环境约束下中国地区物流业全要素生产率重估及收敛性研究

利用基于方向距离函数的Malmquist-Luenberger(ML)生产率指数方法对环境约束下中国1997-2009年30个省级地区物流业全要素生产率增长及其成分进行了重新估算,并通过技术创新者研究,分析了推动生产可能性边界外移的地区.研究发现:忽视非期望产出的传统Malmquist指数方法会低估物流业技术效率水平、高估物流业技术进步指数和全要素生产率指数.环境约束下我国物流业ML生产率指数年均增长率呈现下降趋势,下降的原因一方面是由于技术效率偏低阻碍了生产率的增长,另一方面是我国物流业技术进步的动力不足所致,物流环境技术创新主要集中于东部和西部地区个别省份,中部地区技术创新水平较低.收敛性检验表明,研究样本期内,全国以及三大地区物流业全要素生产率均存在显著的收敛趋势.     

图的邻点可区别Ⅵ-全色数和邻点可区别E-全色数

利用穷染、递推的方法讨论了路、圈、完全图、轮和扇的邻点可区别Ⅵ-全染色.并用概率方法研究了一般图的邻点可区别E-全染色,给出了图的邻点可区别E-全色数的一个上界.即δ≥7且△≥28,则有x_(at)~e(G)≤10△,其中δ是图G的最小度,△是图G的最大度.     

用图论方法研究离散事件动态系统中系统矩阵的部分参数

用图论方法和极大代数方法研究了d阶入周期系统矩阵M的性质,并证明了系统矩阵M的阶数d与有向图G(M)的最大圈长之间的关系,进一步证明了不可简约系统矩阵M为d阶周期矩阵等价于幂矩阵M~d为一阶周期矩阵,同时解决了阶数d的取值问题。     

两同型部件温贮备可修系统半离散化的研究

利用半离散的方法对两同型部件温贮备可修系统中的函数μ(x)进行离散,得到两个离散的方程,再利用算子半群的理论证明离散后方程的解收敛于原方程的解.     

《分析化学》参考文献著录格式变更说明

参考文献以引用先后顺序编号(注于正文相应处),文献作者应全部写出。作者需对文献的作者、题目、发表的刊物、年代、卷期页等核实无误,切忌转引二手文献。遇到中文文献,则会如下所示,中英分开排;期刊、专著和译著引用格式及标记     

惠更斯作图法分析双折射中e光的反常现象

在单轴晶体双折射中,e光会发生一些反常的折射现象如负折射、e光离散角、全反射现象等.与文献中普遍所采用的基于平面光波在晶体中传播的电磁理论特性求解的过程不同,本文则以更为直观的惠更斯作图法为出发点,利用几何求解,得出负反射临界角、e光离散角、全反射临界角,并加以说明和讨论.     

双频容性耦合等离子体密度径向均匀性研究

利用自主研制的全悬浮双探针, 对影响双频容性耦合等离子体径向均匀性的因素进行了研究. 发现低频功率、放电气压和放电间距对径向均匀性有明显影响. 合适的低频功率、放电气压及较大的极板间距可以得到更均匀的等离子体. 采用与实验相同的放电参数, 利用改进的二维流体模型进行理论模拟, 得到了不同极板间距下径向离子密度分布, 并和实验测量结果进行了比较, 两者的变化趋势基本符合. 关键词： 双频容性耦合等离子体 径向均匀性 全悬浮双探针 二维流体模型     

十字形银纳米结构的表面等离子体光子学性质

本文应用离散偶极子近似方法计算了十字形银纳米结构的消光光谱及其近场电场强度分布. 研究表明相比于单根纳米棒, 十字形纳米结构能够提供更强的表面电场; 由于相邻凸起间的电场耦合作用, 当入射光的偏振方向改变时, 在十字形纳米结构的侧表面总能激发出较强的电场.另外, 本文还系统地研究了十字形纳米结构的形貌参数对其表面等离子体共振峰的影响. 这些结果将会指导十字形纳米结构的制备, 以满足其在表面增强拉曼散射中的应用.     

光诱导准一维光子晶格中离散空间光孤子的相互作用

基于分步束传播法数值分析了离散空间光孤子在准一维光诱 导光子晶格中的相干与非相干相互作用过程. 结果表明: 对于相干孤子, 同相时相互吸引, 反相时相互排斥. 然而, 由于非线性响应的各向异性, 横向排布的非相干孤子会因间隔波导数目的增加而由相互吸引变为相互排斥. 并且, 沿对角方向排布的两个非相干孤子在孤子相 互作用力和布拉格反射的共同影响下, 会呈现出"钟摆式"振荡传输现象. 研究结果有助于进一步理解非线性各向异性对离散孤子相互作用的影响机制, 并为后续实验研究提供理论参考.     

一种数字控制单相全桥逆变电路运动行为分析方法研究

考虑到数字控制单相全桥逆变电路PWM调制方法和滤波器、负载结构的多样性, 以及利用状态转移矩阵对系统运动行为分析方法的局限性. 通过解析表达状态转移矩阵中的元素, 本文提出了一种可以解析描述具有N个状态变量、一个开关周期内M次拓扑 变化的数字控制单相全桥逆变电路(简称N-M数字控制单相全桥逆变电路)系统参数 与运动行为关系的分析方法. 以3-3数字控制单相全桥电压逆变电路为例对上述分析方法进行了验证, 推导出了该三阶电路发生Hopf分岔的解析判别式、稳定范围及Hopf分岔振荡频率的解析表达式, 并通过Simulink仿真及电路实验证明了理论分析的正确性.