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目前许多搞精细钢丝生产的企业,为了更好地解决生产过程中由于钢丝直径不均匀而造成产品不合格的问题,在工业生产中引入了实时CCD尺寸检测技术。CCD用于尺寸测量的技术是非常有效的非接触检测技术,各种线阵CCD均可以用于尺寸的测量。其基本结构包括光敏元阵列、存储栅、转移栅及模拟移位寄存器。比较典型的是二相线阵CCD,它由若干个pn结光电二极管构成光敏元阵列,每个光敏单元的尺寸如长、高及相邻光敏元中心距(均是微米量级)依型号的不同而不同。 相似文献
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一种全场三维共焦检测的新方法 总被引:11,自引:1,他引:10
提出了一种利用微光学阵更合成器件实现全场三维面形并行检测、记录的共焦方法。此方法的关键是,在共焦系统中引入一一微光学耻列合成器件来产生一点光源阵列,实现了对同一一剖面同时并行检测,并首次采用了CCD面阵像元取代上孔光阑直接截取三维信息光强。本文讨论了该方法的三信息检测原理,响应关系,给出了初步的实验结果和三维重构图。 相似文献
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针对增强型共栅共源(Cascode)级联结构和耗尽型AlGaN/GaN功率器件,利用60 MeV能量质子开展辐射效应研究.获得了经质子辐照后器件电学性能的退化规律,并与常规耗尽型HEMTs器件辐照后的电学性能进行了比较,发现增强型Cascode结构器件对质子辐照更加敏感,分析认为级联硅基MOS管的存在是其对质子辐照敏感的主要原因.质子辐照使硅基MOS管栅氧化层产生大量净的正电荷,诱导发生电离损伤效应,使其出现阈值电压负向漂移及栅泄漏电流增大等现象.利用等效(60 MeV能量质子,累积注量1×1012 p/cm2)剂量的60Co γ射线辐射器件得到电离损伤效应结果,发现器件的电学性能退化规律与60 MeV能量质子辐照后的退化规律一致.通过蒙特卡罗模拟得到质子入射在Cascode型器件内诱导产生的电离能损和非电离能损,模拟结果表明电离能损是导致器件性能退化的主要原因. 相似文献
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在讨论高密度样品X光闪光照相需要微光成象器的条件下,介绍了几种CCD构成新型成象器的简单原理和特征。比较了它们的激光成象器性能。 相似文献
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TDICCD拼接相机的像元响应非均匀性校正方法 总被引:1,自引:0,他引:1
为了解决光学TDICCD成像系统在拼接模式下的像元响应非均匀性问题,研究了TDICCD像元校正的原理和实现方法。提出了视频处理器在不同增益、不同偏置和TDICCD在不同积分时间下进行像元校正的方法,设计了在现场可编程门阵列(FPGA)平台下进行了程序实现和验证的方法。实验数据分析表明:成像系统单片TDICCD的非均匀性由4.72%降低到0.27%,恶劣环境下TDICCD成像系统的图像非均匀性可以降低2.55%。该像元级校正算法简单,可靠性高,能够满足星上成像的要求;在不同的增益、偏置和积分时间下能够很好地解决TDICCD成像系统的像元响应非均匀性问题。 相似文献
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CCD相机在系统奈奎斯频率处的调制传递函数 总被引:5,自引:1,他引:4
调制传递函数是成像系统性能的重要参数,在进行CCD相机调制传递函数测试时,通常采用矩形靶标而非正弦靶标,使调制传递函数的测试值与相机系统实际调制传递函数值存在差异,本文对CCD相机在系统奈奎斯特频率处的调制传递函数测试结果进行了理论分析。 相似文献
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