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N2O Plasma表面处理对SiNx基IGZO-TFT性能的影响 总被引:1,自引:1,他引:0
采用N2O plasma处理SiNx薄膜作为绝缘层,以室温下沉积的铟镓锌氧化物(IGZO)作为有源层制备了 IGZO薄膜晶体管。与常规的IGZO-TFT相比,N2O plasma处理过的IGZO-TFT的迁移率由原来的4.5 cm2·V-1·s-1增 加至8.1 cm2·V-1·s-1,阈值电压由原来的11.5 V减小至3.2 V,亚阈值摆由原来的1.25 V/decade减小至0.9 V/decade。采用C-V方法计算了两种器件的陷阱态,结果发现N2O plasma处理过的IGZO-TFT的陷阱态明显小于普通的IGZO-TFT的陷阱态,表明N2O plasma处理SiNx绝缘层是一种改善IGZO-TFT器件性能的有效方法。 相似文献
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制备了基于反应溅射SiOx绝缘层的InGaZnO-TFT,并系统地研究了InGaZnO-TFT在白光照射下的稳定性,主要涉及到光照、负偏压、正偏压、光照负偏压和光照正偏压5种情况。结果表明,器件在光照和负偏压光照下的阈值偏移较大,而在正偏压光照情况下的阈值偏移几乎可以忽略。采用C-V方法证明阈值电压漂移是源于绝缘层/有源层附近及界面处的缺陷。另外,采用指数模式计算了缺陷态的弛豫时间。本研究的目的就是揭示InGaZnO-TFT在白光照射和偏压下的不稳定的原因。 相似文献
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吡唑啉衍生物有机电致发光器件中激基复合物的发射 总被引:1,自引:0,他引:1
以两种吡唑啉衍生物为空穴传输材料(HTM)和BBOT为电子传输材料组成双层器件, 获得了相对于组成材料的荧光光谱红移和宽化的电致发光. 双层器件和HTM∶BBOT等摩尔混蒸薄膜的光致发光及电致发光测量表明, 该谱带来自HTM/BBOT界面激基复合物的发射, 根据器件的能级图, 激基复合物的类型为BBOT的激发态BBOT(与基态的HTM相互作用的复合物. 用HTM∶BBOT混合发光层增加器件中激基复合物的形成界面, 提高了器件的发射性能. 相似文献
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所研究的有机电致磷光发光器件(OLED)选用了一种新型金属铱的化合物Ir(C6)2(acac),这种金属化合物由配位体香豆素C6和乙酰丙酮(acac)与金属铱化合形成。Ir(C6)2(acac)可同时作为电子传输材料和发光掺杂剂。比较香豆素C6和Ir(C6)2(acac)固体材料的光致发光谱,可见Ir(C6)2(acac)明显抑制了有机电致发光材料分子与分子之间的发光猝灭效应。采用ITO/TPD(N,N′-diphenyl-N,N′-bis(3-methyl-phenyl)-1,1′biphenyl-4,4′diamine)/Ir(C6)2(acac)/BAlq(bis(2-methyl-8-quinolinolato-N1,O8)-(1,1′-biphenyl-4-olato)aluminum)/Alq3aluminum/Liq(8-hydroxyquinolinelithium)/Al结构,可得到CIE(Commission Interationaled′Eclairage)值为x=0.43;y=0.40的橙红色发光器件,最高亮度可达3390cd/m2,最大电流效率为1.3cd/A。采用同样的器件结构以Ir(C6)2(acac)掺杂Alq3主体得到绿色发光器件,发光色的CIE坐标值为x=0.29;y=0.58,最高亮度可达8832cd/m2,最大电流效率为5.6cd/A。器件的发光机理研究表明Ir(C6)2(acac)的非掺杂器件发光以Ir(C6)2(acac)的三线态磷光为主,器件发光为橙色;在Alq3中的单掺杂器件以Alq3和Ir(C6)2(acac)的荧光为主,同时有小比例Ir(C6)2(acac)的三线态磷光成分存在,器件总体发光为绿色。 相似文献
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以联苯乙烯衍生物为发光层的蓝色有机发光二极管特性的研究 总被引:2,自引:2,他引:0
以一种新型联苯乙烯衍生物NPVBi作为发光层,制备了结构为:ITO/TPD/NPVBi/Alq3/LiF/Al的有机薄膜电致发光器件,其中TPD厚度保持为50nm,NPVBi与Alq3厚度之和保持为50nm。通过调节NPVBi与Alq3的厚度,获得了色纯度较好的NPVBi蓝色电致发光,最高亮度为708cd/m^2,最大流明效率为1.13lm/W。结果表明,发光层NPVBi和电子传输层Alq3的厚度对器件的发光特性有显著的影响。 相似文献
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蓝色发光材料DPVBi掺杂DCJTB发光性质的研究 总被引:1,自引:1,他引:0
对蓝光材料DPVBi掺杂红光染料DCJTB的发光性质进行了研究。首先研究了DPVBi掺杂不同质量浓度DCJTB的光致发光,当掺杂质量浓度为0.1%时,光致发光得到白光(色度x=0.36,y=0.34)。基于光致发光的实验结果,以DPVBi掺杂不同质量浓度DCJTB作发光层,制备了结构为ITO/CuPc/NPB/DPVBi:DCJTB/Alq3/LiF/Al的器件,当掺杂质量浓度为0.08%时器件实现了白色发光(色度为x=0.25,y=0.32)。研究了该白光器件的电致发光性质,白光器件在14V时达到最高亮度7822cd/m^2。在20mA/cm^2电流密度驱动下的亮度为489cd/m^2,最大流明效率为1.75lm/W。 相似文献
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高分子的一维特性使电子激发产生显著的自陷(self-trapping)效应,两个单激子(exciton)会复合形成双激子(biexciton),这是形成双激子的重要通道,其效率高于双光子过程.这种复合过程伴随着晶格畸变,需要了解其演变过程并确定其弛豫时间.本文利用动力学方程研究了激子-激子复合的弛豫过程,确定了它的弛豫时间为160fs,同时还研究了外电场E对复合过程的影响,结果表明,当E大于0.5MV/cm时,两个单激子不能复合成双激子,而是解离成正负双极化子.
关键词: 相似文献
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高分子的一维特性使电子激发产生显著的自陷(selftrapping)效应,两个单激子(exciton)会复合形成双激子(biexciton),这是形成双激子的重要通道,其效率高于双光子过程.这种复合过程伴随着晶格畸变,需要了解其演变过程并确定其弛豫时间.本文利用动力学方程研究了激子激子复合的弛豫过程,确定了它的弛豫时间为160fs,同时还研究了外电场E对复合过程的影响,结果表明,当E大于05MV/cm时,两个单激子不能复合成双激子,而是解离成正负双极化子. 相似文献
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