首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
文章检索
  按 检索   检索词:      
出版年份:   被引次数:   他引次数: 提示:输入*表示无穷大
  收费全文   4773篇
  免费   3239篇
  国内免费   745篇
化学   886篇
晶体学   104篇
力学   266篇
综合类   103篇
数学   810篇
物理学   6588篇
  2024年   35篇
  2023年   115篇
  2022年   151篇
  2021年   155篇
  2020年   110篇
  2019年   156篇
  2018年   142篇
  2017年   147篇
  2016年   212篇
  2015年   224篇
  2014年   551篇
  2013年   380篇
  2012年   395篇
  2011年   454篇
  2010年   464篇
  2009年   521篇
  2008年   565篇
  2007年   452篇
  2006年   431篇
  2005年   426篇
  2004年   410篇
  2003年   338篇
  2002年   239篇
  2001年   214篇
  2000年   171篇
  1999年   181篇
  1998年   165篇
  1997年   169篇
  1996年   152篇
  1995年   127篇
  1994年   78篇
  1993年   61篇
  1992年   77篇
  1991年   86篇
  1990年   55篇
  1989年   56篇
  1988年   21篇
  1987年   25篇
  1986年   8篇
  1985年   14篇
  1984年   9篇
  1983年   6篇
  1982年   9篇
排序方式: 共有8757条查询结果,搜索用时 46 毫秒
991.
本文讨论了具有仿射型不确定性的广义系统稳定问题,给出了不确定广义系统的仿射二次稳定定义及仿射二次H∞性能指标定义,利用线性矩阵不等式给出了不确定广义系统的仿射二次稳定的充分条件和系统具有仿射二次H∞性能指标的充分条件。  相似文献   
992.
光参量啁啾脉冲饱和放大的增益稳定性   总被引:5,自引:5,他引:0       下载免费PDF全文
 光参量啁啾脉冲放大(OPCPA)在饱和放大区存在一个增益稳定点,据此设计了一个输出稳定的三级OPCPA系统;第一、二、三级分别选用准相位匹配的周期极化钛氧磷酸钾(PPKTP)晶体、LBO晶体和KDP晶体作为增益介质。饱和放大时,增益随泵浦光强度变化时的增益输出稳定性明显改善,在泵浦光强度抖动低于6%的情况下,各级光参量放大器OPA输出的增益抖动小于1%。前级采用准相位匹配的PPKTP晶体作为增益介质,在远低于破坏阈值的30MW/cm2的泵浦功率密度下,可得到2×105的饱和放大增益和20%的能量转换效率。  相似文献   
993.
李雪春  王友年 《物理学报》2004,53(8):2666-2669
针对等离子体浸没离子注入技术在绝缘体表面制备硅薄膜工艺,采用一维脉冲鞘层模型描述介质靶表面的充电效应对鞘层厚度、注入剂量及靶表面电位等物理量的影响.数值模拟结果表明:随着等离子体密度的增高,表面的充电效应将导致鞘层厚度变薄、表面电位下降以及注入剂量增加,而介质的厚度对鞘层特性的影响则相对较小. 关键词: 等离子体浸没离子注入 脉冲鞘层 绝缘介质 充电效应  相似文献   
994.
以铝酸镧(001)单晶为基片,采用两步法制备Tl2Ba2CaCu2Oy(Tl 2212)高 温超导薄膜.首先,利用脉冲激光沉积(PLD)工艺沉积Ba2CaCu2Ox非晶前驱体薄膜;然后,前驱体薄膜在高温(720—850℃)下密封钢容器里铊化结晶形成Tl 2212薄膜.XRD结果表明Tl2212 薄膜是沿c轴方向生长的,其相组成为Tl 2212,摇摆曲线(0012)的半高宽为0.72° ,SEM图像显示其表面光滑平整,其零电阻温度为106.2K. 关键词: Tl 2212超导薄膜 脉冲激光沉积  相似文献   
995.
激光限制结晶技术制备nc-Si/SiO2多层膜   总被引:1,自引:0,他引:1       下载免费PDF全文
在等离子体增强化学气相淀积系统中,采用aSi:H层淀积和原位等离子体氧化相结合的逐层生长技术制备了aSi:H/SiO_2多层膜.在激光诱导限制结晶原理基础上,使用KrF准分子脉冲激光为辐照源,对aSi:H/SiO_2多层膜进行辐照,使纳米级厚度的aSi:H子层晶化.Raman散射谱和电子衍射谱的结果表明,经过激光辐照后纳米Si颗粒在原始的aSi:H子层内形成,晶粒尺寸可以根据aSi:H层的厚度精确控制.还研究了样品的光致发光(PL)特性以及激光辐照能量密度对PL性质的影响. 关键词: 脉冲激光 多层膜 限制结晶  相似文献   
996.
利用爆磁压缩发生器产生高功率脉冲高电压   总被引:1,自引:1,他引:0       下载免费PDF全文
 爆磁压缩发生器产生脉冲高电压技术可以用于产生高功率微波及强电磁脉冲的实验研究。给出了利用螺旋型爆磁压缩发生器(HEMG)驱动电爆炸丝功率调节系统产生高功率脉冲高电压的实验方法和主要的结果。在利用HEMG驱动电爆炸丝断路开关(EEOS)产生脉冲高电压实验中,获得了最高电压700~800kV,功率大于20GW的脉冲输出。  相似文献   
997.
超短脉冲贝塞尔光束的非近轴效应对传输的影响   总被引:1,自引:1,他引:0       下载免费PDF全文
 对超短脉冲贝塞尔光束在近轴近似和非近轴情况下自由空间中的传输作了研究。结果表明,其空间波形在传输中保持贝塞尔形状不变,不受非近轴效应影响;然而当空间参数较大时,非近轴效应影响超短脉冲贝塞尔光束的时间波形。  相似文献   
998.
强流四脉冲电子束源实验研究   总被引:6,自引:3,他引:3       下载免费PDF全文
 为了进行强流多电子束源研究,对现有2MeV LIA 注入器进行了四脉冲改造,二极管脉冲电压约500kV。实验研究了天鹅绒阴极在四脉冲条件下的发射能力、传导电流负载效应以及阴极等离子体运动对阴极电子发射和束能量的影响。利用空间电荷限制流模型推算出阴极等离子体膨胀速率在1 ~4cm/μs之间。  相似文献   
999.
 将爆磁压缩等效为电流源的方法,对爆磁压缩发生器通过脉冲变压器对脉冲形成线充电进行了理论分析,得出爆磁压缩发生器在负载上产生电流波形(简称负载电流)为直线情况和任意电流波形情况下充电电流和充电电压的表达式。分析表明变压器耦合互感与负载电流随时间变化增长率是脉冲形成线充电的两个重要参数,脉冲形成线第一个充电电压峰值与变压器的耦合互感和负载电流波形斜率成正比,负载电流波形斜率的变化可以改变充电电压峰值的时间,斜率不断增加可以延长第一个充电电压峰值时间,从而可能增加充电电压的幅值,提高爆磁压缩发生器能量的利用效率。  相似文献   
1000.
 用2D3V PIC粒子模拟方法得到了超短脉冲超强激光与固体靶相互作用中高能离子产生的图像,并对其机理进行了研究。在靶前后表面都观察到了高能离子的产生,并诊断了离子能谱。模拟结果表明,在靶前表面所产生的高能离子,角分布较大,在向靶内输运过程中会损失能量;在靶后表面产生的高能离子,定向性很好,能获得很高的能量。模拟得到的离子能量和实验观测结果在量级上相符。  相似文献   
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号