| 电子束蒸发制备HfO_2高k薄膜的结构特性 |
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| 引用本文： | 阎志军,王印月,徐闰,蒋最敏.电子束蒸发制备HfO_2高k薄膜的结构特性[J].物理学报,2004,53(8). |
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| 作者姓名： | 阎志军 王印月 徐闰 蒋最敏 |
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| 作者单位： | 1. 兰州大学物理系,兰州,730000
2. 复旦大学应用表面物理国家重点实验室,上海,200433 |
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| 基金项目： | 国家重点基础研究发展计划(973计划) |
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| 摘 要： | 使用高真空电子束蒸发在p型Si(1 0 0 )衬底上制备了高kHfO2 薄膜 .俄歇电子能谱证实薄膜组分符合化学配比 ;x射线衍射测量表明刚沉积的薄膜是近非晶的 ,高温退火后发生部分晶化 ;原子力显微镜和扫描电子显微镜检测显示在高温退火前后薄膜均具有相当平整的表面 ,表明薄膜具有优良的热稳定性 ;椭偏测得在 6 0 0nm处薄膜折射率为 2 0 9;电容 电压测试得到的薄膜介电常数为 1 9.这些特性表明高真空电子束蒸发是一种很有希望的制备作为栅介质的HfO2 薄膜的方法
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| 关 键 词： | 高k薄膜 HfO2 电子束蒸发 |
Structural characteristics of HfO_2 films grown by e-beam evaporation |
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| Abstract: | High k dielectric HfO 2 films were deposited on p type Si(100) substrates by e beam evaporation. The composition of the films is determined to be stoichiometric. The structure changes from almost amorphous to polycrystalline after annealing. The films have very flat surface(rms roughness less than 0 3?nm) and no voids appear even after high temperature annealing, indicating a good thermal stability. The refractive index of HfO 2 film is 2 09 (at 600?nm). The dielectric constant is 19. All the characteristics show that e beam evaporation is a good method to deposit HfO 2 thin films as dielectric. |
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| Keywords: | high k dielectric film HfO 2 e beam evaporation |
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