８Ｋ的温度范围内，最大磁场为２．３Ｔ下，用ＶＳＭ测量了含Ｙ２ＢａＣｕＯ５颗粒的区域熔炼ＹＢａ２Ｃｕ３Ｏ６＋ｘ的磁滞回线。利用Ｂｅａｎ模型计算了磁临界电流密度，发现Ｊｃ与外加磁场Ｈ有一普适关系。实验结果能用集体钉扎理论解释。我们同时发现Ｙ２ＢａＣｕＯ５（２１１）颗粒在磁通钉扎中有很大作用，在较高增场下，随２１１相颗粒含量的增加，样品的Ｊｃ下降越缓慢。     

YBa2Cu3O7—δ外延薄膜的电流—电压特性

分别测量了不同磁场及其位形下Ｉ－Ｖ曲线随温度的变化关系。实验结果表明，在磁通玻璃转变温度以下，ｌｏｇＩ－ｌｏｇＶ曲线具有正曲率，在磁通玻璃转变温度以下，ｌｏｇＩ－ｌｏｇＶ曲线具有负英率；不同温度下的Ｉ－Ｖ曲线能够很好地被标度到两条曲线上，表明样品中存在磁通液态到玻璃态的转变。     

Bi2212晶须中磁通线运动临界电流的反常现象

我们对同一Ｂｉ２２１２晶须样品加不同方向的磁场,比较了Ｈ∥ｂ和Ｈ∥ｃ两种情况下的Ｉ－Ｖ曲线。我们发现,当Ｈ∥ｃ时,驱动磁通线运动的临界电流Ｉｃ与温度的关系遵循一般的单调地随温度上升而下降的关系。但是,当Ｈ∥ｂ时,Ｉｃ在Ｔ＾＊＝２５．５Ｋ附近出现了一个峰值：当Ｔ〉Ｔ＾＊时,Ｉｃ温度的下降而升高;Ｔ〈Ｔ＾＊时,Ｉｃ随温度的下降而下降。我们在文章中对此现象进行了讨论。     

高J＿cTl系2223相银包套带材的磁通钉扎和耗散

测量了Ｔｌ系２２２３相银包套超导带（Ｊ＿ｃ＝１．５×１０￣４Ａ＊ｃｍ￣（－２），７７Ｋ，０Ｔ）在０－０．８Ｔ磁场下电阻转变展宽，实验结果引用热激活磁通蠕动模型加以解释。磁场平行于带面（Ｈａｂ面）和磁场垂直于带面（ＨＪ⊥ａｂ面）两种情况下，激活能与磁场之间满足幂指数关系：Ｕ＿（０）＝０．２１，其中Ｈ的单位为ｋＧ。对Ｈａｂ面，ＨＩ时出现的与宏观洛仑兹力无关的耗散进行了讨论。     

低场下高度c轴取向的Bi2223银包套带材的反常霍尔效应研究

在低场且磁场一行于ｃ轴和磁场平行行ａｂ面两种情况下，测量了沿ｃ轴高度取向的Ｂｉ２２２３银包套带材在混合态下纵向电阻率和霍尔电阻率与温度的关系。