Ta2O5绝缘层厚度对ZnO基薄膜晶体管器件性能的影响

报道了不同厚度TaO5栅绝缘层对氧化锌薄膜晶体管器件性能的影响.在室温下用射频磁控溅射分别制备了100,85,60,40 nm厚度的Ta2O5薄膜作为绝缘层的一组底栅氧化锌薄膜晶体管器件.从实验结果可以得出如下结论:随着Ta2O5栅绝缘层厚度的增加,相应器件的场效应迁移率下降,其数值分别是50.5,59.3,63.8,...     

跳动模式对微球CH涂层表面粗糙度的影响

 采用低压等离子体化学气相沉积方法（LPPCVD），结合反弹盘系统制备了微球CH涂层，研究了跳动模式对微球CH涂层表面形貌的影响。利用光学显微镜和扫描电镜(SEM)对微球涂层表面形貌进行了分析；利用原子力显微镜（AFM）测定了微球CH涂层表面均方根粗糙度（RMS）并对球形度进行了表征；利用X光照相技术对同心度进行了表征。结果表明：采用间歇跳动模式可有效改善微球CH涂层的表面形貌，降低中高模数的粗糙度。在间歇跳动模式下，减小占空比，可使CH涂层的表面粗糙度得到进一步降低。在占空比为1/4的间歇跳动模式下制备的厚度为30 mm的CH涂层，其表面均方根粗糙度低于30 nm，碳氢-聚苯乙烯（CH-PS）微球的球形度与同心度均优于99%。     

膜厚对直流磁控溅射Nb薄膜微结构的影响

 采用直流磁控溅射方法制备膜厚为50, 100, 200, 400, 600 nm的Nb薄膜，对薄膜的沉积速率、表面形貌、晶体结构进行了研究，并对其应力和择优取向进行了详细的分析。原子力显微镜图像显示Nb膜表面光滑、致密，均方根粗糙度达到0.1 nm量级。X射线小角衍射给出了薄膜的晶格结构、晶粒尺寸和应力情况。分析表明薄膜为多晶体心立方结构(bcc)，在(110)晶面方向存在明显的择优取向，且随着薄膜厚度增大而增强。Nb膜应力先随薄膜厚度增大而增大，在200 nm时达到最大值(为1.015 1 GPa)，后随薄膜厚度的增大有所减小。     

N2O Plasma表面处理对SiNx基IGZO-TFT性能的影响

采用N₂O plasma处理SiN_x薄膜作为绝缘层,以室温下沉积的铟镓锌氧化物(IGZO)作为有源层制备了 IGZO薄膜晶体管。与常规的IGZO-TFT相比,N₂O plasma处理过的IGZO-TFT的迁移率由原来的4.5 cm²·V^-1·s^-1增 加至8.1 cm²·V^-1·s^-1,阈值电压由原来的11.5 V减小至3.2 V,亚阈值摆由原来的1.25 V/decade减小至0.9 V/decade。采用C-V方法计算了两种器件的陷阱态,结果发现N₂O plasma处理过的IGZO-TFT的陷阱态明显小于普通的IGZO-TFT的陷阱态,表明N₂O plasma处理SiN_x绝缘层是一种改善IGZO-TFT器件性能的有效方法。