高能离子注入及其应用

本文介绍了高能离子（Ｍｅｖ／ａｍｕ）与固体相互作用的特点，综述了近几年来高能离子注入技术在制备多层结构晶体管、减少载流子寿命、材料表面改性及增强薄膜与基体粘着力等方面的研究概况．     

活性碳分离碳－60和碳－70

活性碳用苯胺处理后，可以减少对Ｃ＿（６０）和Ｃ＿（７０）的不可逆吸附，从而增加Ｃ＿（６０）和Ｃ＿（７０）的分离收率，同时提高了Ｃ＿（７０）的纯度。     

STUDIES ON ION IMPLANTATION AND ELECTRICAL PROPERTIES OF POLYACETYLENE FILMS

The effects of ion implantation on ployacetylene films PA have been studied with Ar~+, Fe~+, C1~+, I~+, Na~+ and K~+ ions in the energy range of 15—30 keV. The changes of PA films in the electrical conductivity, due to chemical doping and ion implantation in relation to their structure and depth profiles of impurities, were measured through infrared (ATR/FTIK), Rutherford backscattering spectrometry (RBS) and the four probe technique. In all cases, ion implantation of active ions exhibits the same effects as chemical doping. The formation of p-n junction is observed at the interface of implanted region and chemical doped PA substrate. The mechanism of interaction process between ion beam and polymer is also discussed.     

高纯度碳－60和碳－70的制备研究

高纯度碳－６０和碳－７０的制备研究荣廷文，钱银娥，林森浩，鲍锦荣，崔云龙，陈雨玲（中国科学院上海原子核研究所，上海２０１８００）目前，Ｃ＿６０／Ｃ＿７０的分离方法有多种，其中主要是中性氧化铝￣［１，２］、高压液相色层￣［３］和活性碳分离方法￣［４］．...     

电子间相互作用对钠掺杂聚乙炔中孤子对的影响

本文的哈密顿量由静态SSH模型,Hubbard模型及聚乙炔中钠离子唯象势构成,用Ha-rtree-Fock自洽场方法研究掺入的钠在反式聚乙炔中激发-相距15α(α为晶格常数)的带负电荷的孤子对时,电子间相互作用对聚乙炔能带和链电荷分布及孤子半宽度的修正。 关键词：     

碘掺杂聚乙炔电子自旋共振及导电性的研究

用四探针法测量掺碘聚乙炔薄膜[CH(I₃)_y]_x,当y=1.0％,4.2％和8.3％时面电阻随温度的变化,发现它们可用变程跳跃(VRH)模型很好的描述。用电子自旋共振(ESR)谱仪研究了不同温度下低浓度碘掺杂聚乙炔的自旋磁化率、峰峰宽等。并给出相应的理论解释。 关键词：     

团簇冲击核聚变研究现状

本文简要介绍了团簇冲击核聚变研究的发展和现状,同时也介绍了各种理论解释模型．A brief introduction of latest development of cluster impact fusion (CIF) was presented. Beuhler, Friedler and Friedman from BNL reported to have observed (d,d) fusion when deuterated solid target of TiD, (C2D). or ZrD1.65 were bombarded by (D,O): cluster with n values between 20 and 1000, accelerated to energies of 220～325 keV. The observed fusion rates correspond to cross sections some 25 ciders of magnitude larger than the theoretical estimation. A group in Stun fold Research Institute experimentally...     

聚乙炔离子注入掺杂及电性能的研究

本文用Ar~+,Fe~+,Cl~+,I~+,Na~+和K~+等离子束,在15—30keV能量范围内注入聚乙炔薄膜,剂量为1×10~(13)-3×10~(17)cm~(-2).借助红外光谱、卢瑟福背散射分析及四探针等测试方法,考察了离子注入诱导聚乙炔膜的化学结构及导电性能的变化,检测了化学掺杂与离子注入杂质的深度分布和p-n结的形成,并在此基础上探讨了离子束与聚合物相互作用过程的机理.     

聚乙炔的离子注入法掺杂

<正> 离子注入是一种物理摻杂方法,在半导体器件的制备中已得到广泛的应用,它与常规的化学、电化学或热扩散掺杂相比具有一些特点:可以通过质量分析器选取单一的注入离子,故掺杂杂质的纯度高;根据注入离子的剂量和能量,精确控制到掺人杂质的数量和深度等等。近年来,采用离子注入技术进行掺杂,改变聚合物或其它绝缘材料表面性质的研究已逐步引起重视真视。     

聚苯胺薄膜的离子束效应

本文采用离子注入掺杂技术，研究了全氧化态聚苯胺薄膜的离子束效应．‘４０ｋＶＫ＋离子束注入后，聚苯胺薄膜的电导率随着剂量的增加而迅速增加．当剂量为１×１０１７Ｋ＋／ｃｍ２时，电导率增加了８个数量级．ＦＴＩＲ光谱图显示了Ｋ＋离子注入使全氧化态聚苯胺中的醌亚胺结构发生还原反应．温差电流法测量表明，离子注入区呈现ｎ型半导体特性．四探针法测量了离子注入掺杂聚苯胺的电导率与温度的关系．本文还对离子注入掺杂全氧化态聚苯胺的导电机制进行了初步探讨．