科研为导向反哺教学的教育模式用于半导体物理课程的教学改革

半导体物理的知识点相对烦琐且内容抽象,传统的课堂教学方法已无法满足学生的需求,以科研为导向反哺教学的教育模式为半导体物理学课程教学改革提供了全新的思路。科研为导向反哺教学的教育模式注重将科研与教学有机结合,实现“教学与研究”的一体化,该模式充分利用半导体物理课程中的基础知识和新兴科研工具,旨在培养学生的主动性、独立思考能力、科研能力和创新意识。这种科研为导向反哺教学的教育模式针对半导体物理教学内容给出了具体优化措施,通过让学生参与科研实践,既能满足学生更好地理解半导体物理课程的重要概念和原理,掌握课堂知识,取得非常好的教学效果,又能够带给他们前沿知识,激发他们的学术兴趣和创新潜力,为未来从事半导体物理学领域的研究和创新打下坚实基础。     

稀土掺杂ZnS纳米晶中稀土离子与纳米基质之间的能量传递

以甲基丙烯酸为表面包覆剂在水／醇溶液中合成了ZnS:Eu^3 ,ZnS:Tb^3 纳米晶,用傅里叶变换红外光谱和X射线粉末衍射谱表征了样品的表面与晶型,样品均为立方闪锌矿型,没有出现与稀土离子相关的相;用光致发光和激发谱研究了样品中的发光过程,其中ZnS:Tb^3 纳米晶中存在纳米基质与Tb^3 之间的能量传递,并引起Tb^3 的特征发射。     

电感耦合等离子体光谱法测定高纯镓中的痕量元素

比较了乙醚和甲基异丁基酮（MIBK）两种萃取剂对高纯镓中基体与杂质的分离效果。选择MIBK作为萃取剂,将高纯镓中的基体元素镓萃入有机相,绝大多数金属杂质则留在水相中,用电感耦合等离子体发射光谱法测定了水溶液中 的14种痕量元素。方法的加标回收率为805－110％,检出限在0.001-0.075ug/mL之间。     

类金刚石薄膜碲镉汞红外器件钝化膜的研究

采用等离子增强化学气相法(PECVD)在碲镉汞(MCT)衬底上沉积出纳米团聚的类金刚石薄膜(DLC).用原子力显微镜(AFM )和侧向力显微镜(LFM)对DLC和MCT表面形貌进行表征;用俄歇电子能谱(AES)对DLC/MCT界面附近各元素含量的分布进行分析研究.结果表明:当膜厚达到25nm以上,这种DLC膜就能够有效地抑制MCT中HgTe的分解和Hg与Te的外扩散.AFM 和LFM的观察结果表明,原始MCT晶片经100℃在氮气气氛中退火30min,表面区域出现了不同与MCT的微米量级的新相,而由DLC膜保护的MCT晶片表面就没有观察到这种由分解反应引起的相变.     

[100]定向织构生长金刚石薄膜的红外光学性能研究

采用微波等离子增强化学气相沉积法在(100)镜面抛光的硅片衬底上实现了金刚石薄片[100]定向织构生长.并用扫描电子显微镜、拉曼散射和傅立叶红外光谱仪分析测试了不同工艺得到的金刚石薄片的表面形貌、组成结构和红外性能.结果表明:负偏压辅助定向成核和氢的等离子刻蚀不仅促进了金刚石薄膜的定向织构生长,而且还能刻蚀成核期的非金刚石成分.从而提高了金刚石薄片的红外光透过特性.     

半磁性半导体Zn1-xMnxSe(0.001≤x≤0.010)光学吸收双稳态开关特性的研究

本文研究了半磁性半导体Zn1-xMnxSe(0.001≤x≤0.010)的光学吸收双稳态开关特性与Mn2+浓度的关系.对于x=0.001的样品开关时间可达0.3ns.用一个光学吸收褪色模型分析解释了这个光学吸收双稳态开关时间和Mn2+浓度之间的关系.     

CdS半导体纳米微粒的复合与组装

总结了ＣｄＳ半导体纳米微粒的复合与组装,并介绍了其应用方面的研究。     

罗丹明B合锌(Ⅱ)配合物的合成、分子结构与电性质研究

合成了RB-Zn配合物,晶体结构分析结果表明配合物组成为晶体属单斜晶系、空间群为P21/n(#14),晶胞参数为a研究了配合物的物质的量电导、IR和荧光光谱,同时对配体配合物的半导体行为进行了考察．     

金刚石颗粒表面Cr金属化及薄膜间界面扩散反应的研究

运用直流磁控溅射法可在金刚石颗粒表面沉积150nm的金属Cr层.在超高真空条件下,经300-600℃的热退火处理,可促进Cr膜与金刚石基底间的界面扩散和反应.利用俄歇电子能谱研究了Cr/金刚石颗粒界面的结合状态,发现Cr与金刚石薄膜发生了强烈的界面扩散,Cr元素渗入金刚石层达90nm,并在界面上发生化学反应形成Cr的碳化物层.对界面扩散反应动力学的研究表明,Cr/金刚石界面扩散反应的表观活化能为38.4kJ/mol,界面扩散反应主要由碳的扩散过程控制.热处理温度越高,界面扩散及反应越显著,但不利于碳化物层生成的氧化反应速度也会有所增加,界面反应产物从Cr₂C₃转变为Cr₂C物种.延长热处理时间有利于金属碳化物的生成,同样导致界面反应产物从Cr₂C₃转变为Cr₂C物种.     

三维热传导型半导体问题的特征有限元方法和分析

本文研究三维热传导型半导体瞬态问题的特征有限元方法及其理论分析,其数学模型是一类非线性偏微分方程的初边值问题,对电子位势方程提出Ｇａｌｅｒｋｉｎ逼近;对电子,空穴浓度方程采用特征有限元逼近;对热传导方程采用对时间向后差分的Ｇａｌｅｒｋｉｎ逼近．应用微分方程先验估计理论和技巧得到了最优阶Ｌ＾２误差估计。