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81.
El3ctronic properties, surface chemistry and surface morphology of plasma-treated n-Al0.4Ga0.6N material are studied by electrical contact measurements, atomic force microscopy and x-ray photoemission spectroscopy. Although excessive etching can cause the surface roughness to significantly increase, the nitrogen vacancies VN produced by the excessive etching can be compensated for by the negative effects of the rougher surface. Thus, VN produced by excessive etching plays a key role in Ohmic contact of high-A1 content AIGaN and it can reduce Ohmic contact resistance. The effect of rapid thermal annealing on the performance of n-Al0.4Ga0.6N can significantly reduce the etching damage caused by excessive etching. 相似文献
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83.
84.
根据 2 - (2 -喹啉偶氮 ) - 1,5 -苯二酚 (QADHB)与钴的显色反应及 C18固相萃取小柱对显色络合物的固相萃取 ,建立了一种测定生物样品中痕量钴的新方法。在 p H=4 .0的 HAc- Na Ac缓冲介质中 ,溴化十六烷基三甲基铵 (CTMAB)存在下 ,QADHB与钴反应生成 2∶ 1稳定络合物 ,该络合物可用 C18固相萃取小柱富集 ,小柱上富集的络合物用乙醇 (内含 2 %乙酸 )洗脱后用光度法测定 ,络合物最大吸收波长为5 80 nm,钴含量在 0— 0 .8μg/m L范围内符合比耳定律 ,摩尔吸光系数 ε=5 .6× 10 4L· mol-1·cm-1。本方法用于几种生物样品的分析 ,结果令人满意。 相似文献
85.
86.
4-(2-羟基-4-硝基苯偶氮)-1-苯基-3-甲基吡唑啉酮光度法测定烟草中镁 总被引:2,自引:0,他引:2
研究了 4 - (2 -羟基 - 4-硝基苯偶氮 ) - 1-苯基 - 3-甲基吡唑啉酮 (HNAPMP)与镁的显色反应 ,在 p H=10的硼砂 -氢氧化钠缓冲介质中 ,HNAPMP与镁反应生成 2∶ 1稳定络合物 ,λmax=5 2 2 nm,ε=3.5 8× 10 4L·mol-1· cm-1。镁含量在 0— 2 0 μg/2 5 m L范围内符合比耳定律 ,方法用于烟草样品中镁含量的测定 ,结果令人满意 相似文献
87.
研究了黑曲霉Aspergillus niger ZJUT712菌株固态发酵和水煮工艺相耦合炮制牛蒡子. 结果表明,该工艺提高了牛蒡子中有效成分牛蒡子苷元的含量,从而有利于促进牛蒡子摄入体内迅速起效. 最佳固态发酵炮制条件为: 0.5 g牛蒡子粉、 3 g麸皮、 2 g甘蔗渣、 0.3 g蛋白胨和10 ml Mandels营养液,固液比1∶3.6 g/ml, 初始pH 5.6, 30 ℃发酵 7 d. 牛蒡子苷元产率随底物初始浓度的增加而降低. A.niger ZJUT712转化0.174 mmol/L牛蒡子苷的产率可达93.0%. 7 d时间内A.niger ZJUT712水解牛蒡子苷的过程符合Monod方程,反应动力学常数为Vm=0.083 7 mmol/(L·d), Km=0.16 mmol/L. 相似文献
88.
开放实验室教学模式的实践与思考 总被引:7,自引:0,他引:7
山东大学化学与化工学院开放实验室自2003年5月份开始向二、三年级本科生进行全天候开放。由本科生自主组成课题组,经院专家组筛选后进入开放实验室。目前这种教学模式已经纳入正常教学工作,对学生的培养已经产生和正在产生着较大的影响。 相似文献
89.
Low power fluorine plasma effects on electrical reliability of AlGaN/GaN high electron mobility transistor 下载免费PDF全文
The new electrical degradation phenomenon of the AlGaN/GaN high electron mobility transistor(HEMT) treated by low power fluorine plasma is discovered. The saturated current, on-resistance, threshold voltage, gate leakage and breakdown voltage show that each experiences a significant change in a short time stress, and then keeps unchangeable. The migration phenomenon of fluorine ions is further validated by the electron redistribution and breakdown voltage enhancement after off-state stress. These results suggest that the low power fluorine implant ion stays in an unstable state. It causes the electrical properties of AlGaN/GaN HEMT to present early degradation. A new migration and degradation mechanism of the low power fluorine implant ion under the off-stress electrical stress is proposed. The low power fluorine ions would drift at the beginning of the off-state stress, and then accumulate between gate and drain nearby the gate side. Due to the strong electronegativity of fluorine, the accumulation of the front fluorine ions would prevent the subsequent fluorine ions from drifting, thereby alleviating further the degradation of AlGaN/GaN HEMT electrical properties. 相似文献
90.
针对大尺寸物体形貌测量应用,设计一种视觉形貌测量新方法。该方法是将两套没有公共视场的单目视觉传感器组合起来联合交汇,分别用于位姿测量和单目多位置交汇测量。位姿测量通过求解PnP问题为单目多位置交汇测量提供位姿信息。单目多位置交汇测量利用位姿测量提供的辅助信息通过光束平差解算出待测物的形貌。分析了系统原理,给出位姿测量PnP算法实现过程,介绍了非公共视场相机的标定方法原理,分析了单目多位置交汇测量的原理并给出实现方法。最后进行了测量方法的验证实验,实验结果表明,在3 m×3 m的工作范围内系统测量精度为5 mm,证明该方法可以用于大尺寸物体形貌测量,且结构简单轻便,具有很强的灵活性。 相似文献