STUDIES ON ION IMPLANTATION AND ELECTRICAL PROPERTIES OF POLYACETYLENE FILMS

The effects of ion implantation on ployacetylene films PA have been studied with Ar~+, Fe~+, C1~+, I~+, Na~+ and K~+ ions in the energy range of 15—30 keV. The changes of PA films in the electrical conductivity, due to chemical doping and ion implantation in relation to their structure and depth profiles of impurities, were measured through infrared (ATR/FTIK), Rutherford backscattering spectrometry (RBS) and the four probe technique. In all cases, ion implantation of active ions exhibits the same effects as chemical doping. The formation of p-n junction is observed at the interface of implanted region and chemical doped PA substrate. The mechanism of interaction process between ion beam and polymer is also discussed.     

变形碳纳米管的研究

给出了一些用透射电子显微镜观察到的变形碳纳米管结果，它们在形态上可以分为径向形变和轴向形变两类．这种在氩气氛电弧放电阴极沉积物中生成的变形纳米管，可以用我们建议的模型定性地加以解释 关键词：     

C20富勒烯的Ar+离子辐照合成

Ar+离子辐照聚乙烯靶表面在室温情况下合成的C20,已采用高分辨率透射电子显微镜/电子衍射装置、飞行时间质谱、红外和拉曼谱仪进行了研究.结果认为,辐照诱发的微晶体由笼式C20组成.     

Ar+轰击石墨表面生成碳纳米管和碳纳米多面体

报道了一种用60keV Ar⁺轰击石墨生成碳纳米管和纳米碳壳层多面体颗粒的方法.高分辨透射电子显微镜研究指出，这些纳米多层结构物的尺寸约在20nm到0.4μm之间，碳原子层之间的距离为0.34nm.基于高分辨透射电子显微镜图像，建议了一个关于“组合碳多面体”的生长模型. 关键词：     

60keV N+2轰击生成BN纳米结构

报道了N     

Ar离子溅射生成碳纳米管

用扫描电子显微镜(SEM)和透射电子显微镜(TE),研究了离子溅射石墨表面的形貌特征和结构,证实了碳纳米管可通过溅射原子在表面形貌突起部位沉积生长.     

FeCl+轰击Ag靶的溅射产额非线性增强效应

报道了用FeCl⁺、⁵⁶Fe⁺和³⁵Cl⁺轰击Ag靶的溅射原子角分布和产额测量结果.发现FeCl⁺轰击Ag的原子溅射产额与⁵⁶Fe⁺和³⁵Cl⁺轰击的溅射产额之和相比有大的增强.这种溅射产额增强现象可以用热峰蒸发(thermal spike-evaporation)加上表面拓扑效应(surface topography effect)的理论模型进行解释.     

石墨多壳层形成物的离壳生长现象

用高分辨透射电子显微镜(HRTEM)表征了在特定电弧放电条件下(碳阴极,钯管阳极)产生的石墨多壳层结构。看到了各种各样的,由多层石墨壳组成,大小从约2nm到20nm以上的多面体。对它们当中一些多面体所表现出来的自组装(self-assembly)"离壳生长"(out-of-shellgrowth)现象作了鉴定,并对其生长机制进行了讨论。     

离子轰击产生湍层氮化硼

用高分辨率透射电子显微镜检查了N+2离子轰击后的氮化硼样品.发现在片状六方形氮化硼sp2层的弯折区,有0.35mm晶面间距的湍层氮化硼形成.虽然其形成机制尚不清楚,但是基于束流–固体相互作用观点的讨论可能是了解湍层氮化硼结构生长过程的关键所在.     

C20富勒烯的Ar+离子辐照合成

Ar⁺离子辐照聚乙烯靶表面在室温情况下合成的C₂₀,已采用高分辨率透射电子显微镜/电子衍射装置、飞行时间质谱、红外和拉曼谱仪进行了研究.结果认为,辐照诱发的微晶体由笼式C₂₀组成. 关键词：