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71.
首先在层双保序算子空间中引进了两种(ω_α,υ_α)-仿紧性,证明了它们都是好的推广.其次,给出了它们的若干刻画与性质,并指出了它们保持若干拓扑不变性质.最后,讨论了(ω_α,υ_α)-仿紧性、(ω_α,υ_α)-分离性以及(ω_α,υ_α)-紧性之间的关系.  相似文献   
72.
Dramatic capacity fading and poor rate performance are two main obstacles that severely hamper the widespread application of the Si anode owing to its large volume variation during cycling and low intrinsic electrical conductivity.To mitigate these issues,free-standing N-doped porous carbon nanofibers sheathed pumpkin-like Si/C composites(Si/C-ZIF-8/CNFs)are designed and synthesized by electrospinning and carbonization methods,which present greatly enhanced electrochemical properties for lithium-ion battery anodes.This particular structure alleviates the volume variation,promotes the formation of stable solid electrolyte interphase(SEI)film,and improves the electrical conductivity.As a result,the as-obtained free-standing Si/C-ZIF-8/CNFs electrode delivers a high reversible capacity of 945.5 mAh g-1 at 0.2 A g-1 with a capacity retention of 64% for 150 cycles,and exhibits a reversible capacity of 538.6 mA h g-1 at 0.5 A g-1 over 500 cycles.Moreover,the full cell composed of a freestanding Si/C-ZIF-8/CNFs anode and commercial LiNi1/3Co1/3Mn1/3O2(NCM)cathode shows a capacity of 63.4 mA h g-1 after 100 cycles at 0.2 C,which corresponds to a capacity retention of 60%.This rational design could provide a new path for the development of high-performance Si-based anodes.  相似文献   
73.
利用热丝化学气相沉积法(HFCVD)在碳化硅基底上制备金刚石薄膜,采用场发射扫描电子显微镜、拉曼光谱仪、原子力显微镜研究了在不同甲烷浓度条件下制备的金刚石薄膜表面形貌及物相组成,在干摩擦条件下通过往复式摩擦磨损实验测试并计算了已制备金刚石薄膜的摩擦系数和磨损率,结合物相分析及摩擦磨损实验结果分析了甲烷浓度的改变对金刚石薄膜摩擦磨损性能的影响。结果表明,由于甲烷气体含量的升高,金刚石薄膜结晶质量下降,薄膜由微米晶向纳米晶转变。摩擦磨损实验结果显示:3%甲烷浓度条件下制备的金刚石薄膜耐磨性较好,磨损率为2.2×10-7 mm3/mN;5%甲烷浓度条件下制备的金刚石薄膜摩擦系数最低(0.032),磨损率为5.7×10-7 mm3/mN,制备的金刚石薄膜的耐磨损性能相比于碳化硅基底(磨损率为9.89×10-5 mm3/mN)提升了两个数量级,显著提高了碳化硅基底的耐磨性。  相似文献   
74.
采用双光路双靶材脉冲激光沉积(PLD)系统在p-Si衬底上外延生长InGaN薄膜,研究了InGaN薄膜的显微组织结构和n-InGaN/p-Si异质结的电学性能。研究表明,InGaN薄膜为单晶结构,沿[0001]方向择优生长,薄膜表面光滑致密,In的原子含量为35%。霍尔(Hall)效应测试表明In0.35Ga0.65N薄膜呈n型半导体特性,具有高的载流子浓度和迁移率及低的电阻率。I-V曲线分析表明In0.35Ga0.65N/p-Si异质结具有良好的整流特性,在±4 V时的整流比为25,开路电压为1.32 V。In0.35Ga0.65N/p-Si异质结中存在热辅助载流子隧穿和复合隧穿两种电流传输机制。经拟合,得到异质结的反向饱和电流为1.05×10-8 A,势垒高度为0.86 eV,理想因子为6.87。  相似文献   
75.
采用KH-570硅烷偶联剂在酸性条件下对微硅粉(SF)表面进行了改性,通过控制改性时间和改性剂用量确定了最佳工艺参数,并对改性前后的微硅粉进行了表征,同时测定接枝改性样品表面的羟基数和吸油值,分析其改性效果.结果表明:改性后的微硅粉(KH570-SF)吸油值明显降低,表面羟基数急剧减少,KH-570硅烷偶联剂分子成功的以化学键的形式接枝在微硅粉表面,微硅粉团聚现象减少,分散性得到改善,同时对硅烷偶联剂改性微硅粉机理进行了探讨,结合热重和红外光谱分析表明,KH-570硅烷偶联剂主要通过与微硅粉颗粒表面的-OH形成氢键缔合而吸附到微硅粉颗粒表面上.  相似文献   
76.
本文提出了对于手性药物普萘洛尔手性识别和手性分析的新方法。 该方法引用基于氧化石墨烯的指数富集配体系统进化筛选技术(GO-SELEX),经过10轮优化筛选出对心血管药物普萘洛尔有高度亲和力的特效适配体。 然后通过共振瑞利散射光谱法(RRS)对反应体系进行特效性检测,实验表明S-普萘洛尔和R-普萘洛尔有迥然不同的光谱差异,S-普萘洛尔与特效适配体结合后的RRS显著增强,而R-普萘洛尔与适配体结合后的RRS几乎没有变化。 据此可以对心血管药物手性普萘洛尔进行有效的手性识别。 在考察反应体系和实验条件的基础上,可对S-普萘洛尔进行实验检测,同时对外消旋体中的R-普萘洛尔进行计算分析。 实验对S-普萘洛尔的线性范围为5~275 nmol/L,检测限为0.5 nmol/L。 方法应用于外消旋药片的分析检测,结果令人满意。 实验表明,RRS检测特效适配体结合的手性靶标体系会彰显不同的光谱差异,从而可对手性对映体进行手性识别,尤其是可利用其光谱差异实现同时测定的手性分析,方法可在特殊情形下不经分离而同时测定手性对映体,具有推广应用价值。  相似文献   
77.
柠檬果茶中游离态和键合态挥发性成分分析   总被引:1,自引:0,他引:1  
以柠檬果茶为研究对象,建立了顶空固相微萃取前处理结合气相色谱质谱联用技术测定其中挥发性化合物的分析方法。采用开水冲泡对样品进行提取,通过Amberlite XAD-2大孔吸附树脂对柠檬果茶中的糖苷类挥发性组分键合,分离游离态和键合态化合物,甲醇溶剂作为洗脱剂对键合态化合物进行洗脱,Almondsβ-D-葡萄糖苷酶对其酶解。使用气质联用对样品中游离态和键合态挥发性成分进行检测,其结果根据数据库匹配和对比文献保留时间定性,内标法进行定量。结果表明,柠檬果茶中含有游离态物质24种,键合态物质16种,主要为(+)-柠檬烯、1-辛醇、橙花醇、(-)-4-萜品醇、alpha-松油醇等。方法为花果茶干燥工艺提供参考。  相似文献   
78.
乔小溪  单斌  陈平 《摩擦学学报》2020,40(6):726-734
煤气化黑水处理系统管道由于其流体介质高含固体颗粒和腐蚀性介质,且工作在高温、高压差环境中,极易受到冲蚀磨损和腐蚀的耦合作用而失效,影响其服役寿命. 采用计算流体力学(CFD)方法数值模拟研究了煤气化黑水处理系统固-液两相流管道的冲蚀磨损行为和机理,以及流体介质速度和固体颗粒粒径对管道冲蚀磨损的影响规律,并分析了盲通管和涡室结构对弯管冲蚀磨损行为的优化改善效果. 研究结果显示,煤气化黑水处理系统管线的冲蚀高危区主要分布在弯管外拱和变径管等结构突变区域;管道冲蚀磨损行为与其内部流体的运动和颗粒冲击特性有关;管道的冲蚀率均随着流体速度的增加而加剧,而粒径对弯管和变径管冲蚀率的影响并非单调关系,这与颗粒受力作用有关;弯管优化分析显示,涡室结构可以降低弯管的最大冲蚀率,减缓弯管的冲蚀磨损.   相似文献   
79.
在纤维素三(3,5-二甲基苯基氨基甲酸酯)(Chiralcel OD-H)和Pirkle型(R, R)-Whelk-O1手性柱上对手性氨基酚1-(α-氨基苄基)-2-萘酚(Betti 碱)及其衍生物1-(α-苄氨基苄基)-2-萘酚和1-(α-哌啶基苄基)-2-萘酚对映体分离进行了研究,分别考察了在正己烷流动相中,碱性添加剂、醇类添加剂的种类和浓度对手性拆分的影响。结果表明:溶质在Chiralcel OD-H柱上的分离效果好,而在(R, R)-Whelk-O1手性柱上只有1-(α-苄氨基苄基)-2-萘酚部分分离。研究了空间立体结构因素对手性分离的影响,初步探讨和比较了溶质在这2种手性柱上的手性识别机理。发现对(R, R)-Whelk-O1柱,溶质与固定相之间的吸引作用很小,而对于Chiralcel OD-H柱,溶质在手性空腔中的空间适应性很可能是手性识别的关键。  相似文献   
80.
PbI2/MoS2,as a typical van der Waals(vdW)heterostructure,has attracted intensive attention owing to its remarkable electronic and optoelectronic properties.In this work,the effect of defects on the electronic structures of a PbI2/MoS2 heterointerface has been systematically investigated.The manner in which the defects modulate the band structure of PbI2/MoS2,including the band gap,band edge,band alignment,and defect energy-level density within the band gap is discussed herein.It is shown that sulfur defects tune the band gaps,iodine defects shift the positions of the band edge and Fermi level,and lead defects realize the conversions between the straddling-gap band alignment and valence-band-aligned gap,thus enhancing the light-absorption ability of the material.  相似文献   
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