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| Si(111)衬底GaN薄膜的制备与特性 | |
| 引用本文： | 杨莺歌,马洪磊,郝晓涛,马瑾,薛成山,庄惠照.Si(111)衬底GaN薄膜的制备与特性[J].中国科学A辑,2002,32(12):1102-1105. |
| 作者姓名： | 杨莺歌 马洪磊 郝晓涛 马瑾 薛成山 庄惠照 |
| 作者单位： | (1)山东大学物理与微电子学院 ,济南 250100 ,中国;(2)山东师范大学半导体研究所 ,济南 250014 ,中国 |
| 基金项目： | 国家自然科学基金资助项目(批准号: 6771006) |
| 摘 要： | 用溅射后退火反应法在Si(111)衬底上制备的高质量GaN薄膜. XRD, XPS, SEM和PL测量结果表明该方法制备的GaN是六角纤锌矿结构的多晶. GaN的最大晶粒尺寸约为100 nm. 在354 nm处发现强室温光致发光峰, 带隙相对于体GaN发生了轻微蓝移. |
| 关 键 词： | 氮化镓 硅衬底 光致发光 |
| 收稿时间： | 2002-04-10 |
| 修稿时间： | 2002年4月10日 |
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