担载纳米金催化乙醇选择氧化制乙酸乙酯

采用溶胶-凝胶法制备了一系列担载纳米金催化剂，用以催化乙醇选择氧化反应，模板剂的引入改变了催化剂载体的结构，从而提高了其催化活性和对乙酸乙酯的选择性，同时考察了反应温度、时间、以及催化剂制备方法对乙醇选择氧化反应的影响，实验结果表明使用以焙烧处理除去模板剂十八胺的Au／SiO2-O(C)为催化剂时，乙醇选择氧化一步制取乙酸乙酯的效果最佳，其选择性最高可达88．1％。     

A theoretical and experimental evaluation of III-nitride solar-blind UV photocathode

We have developed a superior solar-blind ultraviolet (UV) photocathode with an Al_xGa_1-xN photocathode (x ～ 0.45) in semi-transparent mode, and assessed spectra radiant sensitivity related to practical use. Before being grown over a basal plane sapphire substrate by low-pressure metal organic chemical vapor deposition (MOCVD), a reasonable design was made to the photocathode epitaxy structure, focusing on the Al_xGa_1-xN: Mg active layer, then followed by a comprehensive analysis of the structural and optical characterization. The spectra radiant sensitivity is peaked of 41.395 mA/W at wavelength 257 nm and then decreases by about 3 to 4 decades at 400 nm demonstrating the ability of this photocathode for solar-blind application prospects.     

超高效液相色谱-串联质谱法测定阿胶中马、牛、羊、猪、骆驼、鹿皮源成分

建立了阿胶中马、牛、羊、猪、骆驼、鹿皮源成分的检测方法。通过比对驴皮和马皮、牛皮、猪皮、羊皮、骆驼皮、鹿皮胶原蛋白的序列,采用蛋白酶切技术和高分辨质谱技术发现理论的各杂皮胶原蛋白特征肽。同时建立三重四极杆质谱筛查方法,以含0.1%（v/v）甲酸的乙腈溶液和0.1%（v/v）甲酸水溶液作为流动相,梯度洗脱,电喷雾离子源（ESI）正离子扫描模式,多反应监测。15批阿胶样品检出了杂皮源成分。该方法操作简便,专属性强,可用于阿胶中杂皮源成分的鉴别,并已成功用于阿胶日常打假监督抽验工作。     

微通道板电子输运特性的仿真研究

对微通道板(Micro-Channel Plate,MCP)的电子输运特性进行仿真研究.利用数值方法分析微光像增强器电子光学系统,得到电场分布.通过电场分布追踪MCP电子运动轨迹,确定电子在荧光屏像面上的落点分布.据此研究MCP电子输运,分析斜切角、通道直径及两端电压对电子输运、像增强器调制传递函数(Modulation Transfer Function,MTF)及分辨率的影响.结果显示,当MCP斜切角为14°、通道直径为5.0μm、两端电压为900 V时,MCP具有良好的电子输运特性,像增强器MTF特性好,分辨率高.     

树脂担载金催化剂催化氧化羰化胺制对称二脲

树脂担载金催化剂可以高效、高选择性地催化氧化羰化胺制取对称二脲。例如,在使用苯胺作为反应物时,其转化频率达到了1475,选择性达到了99%。此反应中不需要加入其它溶剂,避免了溶剂引起的污染问题,同时催化剂与反应体系易分离,能够得到高纯度的产物。     

非光气含氮化合物催化羰化研究进展*

本文对近几年来非光气含氮化合物羰化合成氨基甲酸酯及二取代脲的方法进行了概述,主要包括使用钯、钌、铑、硒、金等催化体系以一氧化碳为羰化剂进行的催化氧化羰化和催化还原羰化反应过程,以及使用碱催化体系以二氧化碳和碳酸二甲酯等为羰化剂的反应过程和机理.     

InGaAs光电阴极制备工艺中的原位光电子能谱

为了探索InGaAs光电阴极高温净化工艺的最佳加热温度点,利用超高真空光电阴极制备与表征互联装置开展了不同加热温度点下的高温净化实验和表面铯/氧(Cs/O)激活实验。通过扫描聚焦X射线光电子能谱对化学清洗后、高温净化后以及表面激活后的InGaAs样品表面进行原位分析,检测不同温度点下表面杂质的脱附程度和化学元素组成变化。结果表明,样品表面的碳污染物和氧化物在625℃时都被完全去除,获得原子级清洁表面,但此时In元素会出现挥发现象,导致材料表面In含量降低,会使InGaAs材料的红外响应特性不明显,因此600℃被认为是最佳加热温度。结合原位紫外光电子能谱发现二次电子截止边随着温度的升高不断向高结合能的位置偏移,这表明高温净化能有效降低表面功函数值,而Cs/O激活能进一步降低表面功函数值,获得负电子亲和势,提高InGaAs光电阴极的近红外光电发射性能。     

前近贴脉冲电压对三代微光像增强器halo效应的影响

为了探讨三代微光像增强器的合适工作电压,研究了前近贴脉冲电压对微光像增强器halo效应的影响.将脉冲电压信号加在光电阴极上,分别改变脉冲信号的高低电平电压幅值和占空比,利用高分辨率CCD采集了微光像增强器的halo图像,对比分析了halo图像中心线上各像素点对应的灰度值分布和光子计数.研究结果表明,随着高电平电压幅值和占空比的提高,灰度值为255的像素点数目变多,halo图像中背景和信号的边界越来越清晰.当前近贴电压增加到200 V以上和占空比大于60％左右时,其对三代微光像增强器halo图像中心线上各像素点的灰度值分布影响不大.当低电平电压增加到2V以上时,光电子在低电平阶段无法克服阻滞场到达微通道板.此研究有利于探讨微光像增强器的最佳工作电压和光电子从阴极面出射时的能量分布,为提高三代微光像增强器的性能提供了实验支撑.     

像增强器综合测试用光源照度调变技术研究

为了获得微光像增强器综合性能测试中光源输出不同光照度,对传统的光源结构以及存在的局限性进行了分析.根据综合性能测试中对光源照度的不同要求,借助积分球对光线的漫反射作用和微度计控制光栏改变光输入量的连续性,解决了光源输出光照度大范围连续调变功能的问题,对改进后的光源照度输出范围及均匀性进行了测量,得到该光源的出射光照度为2.5×10-5 lx～680 lx,出射光均匀度为2.3%,该方法适用于像增强器的各种性能参数测试.     

The optimal thickness of transmission-mode GaN photocathode

A 150-nm-thick GaN photocathode with an Mg doping concentration of 1.6× 10¹⁷cm^-3 is activated by Cs/O in ultrahigh vacuum chamber, and quantum efficiency (QE) curve of negative electron affinity transmission-mode (t-mode) GaN photocathode is obtained. The maximum QE reaches 13.0% at 290 nm. According to the t-mode QE equation solved from the diffusion equation, the QE curve is fitted. From the fitting results, the electron escape probability is 0.32, the back-interface recombination velocity is 5× 10⁴ cm·s^-1, and the electron diffusion length is 116 nm. Based on these parameters, the influence of GaN thickness on t-mode QE is simulated. The simulation shows that the optimal thickness of GaN is 90 nm, which is better than the 150-nm GaN.