平面波经小圆环衍射轴上光强特性分析

从标量衍射理论出发,采用瑞利-索末菲衍射边界条件,通过求解第一类瑞利-索末菲衍射积分得到平面波经圆环衍射后轴上的波函数,进而分析轴上的光强特性以及光强极值数量、位置和大小与衍射圆环内外孔径的关系.比较用传统的光强定义和精确定义得到的光强公式的偏差,以及偏差与内外半径的关系.并将圆环衍射向内半径为零和外半径为无穷大两个方向进行推广,即对圆孔和圆形障碍物两种情况下的衍射情况进行讨论.     

Laplacian第一特征值整体曲率Pinching的一个结果

紧致流形上Laplacian的第一特征值的下界估计一直以来是人们非常感兴趣的问题之一.本文在整体曲率Pinching较小的条件之下考虑这个问题,得到了相应几何条件之下的Laplacian第一特征值的一个下界估计.     

谈热机的效率

本文结合工程实际，通过分析正向斯特林回热循环，指出：热机鼓率定义式中的Q。应是在一个循环中实际付出代价的外界热源向工质提供的热量，而不宜笼统地说成是在一个循环中工质全部吸收热量的总和．     

一道热力学习题的多种解法

对一道典型的热力学求证题提供多种解法，从而加深对热力学定律的理解和应用。     

第一过渡族自由离子光谱与最优化3d电子径向波函数

通过对第一过渡族自由离子光谱参数实验值的线性分析和计算，得到了具有系统性和规律性的最优化３ｄ电子径向波函数。并用最优化３ｄ电子径向波函数计算了自由离子光谱，理论计算与实验进行了比较。     

一个探索型实验的设计

大学物理实验中的夫兰克-赫兹实验是以验证实验型出现的.用计算机自动控制的智能夫兰克-赫兹实验仪来做此实验时,尝试着将一个验证型实验改为一个探索型实验,并适当加深思考题的难度,达到进一步扩大学生知识面的目的.     

Band Structures of Metal-Oxide Capped Graphene： A First Principles Study

We perform a first-principles calculation based on density functional theory to investigate the interface between single layer graphene and metal oxides. Our study reveals that the monolayer graphene becomes semiconducting by single crystal SiO2 and Al2O3 contact, with energy gaps to - 0.9 and - 1.8 eV, respectively. We find the gap originates from the breakage of π bond integrity, whose extent is related to the interface atom configuration. We believe that our results highlight a promising direction for the feasibility to apply large scale graphene layers as building blocks in future electronics devices.     

Surface Structure and Electronic Property of InP（001）-（2×1）S Surface： A First-Principles Study

The surface structure and electronic property of InP（001）-（2 ×1）S surface under S-rich condition are investigated based on first-principles simulations. The analyses of phase transition show that the 3B model is the most stable structure and the S-S dimer is difficult to form. The geometry of the 3B structure agrees well with the experiments. It is also found that the 3B structure has a good passivation with a band gap of about 1.24eV. The results indicate that the 3B structure is the best candidate for the sulfur-rich InP（001）（2 × 1）A phase.     

MoSi_2(001)表面的氧吸附行为

运用第一原理密度泛函理论方法,首先计算了MoSi_2各清洁表面的表面能,(001)Si-|-Si断面具有较低的表面能,是MoSi_2最可能的解理面;通过生成能及键布居分析研究了单氧原子、双氧原子及氧分子在(001)Si-|-Si断面的吸附行为,发现单氧原子在空位处吸附最稳定,此时O极易与Si结合,得到的Si-O-Si键长及键角与SiO_2的非常接近,表明低浓度下O极易与表面的Si结合生成SiO_2;双氧原子发生空位+顶位吸附时O原子除与Si有强作用外,可与Mo有一定相互作用;氧分子以平行的方式接近空位最有利于吸附,此时氧分子最易分解为氧原子,发生氧原子在空位的吸附.     

求一阶数值微分的L-广义解方法cTSVD

<正>1引言数值微分也就是给定一个函数在一个区间或某些离散点上的扰动数据来求函数的导数,它产生于很多实际问题当中,比如,图象处理中的边界识别问题;Abel积分方程的求解问题;化学中波谱的波峰识别问题.以及一些数学物理反问题当中.数值微