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金属与金刚石薄膜接触的电学特性研究
引用本文:陈光华,张兴旺,季亚英,严辉.金属与金刚石薄膜接触的电学特性研究[J].物理学报,1997,46(6):1188-1192.
作者姓名:陈光华  张兴旺  季亚英  严辉
作者单位:(1)北京工业大学应用物理系; (2)北京工业大学应用物理系;兰州大学物理系; (3)兰州大学物理系
基金项目:北京市自然科学基金资助的课题.
摘    要:用热丝辅助化学汽相沉积技术在Si衬底上合成了含少量受主型杂质的近于本征的金刚石薄膜,并研究了三种金属(Cu,Ag和Al)与它接触的电学特性,以及退火对接触特性的影响.结果表明Cu,Ag与金刚石薄膜接触的电学特性比较类似,而Al则明显不同;而且退火对它们的接触特性影响很大 关键词

关 键 词:金刚石薄膜  金属  电学特性  接触特性
收稿时间:1996-10-09

ELECTRICAL CHARACTERISTICS OF METAL CONTACTS ON DIAMOND FILMS
CHEN GUANG-HUA,ZHANG XING-WANG,JI YA-YING and YAN HUI.ELECTRICAL CHARACTERISTICS OF METAL CONTACTS ON DIAMOND FILMS[J].Acta Physica Sinica,1997,46(6):1188-1192.
Authors:CHEN GUANG-HUA  ZHANG XING-WANG  JI YA-YING and YAN HUI
Abstract:The polycrystalline diamond films were synthesized by thermal filament chemical vapor deposition technique. The electrical characteristics of contacts between metal and diamond film and the effect of annealing have been investigated. Experimental results showed that the electrical characteristics of Cu contact on diamond film is similar to that of Ag,but different from that of Al. In addition,annealing has a great effect on the contact electrical characteristics.
Keywords:
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