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在27keV Ar+离子轰击时,用收集膜技术结合俄歇谱仪(AES),研究了三元合金Cu76Ni15Sn9系统的择优溅射行为。同时使用扫描电子显微镜(SEM)与电子探针微分析(EPMA).观察了靶点表面形貌变化并测定了形貌特征微区的合金组份原子的相对百分浓度。结果表明,Cu原子较Ni原子、Ni原子较Sn原子,在所测定范围(0─60°)内择优发射。最后讨论了靶点表面形貌特征和“元素局域富集”现象对择优溅射过程的影响。
关键词: 相似文献
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非电离能损(NIEL)引起的位移损伤是导致空间辐射环境中新型光电器件失效的主要因素.由于低能时库仑相互作用占主导地位,一般采用Mott-Rutherford微分散射截面,但它没考虑核外电子库仑屏蔽的影响.为此,本文采用解析法和基于Monte-Carlo方法的SRIM程序计算了考虑库仑屏蔽效应后低能质子在半导体材料Si,GaAs中的NIEL,SRIM程序在计算过程中采用薄靶近似法, 并与其他作者的计算数据和实验数据进行了比较.结果表明:用SRIM程序计算NIEL时采用薄靶近似法处理是比较合理的,同时考虑库仑
关键词:
低能质子
非电离能损
硅
砷化镓 相似文献
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非电离能损(NIEL)引起的位移损伤是导致空间辐射环境中新型光电器件失效的主要因素.由于低能时库仑相互作用占主导地位,一般采用Mott-Rutherford微分散射截面,但它没考虑核外电子库仑屏蔽的影响.为此,本文采用解析法和基于Monte-Carlo方法的SRIM程序计算了考虑库仑屏蔽效应后低能质子在半导体材料Si,GaAs中的NIEL,SRIM程序在计算过程中采用薄靶近似法, 并与其他作者的计算数据和实验数据进行了比较.结果表明:用SRIM程序计算NIEL时采用薄靶近似法处理是比较合理的,同时考虑库仑 相似文献
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用原子捕获膜技术结合卢瑟福背散射谱,测定了具有相同原子能量(16keV/原子)的~(25)Si_m~-(n=1,2)离子冲击Ag靶的溅射原子角分布。结果表明,~(26)Si_1~-冲击引起的Ag原子角分布较~(25)Si_2~-冲击在小发射角θ(Ag原子发射方向与靶表面法线方向之间的夹角)区有更大的增强。结合扫描电子显微镜对靶点表面的分析,我们认为这种角分布变化,可能暗示必须考虑靶点表面形貌特征差别的影响。
关键词: 相似文献
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