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1.
采用磁控溅射法在ITO玻璃上制备了CdZnTe薄膜,探究机械磨抛对CdZnTe薄膜阻变特性的影响。通过对XRD图谱、Raman光谱、AFM显微照片等实验结果分析阐明了机械磨抛影响CdZnTe薄膜阻变特性的物理机制。研究结果表明,磁控溅射制备的薄膜为闪锌矿结构,F43m空间群。机械磨抛提高了CdZnTe薄膜的结晶质量;CdZnTe薄膜粗糙度(Ra)由磨抛前的3.42 nm下降至磨抛后的1.73 nm;磨抛后CdZnTe薄膜透过率和162 cm-1处的类CdTe声子峰振动峰增强;CdZnTe薄膜的阻变开关比由磨抛前的1.2增加到磨抛后的4.9。机械磨抛提高CdZnTe薄膜质量及阻变特性的原因可能是CdZnTe薄膜在磨抛过程中发生了再结晶。 相似文献
2.
3.
Science China Mathematics - This paper studies exact synchronization and asymptotic synchronization problems for a controlled linear system of ordinary differential equations. In this paper, we... 相似文献
4.
Hu Duo-Duo Gao Qian Dai Jing-Cheng Cui Ru Li Yuan-Bo Li Yuan-Ming Zhou Xiao-Guo Bian Kang-Jie Wu Bing-Bing Zhang Kai-Fan Wang Xi-Sheng Li Yan 《中国科学:化学(英文版)》2022,65(4):753-761
Science China Chemistry - A light-induced, nickel-catalyzed three-component arylsulfonation of 1,3-enynes in the absence of photocatalyst is reported. This methodology exhibited mild conditions,... 相似文献
6.
Given a graph sequence denote by T3(Gn) the number of monochromatic triangles in a uniformly random coloring of the vertices of Gn with colors. In this paper we prove a central limit theorem (CLT) for T3(Gn) with explicit error rates, using a quantitative version of the martingale CLT. We then relate this error term to the well-known fourth-moment phenomenon, which, interestingly, holds only when the number of colors satisfies . We also show that the convergence of the fourth moment is necessary to obtain a Gaussian limit for any , which, together with the above result, implies that the fourth-moment condition characterizes the limiting normal distribution of T3(Gn), whenever . Finally, to illustrate the promise of our approach, we include an alternative proof of the CLT for the number of monochromatic edges, which provides quantitative rates for the results obtained in [7]. 相似文献
7.
In this paper,we investigate the non-autonomous Hamilton-Jacobi equation ■ where H is 1-periodic with respect to t and M is a compact Riemannian manifold without boundary.We obtain the viscosity solution denoted by T_(t_0)~tφ(x) and show T_(t_0)~tφ(x) converges uniformly to a time-periodic viscosity solution u~*(x,t) of ?_tu+H(t,x,?_xu,u)=0. 相似文献
8.
Applied Mathematics and Mechanics - A consequence of nonlinearities is a multi-harmonic response via a mono-harmonic excitation. A similar phenomenon also exists in random vibration. The power... 相似文献
9.
低维硅锗材料是制备纳米电子器件的重要候选材料,是研发高效率、低能耗和超高速新一代纳米电子器件的基础材料之一,有着潜在的应用价值。采用密度泛函紧束缚方法分别对厚度相同、宽度在0.272 nm~0.554 nm之间的硅纳米线和宽度在0.283 nm~0.567 nm之间的锗纳米线的原子排布和电荷分布进行了计算研究。硅、锗纳米线宽度的改变使原子排布,纳米线的原子间键长和键角发生明显改变。纳米线表层结构的改变对各层内的电荷分布产生重要影响。纳米线中各原子的电荷转移量与该原子在表层内的位置相关。纳米线的尺寸和表层内原子排列结构对体系的稳定性产生重要影响。 相似文献
10.
Jie Pan Yan Bao Hao Wang Fucong Lyu Lu Liu Chong Wang Xinxue Tang Jian Lu Yang Yang Li 《Particle & Particle Systems Characterization》2021,38(10):2100094
The high-entropy materials have raised much attention in recent years due to their extraordinary performances in mechanical, catalysis, energy storage fields. Herein, a new type of high-entropy hydroxides (e.g., NiFeCoMnAl(OH)x) that are amorphous and capable of broad solar absorption is reported. A facile one-pot co-precipitation method is employed to synthesize these amorphous high-entropy hydroxides (a-HEHOs) under ambient conditions. The a-HEHOs thus obtained display widely tunable bandgap (e.g., from 2.6 to 1.1 eV) due to their high-entropy and amorphous characteristics, enabling efficient light absorbance and photothermal conversion in the solar regime. Further solar water evaporation measurements show that the a-HEHOs delivered a considerable energy conversion efficiency of 55%, comparable to black titanium oxides that are synthesized using more complex and expensive methods. 相似文献