明渠层流近床面颗粒拖曳力研究

泥沙颗粒受到的拖曳力是泥沙运动的主要驱动力,而当前应用于计算流体力学-离散颗粒法(CFD-DPM)耦合模型进行水沙运动模拟的泥沙颗粒拖曳力公式均没有考虑明渠流底床边壁作用的影响。求解不可压缩Navier-Stokes方程,对明渠层流不同雷诺数条件下床面附近不同高度处颗粒所受拖曳力进行了模拟,根据模拟结果变化规律,提出了综合考虑床面和水流惯性对标准拖曳力影响的修正拖曳力计算公式。与常用的单颗粒标准拖曳力公式和考虑遮蔽效应的多颗粒拖曳力公式相比,采用本文修正公式得到的水沙作用力更接近高精度数值解,应用于CFD-DPM输沙模拟获得的输沙结果与输沙率公式结果一致,应用分析表明输沙模拟应当采用粗糙底床边界。     

基于量子微扰的AlGaN/GaN异质结波函数半解析求解

基于量子力学微扰理论的分析，得到AlGaN/GaN异质结波函数的半解析模型.给出了模型的理论分析和计算结果.对于相同问题，给出了与差分算法的对照结果.与传统的差分方法相比，半解析方法具有收敛性强、大规模问题计算效率高的特点，更适合作为AlGaN/GaN异质结量子阱的求解算法. 关键词： AlGaN GaN 量子阱 薛定谔方程     

信息技术在美国大学物理课程中的应用——以美国俄亥俄州立大学为例

随着信息时代的来临,信息技术作为新型的教学工具逐步走进了校园,进入了课堂,成为现代化教学不可缺少的手段和教学改革的利器.文章根据作者在美国访学一年的经历,以美国俄亥俄州立大学为例,详细介绍信息技术在美国大学工科物理主要教学环节中的应用,并对中美大学在信息化建设方面的差异进行总结;通过比较可以看到,国内在信息技术常态化以及将信息技术深入融合到教学的具体环节方面和美国还存在有一定差距,需要进一步加强.     

Fabrication and characterization of groove-gate MOSFETs based on a self-aligned CMOS process

N and P-channel groove-gate MOSFETs based on a self-aligned CMOS process have been fabricated and characterized. For the devices with channel length of 140nm, the measured drain induced barrier lowering (DIBL) was 66mV/V for n-MOSFETs and 82mV/V for p-MOSFETs. The substrate current of a groove-gate n-MOSFET was 150 times less than that of a conventional planar n-MOSFET. These results demonstrate that groove-gate MOSFETs have excellent capabilities in suppressing short-channel effects. It is worth emphasizing that our groove-gate MOSFET devices are fabricated by using a simple process flow, with the potential of fabricating devices in the sub-100nm range.     

Investigation of the characteristics of GIDL current in 90nm CMOS technology

A specially designed experiment is performed for investigating gate-induced drain leakage (GIDL) current in 90nm CMOS technology using lightly-doped drain (LDD) NMOSFET. This paper shows that the drain bias $V_{\rm D}$ has a strong effect on GIDL current as compared with the gate bias $V_{\rm G}$ at the same drain--gate voltage $V_{\rm DG}$. It is found that the difference between $I_{\rm D}$ in the off-state $I_{\rm D}-V_{\rm G}$ characteristics and the corresponding one in the off-state $I_{\rm D}-V_{\rm D}$ characteristics, which is defined as $I_{\rm DIFF}$, versus $V_{\rm DG}$ shows a peak. The difference between the influences of $V_{\rm D}$ and $V_{\rm G}$ on GIDL current is shown quantitatively by $I_{\rm DIFF}$, especially in 90nm scale. The difference is due to different hole tunnellings. Furthermore, the maximum $I_{\rm DIFF }$($I_{\rm DIFF,MAX})$ varies linearly with $V_{\rm DG}$ in logarithmic coordinates and also $V_{\rm DG}$ at $I_{\rm DIFF,MAX}$ with $V_{\rm F}$ which is the characteristic voltage of $I_{\rm DIFF}$. The relations are studied and some related expressions are given.     

大学物理实验教学综合性创新改革初探

围绕大学物理实验教学改革,针对当前原有课程模式中存在的各种问题提出相应的课程改革措施。     

AlGaN/GaN肖特基结参数分析与电流运输机理研究

通过对AlGaN/GaN HEMT器件肖特基栅电流输运机理的研究,在变温下采用I-V法对AlGaN/GaN上的Ni/Au肖特基势垒高度和理想因子进行了计算. 通过对不同电流机理的分立研究,得到了更为准确的势垒高度值_b. 通过分析温度在300—550K之间肖特基反向泄漏电流的特性,得出结论：AlGaN材料的表面漏电不是HEMT器件反向泄漏电流的主要来源. 关键词： AlGaN/GaN异质结 肖特基结 理想因子     

双偶极半菁染料/多金属氧酸盐自组装膜的制备及其光电转换性质

通过交替吸附多金属氧酸盐K10P2W18Cd4(H2O)2O68(P2W18Cd4)和双偶极半菁染料(H6),制备了一种无机-有机杂化的自组装薄膜(P2W18Cd4/H6)n,通过紫外可见光谱和光电化学对薄膜进行了研究.结果表明,P2W18Cd4/H6自组装多层膜可被均匀沉积,层数可控,薄膜中半菁染料在可见区的吸收发生红移,并且薄膜能产生稳定的、较强的光电信号.研究了偏压、电子给体和电子受体对薄膜光电转换性质的影响.     

密里根油滴实验中两种方法分析平衡电压和下落时间选取

密里根油滴实验采用静态法测量中,分析了油滴的运动过程。由油滴的运动方程,选取半径在的油滴,计算了测量中所需的时间区间;并结合平衡电压和下落时间曲线分析了合适油滴的时间选取和电压选取。     

金属有机物化学气相沉积生长的a(11-20)面GaN三角坑缺陷的消除研究

用金属有机物化学气相沉积方法在r面蓝宝石上生长了非极性a面GaN薄膜,通过采用AlGaN多量子阱插入层,得到了高质量的非极性GaN材料.用原子力显微镜和高分辨X射线衍射仪研究了a面GaN的表面形貌和结晶质量,发现非极性材料上典型的三角坑缺陷被消除,(11-20)面X射线双晶摇摆曲线的半峰宽为680″.