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| 退火a—Ge／Pb叠层膜的扩散机制与电阻率的反常行为 | |
| 引用本文： | 李玉芝,许存义.退火a—Ge／Pb叠层膜的扩散机制与电阻率的反常行为[J].物理学报,1993,42(5):823-839. |
| 作者姓名： | 李玉芝 许存义 |
| 作者单位： | 中国科学技术大学结构分析开放研究实验室，中国科学技术大学结构分析开放研究实验室，中国科学技术大学结构分析开放研究实验室，中国科学技术大学结构分析开放研究实验室，中国科学技术大学结构分析开放研究实验室 合肥 230026，合肥 230026，合肥 230026，合肥 230026，合肥 230026 |
| 摘 要： | 研究了a-Ge/Pb叠层膜不同温度下退火的行为,得到:PB诱导a-Ge晶化;发现a-Ge/Pb叠层膜在退火互扩散过程中存在两种扩散机制;对a-Ge/Pb为200nm/100nm的叠层膜,在退火互扩散中择优取向的Pb膜出现重新结晶。解释了退火过程中叠层膜电阻率的反常行为。 |
| 关 键 词： | 半导体／金属 膜 扩散 电阻率 退火 |
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