InxGa1-xAs-GaAs应变层量子阱结构的流体静压光荧光研究

本文报道了对分子束外延(MBE)生长的In_0.25Ga_0.75As-GaAs应变层量子阱结构在77K下的压力光荧光(PL)研究的结果。流体静压力从0到50kbar.,给出了In_0.25Ga_0.75As-GaAs应变层量子阱的Γ谷压力系数,实验观察到了量子阱中能级与势垒GaAs中X谷的能级交叉。通过对其压力行为的分析,给出了In_0.25Ga_0.75As-GaAs异质结的导带与价带跃变比:Q_c=△E_c:△E_v=0.68:0.32。对(InGa)As-GaAs应变量子阱常压下的理论分析与实验符合很好。本文也对Al_0.3Ga_0.70As-GaAs量子阱进行了讨论。 关键词：     

KTiOPO_4单晶的偏振喇曼散射谱

我们测量了KTiOPO_4单晶在300K和210K下的偏振喇曼散射谱(10～4000cm~(-1)范围)和该晶体粉末样品的红外吸收谱(200～4000cm~(-1)范围).利用群分析对谱线作分类指定,对所得结果作了分析讨论.     

LiIO_3的高压状态方程和相变

本文采用压砧-压缸型高压容器测量了α和β-LiIO_3的高压状态方程,发现压缩过的β相在空气中放置会发生向α相的转变。     

LiIO3的高压状态方程和相变

本文采用压砧-压缸型高压容器测量了α和β-LiIO₃的高压状态方程,发现压缩过的β相在空气中放置会发生向α相的转变。 关键词：     

LiYF4:Nd3+的发光

首次研究了LiYF4:Nd3+由Ar+激光5145Å激发的发光(Laser excited photo-luminescence,LEPL)以及由X射线激发的发光(X-Ray excited photo luminescence,XEPL).仔细地研究了它的荧光谱的偏振特性.     

GaAs/GaAlAs多量子阱的光致荧光诊断

利用光致荧光技术对GaAs/GaAlAs多量子阱质量进行了诊断。讨论了量子阱厚度涨落,铝成份涨落,各种缺陷和非故意掺杂等对量子阱光致荧光谱的影响,并反过来,又由光致荧光谱来推断引起量子阱质量退化的原因。在一定程度上为分子束外延工艺的改进提供了依据。 关键词：     

BeAl_2O_4∶Cr~(3+)系统中~2E→~4A_2跃迁谱线随压力的变化

首次观察到液氮温度下BeAl_2O_4∶Cr~(3+)系统中压力对荧光谱线的影响,系统地测量了室温和液氮温度下,在0—120kbar压力范围内~2E→~4A_2跃迁谱线。结果表明,R_1、R_2、S_1和S_2谱线随压力变化的红移率各不相同,但每条谱线各自在室温与液氮温度下的红移率相同。同时也观察到随温度降低这些谱线位置的紫移。     

分子束外延调制掺杂结构的低温光致荧光

本文报道了分子束外延调制掺杂GaAs/N-AIGaAs二维电子气材料的低温光致荧光结果。实验表明,光致荧光谱分析可以作为二维电子气材料的质量诊断技术,由光致荧光谱得到的质量评价与材料的电学性能恰相对应,这就为改进分子束外延工艺提供了依据。 关键词：     

高压下吡啶的Raman散射谱

在高静水压下研究了吡啶的Raman散射谱,研究了液—固相变前后振动模的高压行为。在60kbar附近,观察到晶态—塑料态的相变。在全呼吸模992cm^-1的高频边,观测到随压力移动较快的伴峰,它被认为是红宝石颗粒上吸附分子(界面分子)的全呼吸振动模。这一伴峰可能因Mie氏结构共振散射而受到极大的增强。 关键词：