如何解释红外谱图

红外光谱(IR)主要提供分子的官能团和化学键的丰富的结构信息。通常一个化学键会出现多个不同位置的吸收峰,而图中每个峰又可能是不同化学键的加合峰。因此在红外光谱分析中,并不要求也不可能准确地归属出图中所有的峰,通常只要求能较确切地识别出其中几个特征峰已足矣。     

二维非线性光子晶体中的高阶准相位匹配谐频

在二维正方晶格的周期性极化铌酸锂晶体中，通过调节基频光波长实现了皮秒光束的高阶共线及非共线准相位匹配谐频过程，在垂直于入射光束的方向上观察到了多对红、绿、蓝三种颜色的谐频光斑.同时，通过改变晶体的入射角度也实现了基频光的高阶谐频过程.实验与理 论符合得很好，这一结果对光电子集成及紧凑器件的研究发展有重要的指导意义. 关键词： 高阶准相位匹配 二维非线性光子晶体 频率转换     

八种新偶氮染料的FT－拉曼光谱和FT－红外光谱

八种新偶氮染料的ＦＴ－拉曼光谱和ＦＴ－红外光谱周光明，盛蓉生，何立芳，徐知三，王霆，王小华，曾云鹗（武汉大学化学系，武汉大学分析测试中心武汉４３００７２）（北京Ｂｒｕｋｅｒ公司北京１００８７１）ＦＴ－ＲａｍａｎａｎｄＦＴ－ＩＲＳｐｅｃｔｒａｏｆＥｉｇ...     

钾通道启开剂研究(Ⅰ)─—反式-4-氨基-3-羟基-3,4-二氢-2,2-二甲基-2-氢-1-苯并吡喃类化合物的合成及其心血管活性

通过溴醇两步环氧化法并采用三本基膦脱氧合成了一系列新型的反式－4－氨基－3－羟基-3，4－二氢－2，2－二甲基－2－氢－1－苯并吡喃类化合物，通过IR、NMR、MS和元素分析等手段对其结构进行了确证．研究了其中13个化合物对KCI刺激大鼠胸主动脉条收缩抑制作用，考察了其体外血管扩张活性；还对其中11个化合物进行了S．D．大鼠体内降血压实验．结果表明，所测化合物对低钾刺激引起的收缩均有不同程度的抑制作用，其中化合物Ⅰ1、Ⅰ2、Ⅱ5、Ⅱ6效果较好，部分化合物显示较好的降血压活性．     

Cu（Ⅱ）NEAE和Cu（Ⅱ）NACN的NIR FT－SERS光谱研究

用沉积银胶的银镜作活性载体，获得了中位－四－（４－Ｎ－乙氧羧甲基吡啶）卟啉络铜（Ⅱ）（Ｃｕ（Ⅱ）ＮＥＡＥ）、中位－四－（４－Ｎ－氰甲基吡啶）卟啉络酮（Ⅱ）（Ｃｕ（Ⅱ）ＮＡＣＮ）的近红外富里叶变换－表面增强喇曼光谱（ＮＩＲＦＴＳＥＲＳ），对其谱峰位移作了归属，并与它们的可见激光表面增强共振喇曼光谱（ＳＥＲＲＳ）作了比较。     

基于不同专业背景的仪器分析教学改革初探

仪器分析课程是很多专业的基础课,在东北林业大学,除化学、化工和应用化学专业开设仪器分析课程之外,还有材料化学、轻化工程、林产化学、环境科学等专业也相继开设了仪器分析必修课或选修课。针对不同专业背景,选择不同教学内容及实验项目,以适应专业需求并结合专业的科研特色进行仪器分析探索性教学改革。     

纳米TiO2光催化剂改性研究进展

TiO2光催化活性高,化学稳定性好,绿色环保及价廉等特点,在污水处理、有机污染物降解、催化制氢、抗菌抗癌及自清洁等方面有巨大的应用前景。然而TiO2半导体禁带宽,光谱范围小,光量子效率低等问题限制了其光催化性能。文章综述了TiO2光催化剂优化改性的研究进展,系统分析了TiO2半导体的结构特征与作用机理,以及TiO2光催化过程的影响因素,着重介绍了TiO2光催化剂多元优化改性方法的优势及不足,最后对未来发展新型TiO2基光催化剂提出了建议。     

现代科学分析仪器方法在书画真伪鉴别中的应用

介绍现代仪器分析方法在书画艺术品的防伪和真伪鉴别中的应用。其中X光荧光光谱法和激光拉曼光谱法,可做成便携式的无损检测仪器,可直接用于检测艺术品材料基体中的金属和陶瓷,并可对纸张纤维基体中的无机填料、天然矿物颜料、墨迹、印泥中色料等无机成分进行鉴定。已成功地用于一批著名书画家真迹作品的防伪注册登记备案科学管理。     

周期极化LiNbO3晶体中电极布置对反转畴扩张的影响

利用外加电场极化的方法,分别研究了三种不同方式布置的极化电极对C向切割LiNbO_{3< /sub>晶体极化反转畴扩张的影响.实验结果表明在相同极化条件下，当极化电极长度方向与六边 形反转畴一对边呈90°和0°角时，极化扩张速度分别为0.089μm/ms和0.011μm/ms.实验结果揭示，为了有效地控制极化占空比，在制备一维准相位匹配LiNbO3晶体时应 避免极化电极与六边形反转畴壁中一对边呈90°的情况. 关键词： 周期极化 极化扩张 准相位匹配}     

GaAs(001)图形衬底上InAs量子点的定位生长

InAs/GaAs量子点是重要的单光子源,位置可控量子点对实现可寻址易集成的高性能量子点光源具有重要意义.本文详细研究了氢原子条件下GaAs (001)图形衬底的低温脱氧过程,低温GaAs缓冲层生长中沟槽形貌的演化过程,以及沟槽形貌对量子点形核位置的影响.发现GaAs衬底上纳米沟槽侧壁的倾斜角较小时, InAs量子点会优先生长于沟槽底部;当沟槽的侧壁倾斜角较大时, InAs量子点则会优先生长于沟槽两侧的外边沿位置.此外,本文还研究了纳米孔洞侧壁的倾斜角对量子点成核位置的影响,实现了双量子点分子和四量子点分子的定位生长.