Ge/Si heterojunction L-shape tunnel field-effect transistors with hetero-gate-dielectric

A Ge/Si heterojunction L-shaped tunnel field-effect transistor combined with hetero-gate-dielectric(GHL-TFET) is proposed and investigated by TCAD simulation. Current–voltage characteristics, energy-band diagrams, and the distribution of the band-to-band tunneling(BTBT) generation rate of GHL-TFET are analyzed. In addition, the effect of the vertical channel width on the ON-current is studied and the thickness of the gate dielectric is optimized for better suppression of ambipolar current. Moreover, analog/RF figure-of-merits of GHL-TFET are also investigated in terms of the cut-off frequency and gain bandwidth production. Simulation results indicate that the ON-current of GHL-TFET is increased by about three orders of magnitude compared with that of the conventional L-shaped TFET. Besides, the introduction of the hetero-gate-dielectric not only suppresses the ambipolar current effectively but also improves the analog/RF performance drastically. It is demonstrated that the maximum cut-off frequency of GHL-TFET is about 160 GHz, which is 20 times higher than that of the conventional L-shaped TFET.     

真空下激光烧蚀碳化钨铜多组分等离子体发射光谱的时空演化研究

激光诱导击穿光谱技术目前已用于国内大科学装置EAST托卡马克壁诊断。在真空环境下,如何提升LIBS定量分析准确性是其进一步发展的瓶颈问题之一。在真空中,激光诱导等离子体具有高度时空非均匀性,对等离子体时空演化行为的研究,理解各个物种的演化规律,是进一步改进LIBS定量分析准确性的重要内容。针对托卡马克第一壁和偏滤器的材料相关的不同元素,该工作在真空环境下利用波长为1 064 nm、脉宽5 ns、功率密度6.3 GW·cm^-2的脉冲激光对三元合金-碳化钨铜((WC)₇₀Cu₃₀)进行烧蚀产生多组分等离子体,使用线性阵列光纤实现了对发射光谱的时空分辨测量。以三种元素CⅠ833.51 nm, CⅡ657.81 nm, CuⅠ515.32 nm, CuⅡ512.45 nm, WⅠ429.46 nm, WⅡ434.81 nm六条谱线为研究对象,研究了激光烧蚀等离子体不同辐射机制的时间尺度以及多组分等离子体在扩张过程中发生的元素“空间分离”现象和“离子加速”现象。根据连续背景和六条谱线的时间演化规律,观察到连续辐射主要发生在等离子体...     

利斯的明消旋体的高效实用合成

利斯的明作为氨基甲酸酯类乙酰胆碱酯酶抑制剂在60多个国家被批准用于治疗老年痴呆症,是临床最重要的治疗药物之一.从3-乙基苯酚出发,以3步反应高效实用地合成了利斯的明消旋体.关键步骤是以NBS为试剂的N-甲基-N-乙基胺基甲酸-3-乙基苯酯的苄位溴代反应.目标分子能够以71%的总产率得到,并且整个实验不需要传统的柱层析或者重结晶分离.整个合成包括酯化、苄位溴代和取代3种反应.     

基于第一性原理的Gd掺杂ZnO电子结构与吸收光谱研究

采用密度泛函理论下的平面波赝势方法,建立了未掺杂ZnO和两种Gd掺杂浓度的ZnO模型.结构优化后,对各个模型的电子结构、态密度及吸收光谱进行了计算,其中Gd掺杂模型分别采用电子自旋极化与电子非自旋极化两种处理方式.结果表明:电子非自旋极化条件下,Gd掺杂在ZnO禁带中引入杂质能级,ZnO带隙变宽,导致相应的吸收光谱发生蓝移;考虑电子自旋极化时,Gd掺杂后的体系具有铁磁性,自旋电子在无序磁畴贡献的局部磁场内发生自旋能级分裂,使得带隙变窄,相应吸收光谱发生红移.     

线偏振、圆偏振和椭圆偏振的飞秒激光诱导熔融石英损伤(英文)

基于电子分布函数的等离子体模型被广泛应用于熔融石英上飞秒激光诱导损伤过程的研究.在本研究中,等离子体模型被修正以研究不同的偏振状态的损伤过程,包括线偏振、圆偏振和椭圆偏振等.首先,使用扩展的Keldysh理论拟合得到不同偏振下的多光子电离截面.其次,为消除沉积能量梯度对模拟过程的影响,对介电函数进行了"非局部化处理".模拟结果表明:不同偏振下光子电离过程的差异是导致损伤过程差异的主要原因,而材料光学特性的改变导致的负反馈效应会使得该差异减小.修正等离子体模型预测的不同偏振下损伤阈值与实验结果吻合良好.     

Sm-N共掺杂对锐钛矿相TiO2的电子结构和吸收光谱影响的第一性原理研究

采用基于密度泛函理论框架下的第一性原理平面波超软赝势方法, 建立了N, Sm分别单掺杂以及Sm-N共掺杂的锐钛矿TiO₂超胞模型, 对其态密度、能带结构和吸收光谱进行了计算. 结果表明: N单掺杂的锐钛矿TiO₂的红移效果最强, 但Sm-N共掺杂锐钛矿TiO₂的载流子寿命更长, 且共掺杂形成的体系更加稳定.     

Analytical model including the fringing-induced barrier lowering effect for a dual-material surrounding-gate MOSFET with a high-k gate dielectric

By solving Poisson＇s equation in both semiconductor and gate insulator regions in the cylindrical coordinates, an analytical model for a dual-material surrounding-gate （DMSG） metal-oxide semiconductor field-effect transistor （MOSFET） with a high-k gate dielectric has been developed. Using the derived model, the influences of fringing-induced barrier lowering （FIBL） on surface potential, subthreshold current, DIBL, and subthreshold swing are investigated. It is found that for the same equivalent oxide thickness, the gate insulator with high-k dielectric degrades the short-channel performance of the DMSG MOSFET. The accuracy of the analytical model is verified by the good agreement of its results with that obtained from the ISE three-dimensional numerical device simulator.     

高分子键联金属钌(Ⅱ)和锇(Ⅱ)卟啉的合成

５－（对羟基苯基）－１０，１５，２０－三（对甲氧基苯基）卟啉（Ｈ２Ｐｏｒ）在氮气流下分别与十二羰基三钌［Ｒｕ３（ＣＯ）１２］，十二羰基三锇［Ｏｓ３（ＣＯ）１２］作用得到钌（Ⅱ）、锇（Ⅱ）羰基卟啉配合物［Ｒｕ（Ｏｓ）（Ｐｏｒ）（ＣＯ）（ＭｅＯＨ）］（２和３）．２和３分别与氯甲基化聚苯乙烯反应，得到载有高分子链的钌（Ⅱ）、锇（Ⅱ）羰基卟啉配合物４和５．新的金属配合物经ＩＲ，ＵＶ－Ｖｉｓ，１ＨＮＭＲ光谱和元素分析得到证实．     

痂囊腔菌素A的生物合成和光化学反应研究

报道了从中国云南西部山区筛选到一株丝状真菌Ascomyceters Hypocreaceae Hypomyces (Fr.) Ful SP.，并在实验室成功地进行培养. 这株真菌代谢产物的化学组分是痂囊腔菌A（EA），并经紫外光谱、元素分析、MS、¹H NMR、¹³C NMR和X-衍射鉴定. 在适当的条件下将痂囊腔菌素A（EA）氯仿溶液和二苄胺（DBA）氯仿溶液混合. 用可见光照射混合液，在Varian E-115ESR仪上可以得到强吸收. 得到的数据表明，EA可以诱导DBA转变成氧氮自由基.     

生物-光度法检测抗氧化剂抗氧化活性

建立了一种测定抗氧化剂抗氧化活性的方法,简称为生物-光度法。考察了吸收光谱、细胞液体积、抗氧化剂和自由基产生体系(混合液)与细胞作用的时间、MTT(四甲基偶氮唑盐)与细胞作用时间等因子对测定结果的影响。实验确定的参数为:2×105mL-1的细胞液100μL、混合液与细胞作用时间15 min,20μL 5 mg/mL MTT与细胞作用时间4 h,测定波长为572 nm。并用该方法测定了葡萄籽提取物等的抗氧化活性。