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991.
用传统的固相反应法合成了Fe位掺杂Al的双钙钛矿型氧化物Sr2Fe1-xAlxMoO6 (x=00,005,010,015,03)多晶材料. x射线衍射和扫描电子显微分析显示,在Fe位掺杂Al既没有引入杂相,也没有明显改变Sr2FeMoO6多晶材料的晶粒尺寸和晶界状态. 非磁性Al离子的掺杂使晶粒内部磁有序区细化成更小的区域,同时使反铁磁区内的磁耦合作用变弱. 这一方面提高了亚铁磁区磁化方向的磁场灵敏度;另一方面也降低了反铁磁区对自旋相关电子的散射;两方面的共同作用使Sr2FeMoO6的低场磁电阻效应明显增强,但这种尺寸效应也使材料的磁电阻在高温下下降得更快.
关键词:
低场磁电阻
掺杂
自旋极化电子 相似文献
992.
宽温区磁致冷机工质材料的优化 总被引:2,自引:0,他引:2
评述了在室温以下的整个低温温区磁致冷机工质材料的研究进展,其中包括为扩展有效致冷温区而设计的复合铁磁材料,新近发展迅速的纳米磁致冷材料,在H2液化器中适用的稀土金属间化合物,以及纯4f族合金等。评价了各种工质材料的性能,通过对磁致冷H2液化器的Yong分析,给出了工质材料的优化判据。 相似文献
993.
La1-xTexMnO3(x=004,01)是一种具有钙钛矿结构的电子掺杂型锰氧化物.实验结果表明:在这种锰氧化物中同时存在庞磁阻(CMR)效应和低场磁电阻(LFMR)效应.在整个实验温度范围(5—300K),LFMR随温度升高而发生了如下变化:出现—消失—出现,在LFMR消失的温区又恰好能观察到明显的CMR.对其原因给予了解释.
关键词:
庞磁电阻
低场磁电阻
La-Te-Mn-O 相似文献
994.
995.
通过穆斯堡尔谱、透射电镜、x射线和磁测量等手段研究了将普通FeCrCo合金中Cr,Co元素含 量提高、并加入Mo,Zr元素后合金矫顽力的变化,发现其值76kA/m比普通值40—52kA/m高50% 以上.对该合金不同热处理阶段的穆斯堡尔谱的测试表明,合金的微观结构与普通FeCrCo合 金有显著的不同.固溶处理后合金单相性好,不产生对磁性起破坏作用的γ相;磁场热处理 过程中,发生原子的重新排布,α2相开始出现,两相结构基本确定;分级回火 后,调幅 分解进行得更彻底,合金内部完全形成调幅结构,与低矫顽力合金相比,铁磁性的α1 相更容易形成.
关键词:
穆斯堡尔谱
调幅分解
磁超精细场
同质异能移 相似文献
996.
报道了系列欠掺杂La2-xSrxCuO4(x=0063,0070,0 090,0110,0125)单晶的零场和加磁场情况下ab面和c方向的热导率与温度的关系曲线,测量 温度范围从2到45K. 研究发现ab面和c方向的热导率都受到磁场的压制. 而且在磁场 的作用下,热导压制率随温度变化的关系和场致反铁磁有序的增强与温度的依赖关系有高度 相似性. 认为磁场引起的ab面的热导压制主要是电子热导的变化所致,而c方向的 压制则可能主要来源于声子热导的变化,它们均可能与磁场诱导下欠掺杂La2-x SrxCuO4的某种电荷有序和磁有序的增强密切相关.
关键词:
热导
电荷有序
磁有序 相似文献
997.
998.
半导体纳米材料和物理 总被引:5,自引:0,他引:5
半导体纳米材料是纳米材料的一个重要组成部分,纳米结构的电子和光子器件将成为下一代微电子和光电子器件的核心。文章介绍了半导体纳米材料研究的新进展,包括四个方面:半导体自组织生长量子点,纳米晶体,微腔光子晶体和纳米结构中的自旋电子学。本世纪开始的半导体纳米材料的研究是上世纪半导体超晶格量子阱研究的延续,同时又开辟了一些新的领域,如:单电子的电子学、单光子的光子学,微腔和光子晶体,稀磁半导体和自旋电子的相干输运等,这些研究将为研制在新原理基础上的新器件和实现量子计算、量子通信打下基础。 相似文献
999.
合成了六个含氮杂环桥联配合物:[Ni(salal)_2(4,4’-bipy)]_n、[Ni(Et-dtp)_2(4,4’-bipy]_n、[Cu-(acac)_2(4,4’-bipy)]_n、[Cu(TTA)_2(pyz)]_n、[Cu(TTA)(Im)]_n和[Cu(Im)_2]_n,用元素分析、IR、MS、ESR和热重分析对它们的结构和性质作了表征.吡嗪配合物的晶体结构显示,吡嗪配位于拉伸八面体的轴向位置,桥联Cu(TTA)_2形成一维无限链状结构.变温磁化率表明,4,4’-联吡啶和吡嗪配合物的磁性遵从Curie-Weiss定律,分子内没有明显的磁交换作用.咪唑配合物中存在着较强的反铁磁性交换作用,磁交换常数分别为-75和-107cm~(-1).对4,4’-联吡啶、吡嗪和咪唑传递磁交换的性质作了讨论. 相似文献
1000.