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1.
The response of superconducting Nb films with a diluted triangular and square array of holes to a perpendicular magnetic field are investigated.Due to small edge-to-edge separation of the holes,the patterned films are similar to multi-connected superconducting islands.Two regions in the magnetoresistance R(H) curves can be identified according to the field intervals of the resistance minima.Moreover,in between these two regions,variation of the minima spacing was observed.Our results provide strong evidence of the coexistence of interstitial vortices in the islands and fluxoids in the holes.  相似文献   
2.
Magnetic tunnel junctions (MTJs) with structures of Ta(5 nm)/Cu(30nm)/Ta(5 nm)/Ni79Fe21 (5 nm)/Ir22Mn78 (12 nm)/Co62Fe20B18 (4 nm)/MgO(d)/Al(0.8 nm)-oxide/Co62Fe20B18 (6 nm)/Cu(30 nm)/Ta(5 nm) on a thermally oxidized Si wafer substrate were fabricated by magnetron sputtering and photolithographic patterning method. The tunnel magnetoresistance (TMR) and the bias dependence of TMR at room temperature for the MTJs with different thickness d of MgO are investigated. TMR values of over 50% as high as those of the MTJs with pure Al-O barrier and the TMR-voltage curve asymmetries, which vary with the increase of d, are observed in the MTJs with hybrid barriers after annealing at 265℃ for an hour. The dependences of TMR, resistance and coercivity of the MTJs with composite barriers on temperature are also investigated.  相似文献   
3.
本文采用EAM作用势,通过平衡分子动力学(EMD)模拟的方法计算了Co熔体的自扩散系数、剪切粘度等物理性质.同时采用非平衡分子动力学(NEMD)方法计算了Co的剪切粘度.研究表明有关传输性质的计算是可与实验比较的,能够反映出液态Co典型的动力学特性.  相似文献   
4.
4英寸热氧化硅衬底上磁性隧道结的微制备   总被引:1,自引:0,他引:1       下载免费PDF全文
就如何在4英寸热氧化硅衬底上沉积高质量的磁性隧道结纳米多层薄膜材料和如何利用光刻方法微加工制备均匀性较好的磁性隧道结方面做了初步研究,并对磁性隧 道结的磁电性质及其工作特性进行了初步测量和讨论.利用现有的光刻设备和工艺条 件在4英寸热氧化硅衬底上直接制备出的磁性隧道结,其结电阻与面积的积 矢的绝对误差在10% 以内,隧穿磁电阻的绝对误差在7% 以内,样品的磁性隧道结性质具有较好的均匀性和一致性,可以满足研制磁随机存储器存储单元演示器件的基本要求. 关键词: 磁性隧道结 隧穿磁电阻 磁随机存储器 4英寸热氧化硅衬底  相似文献   
5.
王琰  韩秀峰  卢仲毅  张晓光 《物理》2007,36(3):195-198
磁性隧道结材料中自旋相关的量子阱态所导致的共振隧穿现象具有很重要的研究和应用价值,文章介绍了最近在Fe(001)/MgO/Fe/MgO/Fe双势垒磁性隧道结中存在的量子阱共振隧穿效应的理论研究工作,通过量子阱态的第一性原理的计算以及结合对中间Fe薄膜孤岛结构所导致Coulomb阻塞效应的分析,证实了最近Nozaki等人(Nozaki T et al.Phys.Rev.Lett.,2006,96:027208)实验中得到的振荡效应确实来源于中间Fe层多数自旋电子在Г点处形成的△1对称性的量子阱态.Coulomb阻塞效应的存在正是导致实验中低温下量子阱共振隧穿效应不够明显的主要原因.  相似文献   
6.
金属中自旋翻转散射长度远长于电子平均自由程,近来关于自旋翻转散射效应的研究主要集中于扩散区域.文章作者提出了一种使用双势垒磁性隧道结来研究纳米尺度结构中弹道区域的自旋翻转散射效应的新方法.这种方法可以从磁电输运性质的测量,得出中间隔离层中的自旋翻转散射效应的温度和偏压关系,进一步可以得出诸如电子平均自由程和自旋翻转散射长度等自旋散射信息,以及中间层的态密度和量子阱信息.  相似文献   
7.
正晶体管是现代半导体器件的基石,计算机芯片通过晶体管来控制其中的电子流动。为了进一步提高计算机的存储密度与运算速度,人们迫切需要发展更小尺寸的晶体管单元。如今微电子技术已经跨入10 nm的制程工艺,由于面临原子极限和量子效应等物理瓶颈,继续向下推进新的制程节点变得越来越困难。为了继续提高半导体器件的性能,研究人员正在努力寻求新的替代方案。面向后摩尔时代的信息存储与逻辑运算需求,自旋电子器件(Spintronic Device)为开发下一  相似文献   
8.
陈希  刘厚方  韩秀峰  姬扬 《物理学报》2013,62(13):137501-137501
本文详细研究了在不同氧化层和铁磁层厚度情况下, 底层CoFeB/AlOx/Ta结构和 顶层AlOx/CoFeB/Ta结构中的垂直磁各向异性. 在底层CoFeB/AlOx/Ta结构中观察到了垂直磁化的磁滞回线, 证明了其垂直易磁化效应的存在; 而在顶层AlOx/CoFeB/Ta结构中却没有观察到类似的磁滞回线. 对这种对称结构中的非对称现象进行了分析. 研究还发现不同的氧化层和铁磁层厚度均会影响层间界面相互作用的强度, 从而导致结构的垂直磁化曲线矫顽力大小发生改变. 这项研究将对基于AlOx氧化层垂直磁隧道结的研制具有重要的意义. 关键词: 垂直磁各向异性 磁隧道结 随机存储器  相似文献   
9.
近年来,自旋晶体管作为具有强大功能的未来集成电路的组成部分已得到相当多的关注.实现自旋晶体管,至关重要的是提高半导体中自旋注入和自旋检测的效率.然而,这并非容易,因为在实际中的铁磁/半导体界面存在很多问题.  相似文献   
10.
This paper obtains the room temperature ferromagnetism in Sn1 xFexO2 films fabricated by the Sol-Gel method.X-ray diffraction results show that Fe doping inhibits the growth of SnO2 and Fe3+ ions occupy the Sn sites.The measurement of resistance excludes the free carrier inducing ferromagnetism.Moreover,the temperature dependence of magnetization has been better fitted by the Curie-Weiss law and bound magnetic polaron(BMP) theory.An enhancement of ferromagnetism is achieved by annealing the samples with x = 7.1% in H2,and a decrease of oxygen flow rate.All these results prove that the BMP model depending on defects can explain ferromagnetism in diluted magnetic oxides.  相似文献   
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