Si(111)衬底GaN薄膜的制备与特性

用溅射后退火反应法在Si(111)衬底上制备的高质量GaN薄膜. XRD, XPS, SEM和PL测量结果表明该方法制备的GaN是六角纤锌矿结构的多晶. GaN的最大晶粒尺寸约为100 nm. 在354 nm处发现强室温光致发光峰, 带隙相对于体GaN发生了轻微蓝移.     

核实数据下删失线性EV模型的经验似然推断

本文考虑协变量带有误差的删失线性回归模型,借助于核实数据,对回归系数构造了两种经验对数似然比统计量,证明了所提出的估计的经验对数似然比统计量渐近收敛到一个自由度为1的独立χ2变量的加权和;而经调整后所得的调整的经验对数似然比统计量具有渐近标准χ2p分布,所得结果可以用来构造未知参数的置信域,通过模拟研究在置信域的精度及其平均区间长度大小方面进行了比较。     

LD泵浦Nd:YVO4/LBO临界相位匹配腔内倍频瓦级绿光激光器

报道了一种光纤耦合LD泵浦Nd:YVO₄晶体、腔内Ⅰ类临界相位匹配(角度匹配)LBO倍频、瓦级输出的全固态绿光激光器的设计方法和实验结果.采用短三镜折叠腔结构,通过对热透镜焦距的估算及计算机优化设计选取合适的谐振腔参量,在8 W的泵浦功率下,获得了1.6 W绿光基模输出,光-光转换效率达20%.经测量,绿光的偏振比超过400:1,4 h功率稳定度为±1.6%.     

机械动态系统混沌状态特征与判据应用研究

本基于混沌动力学与分行几何学理论分析，通过研究机械动态系统的Lypunov指数、关联维数、Kolmogorov熵以及它们对系统吸引子特征的描述，结合递次振幅图方法，提供了一种证明系统状态混沌性的方法。并以变速箱中齿轮运行状态为例，通过对其动态信号混沌特征量的研究，证实了该系统混沌性，进而得出对系统故障进行进一步混沌预测的可行性。     

计及各项电流的SIS结电模拟——计算机辅助设计Padé逼近法的一种应用

本文介绍了利用计算机辅助设计Padé逼近法实现SIS结各项电流(ReJ:(w)、ImJ_1(w),ReJ_2(w)及ImJ_2(w))的电模拟。j_1(t)、j_2(t)是实的因果函数,其付里叶变换为J_1(w),J_2(w)。实现计及全部电流的SIS结电模拟的关键就是在给定J_1(w)、J_2(w)的实部与虚部条件下,设计出能同时严格满足其实部与虚部特性曲线形状的滤波器。但是,由于在一般情况下无法写出包含系统零、极点信息的J_1(w)、J_2(w)的解析表示式,用传统的滤波器设计方法也无法实现。利用本文介绍的方法可以实现较高精度的电模拟。     

CoPt(FePt)-C纳米复合膜的结构与磁性

用磁过滤脉冲真空电弧沉积方法制备了CoPt(FePt) C纳米复合薄膜，并在不同温度下进行了退火处理，研究了薄膜中碳的含量以及退火温度对薄膜结构与磁性能的影响.制备态薄膜经过足够高的温度退火后，x射线衍射和磁力显微镜分析发现，在碳基质中生成了面心四方相的CoPt(FePt)纳米颗粒.对于特定组分为Co24Pt31C45和Fe43Pt35C22的薄膜，矫顽力以及颗粒尺寸都随退火温度的升高而增大，当退火温度为700℃时，Co24Pt31C45薄膜的矫顽力为21×105A/m，晶粒尺寸为17nm;当退火温度为650℃时，Fe43Pt35C22相应值分别为28×105A/m和105nm. 关键词： 磁记录材料 磁性薄膜 CoPt FePt纳米复合薄膜     

线段与直线相交问题解法

在直角坐标平面内,直线l可以用二元一次方程Ax+By+C=0表示,点p(x0,y0)在直线l上的充要条件是Ax0+By0+C=0,若P不在直线l上,则Ax0+By0q-C<0或Ax0+By0+C>0,二者必居其一.直线l:Ax+By+     

非线性E-V回归模型中参数估计的渐近性质

本文讨论了非线性E-V回归模型中参数的估计问题,构造了未知参数β0的最小二乘估计β和误差方差σ2的估计σ2,证明了β具有渐近正态性,同时也证明了σ2依概率收敛于σ2的速度可达到n-1/2.