4英寸热氧化硅衬底上磁性隧道结的微制备

就如何在4英寸热氧化硅衬底上沉积高质量的磁性隧道结纳米多层薄膜材料和如何利用光刻方法微加工制备均匀性较好的磁性隧道结方面做了初步研究，并对磁性隧 道结的磁电性质及其工作特性进行了初步测量和讨论.利用现有的光刻设备和工艺条 件在4英寸热氧化硅衬底上直接制备出的磁性隧道结，其结电阻与面积的积 矢的绝对误差在10% 以内，隧穿磁电阻的绝对误差在7% 以内，样品的磁性隧道结性质具有较好的均匀性和一致性，可以满足研制磁随机存储器存储单元演示器件的基本要求. 关键词： 磁性隧道结 隧穿磁电阻 磁随机存储器 4英寸热氧化硅衬底     

具有类白钨矿结构的KGd（MoO4）2的晶体结构和能带结构

以Gd₂O₃、K₂CO₃、MoO₃为原料,采用高温熔盐法,合成了一个含钾的稀土钼酸盐KGd（MoO₄）₂。通过X射线单晶衍射法测定了它在室温下的晶体结构,并测定了它的光学性质。结构分析表明它属于三斜晶系,空间群为P1,a=0.52923（6）nm,b=0.69210（6）nm,c=1.06889（7）nm,α=75.79（8）°,β=76.79（5）°,γ=67.60（4）°,Z=2,R₁（alldata）=0.0258。结构中的K和Gd原子位于各自的晶体学位置,不存在调制结构的现象。此外,我们用得到的晶体学数据,通过密度泛函理论研究了化合物的能带结构、态密度、介电常数,其结果和实验数据相吻合。     

喹啉氧基乙酰胺型配体镉配合物的合成、晶体结构及荧光性质

合成并通过单晶衍射表征了一个配合物[CdL(H₂O)(NO₃)]NO₃·CH₃COCH₃ (1)(L=N-甲基N-苯基-2-(8-喹啉氧基)乙酰胺)。在配合物1中,金属镉离子采取扭曲的八面体配位构型。来自配体L的1个氧原子和2个氮原子,2个硝酸根的2个氧原子及配位水分子的1个氧原子与中心镉离子配位。配合物通过分子间的O-H…O氢键作用构筑成沿a轴的一维链状结构。乙腈溶液中配体L和配合物1均在390 nm有荧光发射,但配合物的荧光强度要远低于配体。     

Magnetic Tunnel Junctions with MgO／Al-O Composite Barriers

Magnetic tunnel junctions (MTJs) with structures of Ta(5 nm)/Cu(30nm)/Ta(5 nm)/Ni79Fe21 (5 nm)/Ir22Mn78 (12 nm)/Co62Fe20B18 (4 nm)/MgO(d)/Al(0.8 nm)-oxide/Co62Fe20B18 (6 nm)/Cu(30 nm)/Ta(5 nm) on a thermally oxidized Si wafer substrate were fabricated by magnetron sputtering and photolithographic patterning method. The tunnel magnetoresistance (TMR) and the bias dependence of TMR at room temperature for the MTJs with different thickness d of MgO are investigated. TMR values of over 50% as high as those of the MTJs with pure Al-O barrier and the TMR-voltage curve asymmetries, which vary with the increase of d, are observed in the MTJs with hybrid barriers after annealing at 265℃ for an hour. The dependences of TMR, resistance and coercivity of the MTJs with composite barriers on temperature are also investigated.     

非相干背景光辐照对LiNbO_3∶Fe与LiNbO_3∶Fe∶In晶体中二波耦合的控制

理论分析和实验观测了非相干背景光辐照下掺杂LiNbO3晶体中的二波耦合 ,发现非相干背景光能够在很大范围内灵活有效地控制信号光增益 ,抑制扇形效应 ,提高信噪比 ,缩短光栅的建立时间 .入射光光强比一定时 ,适当地增大背景光光强可以使光栅响应时间减小一个数量级 .尤其对于抽运光光强远大于信号光光强的情况下 ,上述作用更为明显 .     

高磁电阻磁性隧道结的几种微制备方法研究

利用金属掩模法优化了制备磁性隧道结的实验和工艺条件，金属掩模的狭缝宽度为100 μm. 采用4 nm厚的Co₇₅Fe₂₅为铁磁电极和10或08 nm厚的铝氧化物 为势垒膜， 直接制备出了室温隧穿磁电阻（TMR）为30%—48％的磁性隧道结，其结构为Ta(5 nm)/Cu(25 nm)/Ni₇₉Fe₂₁(5 nm)/Ir₂₂Mn₇₈(10 nm)/ Co₇₅Fe₂₅ (4 nm)/Al(08 nm)-O/Co₇₅Fe₂₅(4 nm)/Ni₇₉Fe ₂₁(20 nm)/Ta(5 nm).同时，利用刻槽打孔法和去胶掀离法两种光刻技术并结合Ar离子束刻蚀及化学反应刻 蚀，制备出面积在4 μm×8 μm—20 μm×40 μm、具有室温高TMR和低电阻的高质量磁性 隧道结.300 ℃ 退火前后其室温TMR可分别达到22% 和50%.研究结果表明，采用光刻中的刻 槽打孔或去胶掀离工艺方法制备的小尺寸磁性隧道结，可用于研制磁动态随机存储器和磁读 出头及其他传感器件的磁敏单元. 关键词： 磁性隧道结 隧穿磁电阻 金属掩模法 光刻法     

c向切割LiNbO_3∶Fe晶体中光折变光散射

提出了一个新的理论机理 :c向切割LiNbO3∶Fe晶体中光折变背向光散射是由光生伏特电流的不均匀性引起的 ,并经过理论计算 ,比较成功的解释了实验观察到的各种现象     

High microwave absorption performances for single-walled carbon nanotube–epoxy composites with ultra-low loadings

Microwave-absorbing polymeric composites based on single-walled carbon nanotubes(SWNTs) are fabricated via a simple yet versatile method, and these SWNT–epoxy composites exhibit very impressive microwave absorption performances in a range of 2 GHz–18 GHz. For instance, a maximum absorbing value as high as 28 dB can be achieved for each of these SWNT–epoxy composites(1.3-mm thickness) with only 1 wt% loading of SWNTs, and about 4.8 GHz bandwidth,corresponding to a microwave absorption performance higher than 10 dB, is obtained. Furthermore, such low and appropriate loadings of SWNTs also enhance the mechanical strength of the composite. It is suggested that these remarkable results are mainly attributable to the excellent intrinsic properties of SWNTs and their homogeneous dispersion state in the polymer matrix.     

酰胺型配体的镍(Ⅱ)和锌(Ⅱ)配合物的合成、晶体结构及荧光性质

合成并通过单晶衍射表征了配合物[M(nbqa)(NO3)(H2O)2]NO3(M=Ni,1;Zn,2;nbqa=N-苄基-2-(8-喹啉氧基)乙酰胺)。在配合物1和2中,金属离子采取扭曲的八面体配位构型。来自配体nbqa的1个氧原子和2个氮原子,来自硝酸根的1个氧原子及来自2个配位水分子的氧原子和中心金属离子配位。乙腈溶液中配合物2在430 nm有强荧光发射。