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物理学
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1.
HgCdTe阳极氧化膜及界面XPS分析
杨晓云
史衍丽
《化学物理学报》
1997,10(3):284-286
通过电子能谱仪对经阳极氧化表面钝化工艺处理的的HgCdTe表面所生成的氧化膜有界面进行深度分析研究,结果表明,该氧化膜中Te和Cd的单质成分存在,氧化膜中的氧化物形式为TeO2,CdTe2O5和HgTe2O5;在界面中,随着剖析深度的增加Te2O^2-5,向TeO^2-3过渡。
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