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1.
金属与金刚石薄膜接触的电学特性研究   总被引:3,自引:0,他引:3       下载免费PDF全文
陈光华  张兴旺  季亚英  严辉 《物理学报》1997,46(6):1188-1192
用热丝辅助化学汽相沉积技术在Si衬底上合成了含少量受主型杂质的近于本征的金刚石薄膜,并研究了三种金属(Cu,Ag和Al)与它接触的电学特性,以及退火对接触特性的影响.结果表明Cu,Ag与金刚石薄膜接触的电学特性比较类似,而Al则明显不同;而且退火对它们的接触特性影响很大 关键词:  相似文献   
2.
本文用大孔磺酸树脂SA—209(×8)研究了Li~+、Ca~(2+)、Co~(2+)、Tm~(3+)对H~+正、逆离子交换过程以及~(59)Co~(2+)—、~(169)Tm~(3+)—~(170)Tm~(3+)同位素交抉过程。用前报中提出的界面吸附双电层模型及解离机制满意地解释了实验事实。  相似文献   
3.
使用高真空电子束蒸发在p型Si(1 0 0 )衬底上制备了高kHfO2 薄膜 .俄歇电子能谱证实薄膜组分符合化学配比 ;x射线衍射测量表明刚沉积的薄膜是近非晶的 ,高温退火后发生部分晶化 ;原子力显微镜和扫描电子显微镜检测显示在高温退火前后薄膜均具有相当平整的表面 ,表明薄膜具有优良的热稳定性 ;椭偏测得在 6 0 0nm处薄膜折射率为 2 0 9;电容 电压测试得到的薄膜介电常数为 1 9.这些特性表明高真空电子束蒸发是一种很有希望的制备作为栅介质的HfO2 薄膜的方法  相似文献   
4.
 用射频等离子体方法在玻璃基底上制备的类金刚石(DLC)薄膜,采用离子注入法掺氮,并对掺氮DLC薄膜紫外(UV)辐照前后的性能变化进行了研究。研究结果表明:随氮离子注入剂量及UV辐照时间的增加,位于2 930cm-1附近的SP 3C-H吸收峰明显变小,而位于1 580cm-1附近的SP2C-H吸收峰则明显增强,薄膜的电阻率明显呈下降趋势;随UV辐照时间的增加,位于1 078cm-1附近的Si-O-Si键数量及位于786cm-1附近的Si-C键数量明显增加。即氮离子注入和UV辐照明显改变了DLC薄膜的结构与特性。  相似文献   
5.
用中子活化法相对于54Fe(n,P)54Mn反应,在13.50—14.80MeV中子能区测量了Ba(n,x)134Cs,134Ba(n,2n)133Ba,140Ce(n,2n)139Ce,142Ce(n,2n)141Ce和23Na(n,2n)22Na的反应截面.并将所测的结果和其他作者的结果进行了比较,中子能量是用90Zr(n,2n)89m+gZr反应和93Nb(n,2n)92mNb反应截面比法测定的。  相似文献   
6.
为了扩展以简谐振子为基矢的常规壳模型(SM)计算到晕核,提出了自相似结构壳模型(SSM).通过对简谐振子动能项和势能项的重度规以及单粒子平均场模拟,可以得到SSM中的单粒子轨道有态相关的圆频率,在SSM中,晕核大的均方根半径、厚的中子皮以及Borromean晕核和的束缚态性质能够再现出来。  相似文献   
7.
将稀土金属钇离子注入到n型单晶Si(111)中制备出钇硅化物埋层.利用x射线衍射、卢瑟福背散射和傅里叶红外吸收谱测量分析了样品的结构、原子的埋层分布和振动模式.结果表明,Y离子在注入过程中已与基底中的Si原子形成了YSi2结构相.真空下的红外光辐照处理促使YSi2择优取向生长,埋层中Si与Y的平均原子浓度比由24下降为20,与六方YSi2的化学计量比一致.还给出了钇硅化物的特征红外吸收谱.  相似文献   
8.
报道Ar^q Ne(q=8,9,11,12)碰撞体系中多电子转移过程,得到了多组实验测量电荷交换截面数据,讨论入射离子电荷交换截面、反冲离子产生截面与入射离子电荷态、能量以及散射离子电荷态的关系,并且将实验结果与Ar^q Ar碰撞体系进行对比研究。在修正分子库仑过垒模型的基础上,对实验现象做了合理的解释。  相似文献   
9.
利用16O重离子束轰击142Nd和147Sm同位素靶分别生成153Er和157Yb.借助氦喷嘴带传输系统和X-γ、γ-γ符合测量方法分离鉴别核素并测量其衰变性质.首次建立了153Er和157Yb的EC/β+衰变纲图.从中指认出153Ho的一个新三(准)粒子态和两个新单粒子态,指认出157Tm的一个新的同质异能态和一条新转动带.低位能级系统分析表明:在Ho和Tm这两条奇A核的同位素链中基态形状的转变区都在中子数86和88之间.  相似文献   
10.
电子束蒸发a—Si1—xGdx薄膜的光吸收   总被引:1,自引:0,他引:1  
研究了电子束蒸发的掺稀土非晶硅基薄膜材料a—Si_(1-x)Gd_x的光吸收特性。这类材料的组分变化对近红外长波吸收特性的影响灵敏,在0.1at%相似文献   
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