求解双材料裂纹结构全域应力场的扩展边界元法

在线弹性理论中,复合材料裂纹尖端具有多重应力奇异性,常规数值方法不易求解.该文建立的扩展边界元法(XBEM)对围绕尖端区域位移函数采用自尖端径向距离r的渐近级数展开式表达,其幅值系数作为基本未知量,而尖端外部区域采用常规边界元法离散方程.两方程联立求解可获得裂纹结构完整的位移和应力场.对两相材料裂纹结构尖端的两个材料域分别采用合理的应力特征对,然后对其进行计算,通过计算结果的对比分析,表明了扩展边界元法求解两相材料裂纹结构全域应力场的准确性和有效性.     

Koch曲线的Hausdorff测度上界的研究

研究了 Koch曲线的Hausdorff测度的上界估计,通过在Koch曲线上构造分形级更高的新覆盖,得到新覆盖与Koch曲线的交集对应的连通弧,并利用相关定理计算出了 Koch曲线的Hausdorff测度,得到了更好的上界估计值Hs(K)≤0.58764947.这是迄今所知的Koch曲线的Hausdorff测度的最好上界.进一步的分析得出:Koch曲线的Hausdorff测度的精确上界在0.58764946至0.58764947之间.     

非水解溶胶-凝胶法制备硅酸锆薄膜及抗碱腐蚀性能

以正丙醇锆和正硅酸乙酯分别为锆源和硅源,结合非水解溶胶-凝胶法和提拉镀膜工艺制备出硅酸锆(ZrSiO4)薄膜.采用XRD、FTIR、SEM、AFM等分析测试手段研究了前驱体浓度、提拉速度对ZrSiO4合成、ZrSiO4薄膜形貌及显微结构的影响,并研究薄膜的抗碱液腐蚀性能.结果表明:当前驱体浓度为0.1 mol/L、提拉速度为1 mm/s时可以在单晶硅片获得表面光滑、平整致密、无开裂的ZrSiO4薄膜.镀有ZrSiO4薄膜的单晶硅片在浓度为40;NaOH溶液中40℃条件下浸泡42 h,表面只发现有较小的坑蚀,且质量随腐蚀时间延长变化很小,质量损失仅为0.17;,表明该ZrSiO4薄膜具有较好的抗碱液腐蚀性能.     

Li~+对硅酸盐玻璃中Yb~(3+)、Tm~(3+)上转换效率的影响

利用高温熔融法制备了不同Li~+含量的掺杂Yb~(3+)、Tm~(3+)的硅酸盐玻璃样品,玻璃样品在980 nm半导体激光器的泵浦下能够产生477 nm的蓝光和654 nm的红光。由上转换的荧光强度和泵浦功率的双对数拟合直线得到,添加Li~+能够增加上转换过程中Tm~(3+)向上跃迁的几率,Tm~(3+)的3F2和1G4能级的粒子数布居增加,从而提高辐射跃迁的几率。红外光谱和拉曼光谱表明Li~+的添加对玻璃基质的声子能量影响不大,却使得声子态密度减小,使上转换效率提高,从而提高Yb~(3+)、Tm~(3+)在硅酸盐玻璃中的发光强度。     

毛细管电泳-电致化学发光法测定兔血浆中的羟考酮

基于稀土Eu(Ⅲ)掺杂的类普鲁士蓝膜修饰的铂电极为工作电极,建立了测定羟考酮的毛细管电泳-电致化学发光分析方法。考察了检测电位、运行缓冲溶液的酸度及浓度、分离电压、进样条件等对电泳分离效果及检测灵敏度的影响。在最佳的实验条件下,羟考酮可在4 min内得到分离,其ECL强度值与羟考酮的质量浓度在7.0×10-2～7.0μg/mL和7.0～70.0μg/mL范围内呈良好的线性关系,检出限为4.2×10-2μg/mL(3σ),峰高和迁移时间的相对偏差分别为3.6%和0.48%(n=6)。方法用于兔血浆中羟考酮含量的检测,加标回收率在99.7%～101.0%之间。     

Analytical model including the fringing-induced barrier lowering effect for a dual-material surrounding-gate MOSFET with a high-κ gate dielectric

By solving Poisson’s equation in both semiconductor and gate insulator regions in the cylindrical coordinates, an analytical model for a dual-material surrounding-gate (DMSG) metal–oxide semiconductor field-effect transistor (MOSFET) with a high-κ gate dielectric has been developed. Using the derived model, the influences of fringing-induced barrier lowering (FIBL) on surface potential, subthreshold current, DIBL, and subthreshold swing are investigated. It is found that for the same equivalent oxide thickness, the gate insulator with high-κ dielectric degrades the short-channel performance of the DMSG MOSFET. The accuracy of the analytical model is verified by the good agreement of its results with that obtained from the ISE three-dimensional numerical device simulator.     

Mg,O共掺杂实现p型AlN的第一性原理研究

采用密度泛函理论下的第一性原理平面波超软赝势方法研究了纤锌矿本征AlN,Mg单掺杂AlN和Mg,O共掺杂AlN体系的晶格参数、能带结构、电子态密度、差分电荷密度及电子布居数.计算结果显示:在Mg,O共掺杂AlN体系中,激活施主O原子的引入能使受主能级降低,形成浅受主掺杂.同时,体系的非局域化特征显著,受主能带变宽.因而提高了Mg原子的受主掺杂浓度和系统的稳定性.Mg,O共掺杂更有利于制备p型AlN.     

增光子二模纠缠相干态的纠缠特性及其通过腔量子电动力学的制备

分析了增光子二模纠缠相干态的纠缠特性,得到共生纠缠度的解析表示式.结果表明:增光子二模纠缠相干态的共生纠缠度与叠加态的相位有非常灵敏的关系.提出了一种制备增光子相干态和增光子二模纠缠相干态的方法,其制备过程为首先把增光子相干态转化为相干态与真空态一种特殊的叠加态(叠加系数与相干态振幅有关),再通过位于高Q腔内的原子与经典激光场的相互作用,从而实现增光子相干态的制备.通过一个飞行原子先后与两个光腔中光场相互作用可以实现增光子二模纠缠相干态的制备.     

非对称HALO掺杂栅交叠轻掺杂漏围栅MOSFET的解析模型

为抑制短沟道效应和热载流子效应, 提出了一种非对称HALO掺杂栅交叠轻掺杂漏围栅MOSFET新结构. 通过在圆柱坐标系中精确求解三段连续的泊松方程, 推导出新结构的沟道静电势、阈值电压以及亚阈值电流的解析模型. 结果表明, 新结构可有效抑制短沟道效应和热载流子效应, 并具有较小的关态电流. 此外, 分析还表明栅交叠区的掺杂浓度对器件的亚阈值电流几乎没有影响, 而栅电极功函数对亚阈值电流的影响较大. 解析模型结果和三维数值仿真工具ISE所得结果高度符合.     

核药物发展小记

简要回顾了20世纪70年代以来核药物领域发展的主要成就,并对目前在临床上应用最为广泛的核药物探针[18F]FDG作了重点介绍。[18F]FDG的发展可追溯至20世纪20年代,历经半个世纪终于成功应用于临床,在肿瘤、神经退行性疾病、心血管疾病的诊断中发挥了巨大作用。除此以外,本文也介绍了多肽类及蛋白类核药物的最新进展。在梳理核药物发展脉络的同时,本文也借此机会向读者介绍了几位为核药物发展做出巨大贡献的科学家,并作为晚辈向其致以崇高的敬意。最终,笔者希望向读者阐明核药物研究立足基础研究、面向临床问题的学科特色,也希望读者能通过对经典核药物发展脉络的了解,对自身的科学研究有所启发。