La1-xPrxMnO3(x=0.1,0.2)薄膜庞磁电阻性质的研究

一种新的庞磁电阻氧化物薄膜La1-xPrxMnO3(x=0.1,0.2)薄膜用脉冲激光沉积(PLD)方法生长在(100)SrTiO3单晶基底上.XRD结果显示薄膜具有很好的外延单晶取向.电输运和磁性质的研究表明薄膜具有显著的庞磁电阻效应(CMR)效应,其中磁电阻比率达95%(在5T的磁场下).X射线光电子能谱(XPS)的结果表明薄膜体系中Pr离子的价态为+4价,因此该薄膜很可能是电子掺杂的庞磁电阻体系.     

Pico-second photoelectric characteristic in manganite oxide La0.67Ca0.33MnO3 films

Ultrafast photoelectric characteristic has been observed in La_0.67Ca_0.33MnO₃ films on tilted SrTiO₃ substrates. A pico-second (ps) open-circuit photovoltage of the perovskite manganese oxide films has been obtained when the films were irradiated by a 1.064μm laser pulse of 25 ps duration. The rise time and full width at half-maximum of the photovoltage pulse are ～300 ps and ～700 ps, respectively. The photovoltaic sensitivity was as large as ～500 mV/mJ.     

荧光材料Y_2O_3:Eu变温拉曼光谱分析

本文用显微拉曼谱仪在波长为785 nm的激光激发下,对Y2O3:Eu陶瓷在温度83-473 K间进行了系统的变温拉曼实验研究。实验发现Y2O3:Eu的一些振动模在低温下没有出现,只有当温度达到一定值之后才可以被观察到,分析表明这是由于温度变化引起的简并振动模式分裂。此外,Y2O3:Eu的拉曼峰位、半高全峰宽(FWHM)也是温度的非线性函数,且不同的拉曼峰遵循不同的函数关系,本文分析这是由于晶格的各向异性导致的。     

三硫化铌高压合成与XPS分析的若干研究

 本文将报道我们在三硫化铌高压合成与相变方面的若干新的研究成果，其中包括晶体结构和电子状态以及发现特定结构的三硫化铌存在着Peierls转变的一些特征。     

电流注入对La0.8Te0.2MnO3/YBa2Cu3O7-δ双层结构中YBa2Cu3O7-δ超导电性的影响

用电泳法在厚度为5 mm×10 mm×0.5 mm的YBa2Cu3O7-δ上沉积厚约70 μm的 La0.8Te0.2MnO3 形成La0.8Te0.2MnO3/YBa2Cu3O7-δ (F/S)双层结构. 通过扫描电子显微镜观察双层结构剖面的形貌, 采用标准的四引线法测量YBa2Cu3O7-δ层的电阻特性. 在F/S双层结构中通入1 mA的注入电流, 无论电流从S层流入F层( Iinj), 或者电流从F层流入S层(-Iinj), 正常电阻均比未加注入电流时的电阻低; 超导转变温度均比未加注入电流的转变温度高.     

原子尺度控制钙钛矿氧化物薄膜的异质外延生长和特性研究

用激光分子束外延,原子尺度控制的外延生长出多种钙钛矿氧化物异质结.X射线衍射和原子力显微镜测量结果表明,在Si基底上生长的SrTiO3和LaAlO3薄膜具有很好的外延结构和取向,其表面达到原子尺度的光滑.YBCO/SrNb0.01Ti0.99O3、La0.9Sr0.1MnO3/SrNb0.01Ti0.99O3(LSMO/SNTO)等异质结,均观测到较好的p-n结I-V特性.首次观测到钙钛矿结构氧化物p-n结电流的磁调制和正巨磁电阻效应,在255K条件下,当外加磁场分别为5×10-4T、1×10-3T、1×10-2T和0.1T时,LSMO/SNTO p-n结的磁电阻变化率ΔR/R0达到:46.7%、59.7%、70.5%和83.4%;当外加磁场为3T时,在100K条件下,在LSMO/SNTO多层p-n异质结上观测465%的正磁电阻变化率.     

条形GaAs半导体激光器的非线性温度特性

一、前 言 在通常的(AlGa)As条形半导体双异质结激光器的输出功率随注入电流变化的过程中,由于非线性扭曲现象的存在,限制了输出功率的动态范围,带来了使用的局限性。尤其在模拟调制的通讯系统中,对讯号引入畸变,在与光纤的耦合上也造成困难。因此,非线性问题的研究成为重要课题之一。 目前对非线性问题的研究大多在固定温度条件下进行[1-3].对于非线性现象在低温下随温度的变化关系叙述不多.然而对激光器低温特性的研究还是重要的[4].我们在低温的不同温度下对激光器的非线性现象进行了观察。定性作了初步探讨,以便从实验结果进一步了解…     

自旋玻璃LaFe_yNi_(5-y)的磁性研究

本文报道了金属间化合物LaFe_yNi_(5-y)(0.5≤y≤1.1)的自旋玻璃特性。测定了样品的自旋玻璃冻结温度T_f。y≤0.9时,在一定温度下,样品中发生顺磁-自旋玻璃转变,T_f近似为y的线性函数,y≥1.0时,材料将发生顺磁-铁磁-自旋玻璃转变。     

Sb掺杂SrTio3透明导电薄膜的光电子能谱研究

用X射线光电子能谱和同步辐射光电子能谱研究了Sb掺杂的钙钛矿型氧化物SrTi1-xSbxO3(x=0.05,0.10,0.15,0.20)薄膜的电子结构.薄膜由紫外脉冲激光淀积在SrTiO3(001)单晶衬底上.该薄膜系列在可见光波段透明,透过率均超过90%.其导电性与掺杂浓度有关,当Sb掺杂浓度x=0.05时,薄膜显示金属型导电性.X射线光电子能谱和同步辐射光电子能谱研究结果表明,Sb掺杂在母化合物SrTiO3的禁带内引入了浅杂质能级和深杂质能级.浅杂质能级上的退局域化电子离化到导带中会产生一定的传导电 关键词： 光电子能谱 光学透过率 脉冲激光沉积薄膜     

钙钛矿结构La0.9Sb0.1MnO3的庞磁电阻性质

一种新的钙钛矿结构的庞磁电阻氧化物La_0.9Sb_0.1MnO₃已用固态反应方法制 成，通过超导量子干涉器件(SQUID)装置测量研究了它的电输运性质和磁性质.x射线光电子 能谱分析证明，该氧化物中Sb的价态是+5价，因此该氧化物是一种新的电子掺杂型庞磁电阻 材料. 关键词： 钙钛矿结构 0.9Sb_0.1MnO₃')" href="#">La_0.9Sb_0.1MnO₃ 电子掺杂 庞磁电阻