碳酸铯修饰Al作为反射阴极的倒置顶发射OLED器件

以Cs₂CO₃修饰的Al电极作为反射阴极制备了高效倒置顶发射结构有机电致发光器件(ITOLED)。以八羟基喹啉铝(Alq₃)作为发光层、MoO₃修饰的Ag为半透明阳极时,器件的开启电压为3.6 V,发光效率和功率效率分别达到9.8 cd/A和3.4 lm/W。研究结果表明,Al/Cs₂CO₃为反射阴极的器件性能明显高于使用Mg:Ag(4.2 V,8.6 cd/A,2.85 lm/W)和Al(5 V,5.5 cd/A,1.57 lm/W)作为反射阴极的倒置顶发射OLED器件。单电子器件研究结果证明,以Cs₂CO₃修饰的Al电极功函数明显低于Mg:Ag和Al电极,具有更好的电子注入效果。因此,除去微腔效应外,Al/Cs₂CO₃为反射电极的ITOLED器件性能的提高主要归因于Al/Cs₂CO₃阴极的有效电子注入。     

硅酸锶中Pr3+的4f5d态的光谱特性及Pr3+→Gd3+的能量传递

本文研究了室温下Pr^3 在Sr2SiO4中的发射光谱和激发光谱，在激发光谱中，最低激发峰位置低于^1So能级位置，属于5d态的吸收。发射光谱主要由5d→4f的跃迁构成，未观测到Pr^3 和^3Po和^1D2的辐射跃迁。Pr^3 的掺杂浓度在0.01mol左右时，其发射强度接近最大。在Sr2SiO4:Pr^3 ,Gd^3 体系中，Pr^3 体系中，Pr^3 的5d→^3H4的跃迁与Gd^3 的^8S7/2→^6I能级的吸收跃迁相匹配，因此发生了Pr^3 →Gd^3的高效无辐射能量传递。固定Pr^3 的浓度时，随着体系中Gd^3 离子浓度的增加，Gd^3 的发射强度也随之增强，同时，Pr^3 的发射强度则逐渐下降。     

SiO2气凝胶中ZnS∶Mn纳米微晶的发光性质

利用溶胶 凝胶法在SiO2 气凝胶中制得了ZnS∶Mn纳米微晶 ,并对微晶的X射线衍射谱、激发 发射光谱、发光效率、时间分辨光谱进行了研究 ,讨论了发光性质变化的原因。实验表明 ,Mn2 + 在纳米微晶中的发光效率相对于体材料有明显的提高 ,弛豫时间也比在体材料中缩短了约一个数量级     

一种测量物质折射率的新方法—Eu3+离子发射光谱法

本文提出一种利用Eu3+离子发射光谱来测定物质析射率的方法,使可测对象不仅限于晶体和玻璃,而且扩展到粉末样品.用此方法检验几种已知析射率的材料,都得到较好的符合.     

偏硅酸钙中Pr3+的4f5d态的光谱特性及Pr3+→Gd3+的能量传递

合成了高效发射UV光的CaSiO3:Pr^3 新型荧光体，研究了室温下Pr^3 的4f5d态的发射和激发光谱，Pr^3 的4f5d态的最低子能级向4f^2组态的^3H4，^3H6和^1G4能级跃迁产生UV发射，并不伴随有4f-4f能级跃迁的可见光发射。Pr^3 的浓度猝灭是由于辐射和无辐射能量传递造成的，同时，在CaSiO3中，存在Pr^3 →Cd^3 的能量传递，探讨了其能量传递特性。     

两种蓝色有机电致发光材料

重点研究以两种蓝色OEL材料蒽类衍生物JBEM和联苯乙烯衍生物DPVBi分别作基质，以perylene作掺杂剂的器件的电致发光性能，特别研究了它稳定性，在这度和效率方面，两种器件并没有很大差别，然而在稳定性方面却有很大差别，蒽类衍生物JBEM的器件在100cd/m^2初始亮度下，半亮度寿命可达1035h，而DPVBi的器件在同样条件下，半亮度寿命为255h。通过分析两种器件的能级图，认为稳定性的差别可能源于两种蓝光材料本身的热稳定性不同，JBEM优于DPVBi，是一种很有前途的蓝色发光材料。     

新型高色纯度弱电流猝灭性蓝色有机发光器件

以ADN为基质,分别以不同掺杂剂制备了四种蓝色有机发光器件,器件结构为:CuPc(12 nm)/NPB(40 nm)/AND∶Dopant(50 nm)/Alq(12 nm)/LiF(4 nm)/Al。掺杂剂有:BCzVB(amino-substituted distyrylarylenederivatives)、TBPe、BCzVBi和DSA-ph四种。研究了最佳掺杂浓度以及器件的亮度、电流密度、效率和色坐标等电学特性和光学特性。其中掺杂BCzVB制备了色纯度高、低电流猝灭性的蓝色有机发光器件,色坐标达到x=0.146,y=0.162,最大亮度为11600 cd/m2(15 V),电流效率为2.8 cd/A,流明效率为1.79 lm/W;以ADN为基质,分别以TBPe、BCzVBi和DSA-ph为掺杂剂,制备了另外三种对比器件。器件ADN∶TBPe色坐标为x=0.162,y=0.222(蓝绿光),效率随电流的增加而降低很快;器件ADN∶BczVBi有较好的色纯度(色坐标:x=0.164,y=0.146),但电流效率较低:2.03 cd/A,效率随电流的增加降低幅度也较快。器件ADN∶DSA-ph效率较高为8 cd/A,效率随电流增加变化幅度不大,但色纯度比较差(x=0.153,y=0.306),适合于做白色有机发光器件。     

硼玻璃中Dy3+及Sm3+的辐射跃迁几率和无辐射跃迁几率

硼玻璃中掺杂Nd3+,Er3+,Tm3+等小能隙的稀土离子,由于硼玻璃声子能量大,多声子无辐射几率大,影响其发光效率。但由于硼玻璃熔点低,加工容易,对于民用上常用的Sm3+,Dy3+,Eu3+,Tb3+等大能隙物质,多声子无辐射跃迁不是主要因素的情况下,发光效率将如何是本文要研究的问题。另外,辐射跃迁性质的研究对于能量传递机理的研究也是很有意义的。     

硼玻璃中Sm3+离子的衰减及交叉弛豫

本文从Sm3+的衰减特性及能级跃迁性质两个方面研究Sm3+离子间的相互作用.一方面研究不同浓度Sm3+的衰减性质,利用Hirayama的理论确立相互作用的性质,另一方面研究相关能级的跃迁性质,从而证实由衰减所得结论的合理性.     

ZnSe晶体中Mn2+离子的能级

研究了ZnSe:Mn的光导激发谱.室温下观察列两个峰:4600Å和5380Å.还研究了4400Å及5200Å激发下光导与温度的关系.根据这些实验认为:Mn2+离子的第一激发态4T1,非常接近导带.理论上导出了5200Å激发下光导对温度的依赖.调节参数将理论与实验进行拟合.从选定参数中得出:Mn2+的4T1态位于导带下0.054eV.4400Å激发下光导与况度的关系用陷阱的作用解释.陷阱深度估计为0.4eV.