开关结构对a-SiTFT-LCD光学特性的影响

分析非晶硅薄膜晶体管在a-SiTFT-LCD中的开关特性，讨论这种开关结构中的主要功能膜材料尺寸与性能参量、光刻制备工艺，存储电容以及栅脉冲延迟效应等对a-SiTFT-LCD的通断电流比，信号响应与保持特性，图像亮度与对比度等光学特性的影响。     

用电泳技术制备YBCO高温超导厚膜

介绍了电泳技术制备YBCO高温超导厚膜的实验方法和YBCO高温超导厚膜的电学性质测量 ,讨论了在学生小型科研实验或设计实验中开展此实验的学时安排、注意事项和实验内容的扩展 .     

Cu-MgF2复合纳米金属陶瓷薄膜的电导特性研究

用射频磁控共溅射法制备了Cu体积分数分别为 10 % ,15 % ,2 0 %和 3 0 %的Cu MgF2 复合金属陶瓷薄膜 .用x射线衍射、x射线光电子能谱和变温四引线技术对薄膜的微结构、组分及电导特性进行了测试分析 .微结构分析表明 :制备的Cu MgF2 复合薄膜由fcc Cu晶态纳米微粒镶嵌于主要为非晶态的MgF2 陶瓷基体中构成 ,Cu晶粒的平均晶粒尺寸随组分增加从 11 9nm增至 17 8nm .5 0— 3 0 0K温度范围内的电导测试结果表明 :当Cu体积分数qM 由 15 %增加到 2 0 %时 ,Cu MgF2 复合薄膜的电阻减小了 8个量级 ,得出制备的复合薄膜渗透阈qCM 应处于 15 %和 2 0 %之间 .qM 在 10 %和 15 %之间的薄膜呈介质导电状态 ,而在 2 0 %和 3 0 %之间的薄膜则呈金属导电状态 .从理论上讨论了复合薄膜中杂质电导和本征电导的激活能及其对电导的贡献 ,并讨论了Cu MgF2 复合纳米金属陶瓷薄膜的渗透阈 ,得到了和实验一致的结果     

钯合金膜分离器级串氢同位素分离

钯合金膜分离氢同位素是基于氕、氘、氚在钯中的溶解度、扩散系数和表面反应动力学特征的差异而进行的。与目前聚变堆燃料循环中广泛采用的低温精馏方法相比，钯合金膜分离方法的原料是气态，而且在分离过程中氢同位素气体以原子形态存在，具有原料滞留量小，装置设计简单等优点。然而对于钯合金膜来说，单位面积上透过的气体体积有限，在保持钯合金膜氢同位素选择性透过能力的前提下，在一定反应器规模下尽可能的增大钯合金膜的面积，从而提高钯合金膜分离氢同位素的能力就成了钯合金膜大规模应用时要解决的首要问题。在前期实验工作的基础上设计了钯合金膜分离器，但是单级分离器的氢同位素分离能力是有限的。为实现H2/T2混合气体的完全分离，可以将多级钯合金膜分离器以一定方式串接起来，构成一个具有连续分离特性的氢同位素分离系统。     

氘代聚合物膜靶制备技术与性能研究

 氘代聚合物膜是快点火基础物理实验的一种重要靶型。通过氘代苯乙烯单体的本体自由基聚合反应制备氘代聚苯乙烯，并利用流延法和浇铸法制备出厚度从几十nm到数百μm的膜靶。溶剂挥发过程中的随机扰动对膜厚均匀性造成影响，采用清洁的基片和在涂沫基片或模具外加防护罩可以降低这种影响。采用PVA作脱膜剂有利于获得较薄的聚合物薄膜。DSC分析表明薄膜的玻璃化转变温度与热处理过程有关，缓慢退火有利于提高Ｔ-g和储能模量。     

微通道板及其发展趋势

回顾微通道板发展历史及各阶段的主要技术特征。综述自90年代以来国内外微通道板的研发和生产情况．     

溶膜预富集-石墨炉原子吸收法测定痕量钯

强酸性条件下 ,钯 (Ⅱ )与 5 [( 5 氯 2 吡啶 )偶氮 ] 2 ,4 二氨基甲苯 ( 5 Cl PADAT)生成紫红色螯合物 ,该螯合物可与十二烷基苯磺酸钠 (SDBS)生成离子缔合物 ,离子缔合物经 0 .3μm孔径的硝化纤维微孔滤膜富集后 ,于小体积 ( 0 .5mL)的浓硫酸中溶膜 ,用石墨炉原子吸收法 (GFAAS)测定 ,富集倍数可达 2 0 0倍 ,钯含量在 4.69× 1 0 - 1 2 ～ 7.0 9× 1 0 - 9mol/L范围内线性良好 ,检出限为 1 .78×1 0 - 1 2 mol/L。方法用于海水中痕量钯的测定。     

退火a—Ge／Pb叠层膜的扩散机制与电阻率的反常行为

研究了a-Ge/Pb叠层膜不同温度下退火的行为,得到:PB诱导a-Ge晶化;发现a-Ge/Pb叠层膜在退火互扩散过程中存在两种扩散机制;对a-Ge/Pb为200nm/100nm的叠层膜,在退火互扩散中择优取向的Pb膜出现重新结晶。解释了退火过程中叠层膜电阻率的反常行为。     

圆形振动膜ZnO压电微传声器的研制

本文介绍了一种新型圆形振动膜ZnO压电微传声器的制备，并对传声器制备的工艺过程进行了较为详细的描述。圆形振动膜的压电传卢器与以前方形振动膜结构设计相比，较大幅度提高了传声器的灵敏度和成品率，灵敏度达到-70dB（相对于1V／Pa），成品率达到80％。     

源气体对沉积的a-C∶F∶H薄膜结构的影响

采用微波电子回旋共振等离子体化学气相沉积(MWPECRCVD)方法,使用不同的源气体(CHF3CH4,CHF3C2H2,CHF3C6H6)体系制备了aC∶F∶H薄膜.由于CH4,C2H2,C6H6气体在等离子体中的分解反应不同导致了薄膜的沉积速率和结构上的差异.红外吸收谱的结果表明,用C6H6CHF3作为源气体沉积的薄膜中几乎不含H,而用C2H2CHF3所沉积的薄膜中的含氟量最高,其相应的CF振动峰位向高频方向偏移.薄膜的真空退火结果表明,aC∶F∶H薄膜的热稳定性除了取决于薄膜的CC键浓度外,还与CC键 关键词： 氟化非晶碳膜 电子回旋共振化学气相沉积 红外吸收光谱