Improvement in a-plane GaN crystalline quality using wet etching method

Nonpolar （1120） GaN films are grown on the etched a-plane GaN substrates via metalorganic vapor phase epitaxy. High-resolution X-ray diffraction analysis shows great decreases in the full width at half maximum of the samples grown on etched substrates compared with those of the sample without etching, both on-axis and off-axis, indicating the reduced dislocation densities and improved crystalline quality of these samples. The spatial mapping of the E2 （high） phonon mode demonstrates the smaller line width with a black background in the wing region, which testifies the reduced dislocation densities and enhanced crystalline quality of the epitaxial lateral overgrowth areas. Raman scattering spectra of the E2 （high） peaks exhibit in-plane compressive stress for all the overgrowth samples, and the E2 （high） peaks of samples grown on etched substrates shift toward the lower frequency range, indicating the relaxations of in-plane stress in these GaN films. Furthermore, room temperature photoluminescence measurement demonstrates a significant decrease in the yellow-band emission intensity of a-plane GaN grown on etched templates, which also illustrates the better optical properties of these samples.     

Crystallization Kinetics Study on Magnetron-Sputtered Amorphous TiA1 Alloy Thin Films

Crystallization kinetics of magnetron-sputtered amorphous TiAl ahoy thin films is investigated by differential scanning calorimetry through isothermal analysis and non-isotherm analysis. In non-isothermai analysis, the Kissinger method and the Ozawa method are used to calculate the apparent activation energy and local activation energy, respectively, in the crystallization processes of amorphous TiA1 thin films. Furthermore, the crystallization mechanism is discussed from the investigation of the A vrami exponent by isothermal analysis. In addition, x-ray diffraction is utilized to reveal the grain orientation and evolution during the crystallization of TiA1 thin fihns.     

AgGaS2单晶生长与完整性研究

采用二温区气相输运温度振荡方法合成了高纯单相致密的AgGaS2多晶,计算出晶格常数a-5.7535nm,c=10.3008nm,以及S原子位置x=0.279,与PDF值相差很小,表明其是高质量的多晶原料,以此为原料用改进Bridgman法生长出直径15mm长度30mm的单晶体,经外形观测,解理试验和X射线衍射分析表明其是结晶完整的单晶体。     

静电场诱导十二烷基硫酸钠结晶行为的研究

用透射电镜、X射线衍射及DSC等方法 十二烷基硫酸钠（SDS）极稀水溶液（溶液介于临界聚集浓度和临界胶束浓度之间）在静电场作用下的结晶行为,静电场作用诱导SDS形成规则的四方单晶与从甲醇中重结晶所得样品的晶体结构相同,DSC结果表明,从有序到无序结构变化的一级相转变热焓相同,但由于电场诱导结晶的晶体较小而表现为转变温度的降低,没有施加静电场处理的样品只具有较低的有序程度。     

聚丙烯/硫酸钡复合体系的界面相互作用与流变性质和结晶行为的关系

制备了一系列具有不同界面状态的聚丙烯 (PP) 硫酸钡 (BaSO4)复合体 .PP BaSO4的界面分别用硅烷、硬脂酸、马来酸酐接枝聚丙烯 (PP g MAH)改性 .研究表明 ,填充体系的熔体粘度和熔体弹性均高于基体 .以硅烷和PP g MAH进行界面改性后 ,PP BaSO4的界面相互作用加强 ,导致复合体系中的熔体粘度和熔体弹性进一步提高 ,同时BaSO4对PP的成核活性提高 .填料用硬脂酸处理后 ,硬脂酸能够在填料粒子表面上形成一个包覆层 ,使粒子与PP的亲和性改善 .同时该包覆层具有润滑作用 ,使得复合体系的熔体粘度和熔体弹性下降 ,并使得该体系中BaSO4的成核活性低于硅烷和处理的体系 .本文探讨了由复合体系的熔体粘度定量比较填充复合体系中聚合物 填料界面相互作用的方法 ,讨论了界面改性对复合体系流变性质和结晶行为影响的机理     

超临界流体技术应用进展

超临界流体技术具有许多传统技术所没有的快速、高效、低能耗、污染少等优点。本文综述了其在分离、分析、材料制备和作为反应介质等方面的应用现状。     

结晶紫选择电极的制备及催化电位法测定碘的研究

根据磷酸介质中碘离子催化高碘酸钠氧化结晶紫的氧化还原反应,应用自制的结晶紫选择电极跟踪紫的 度变化,对催化电位法测定碘进行了研究。测定碘离子 的线性范围为０．２０－５．５μｇ／２５ｍＬ,方法检出限为４．１＊１０＾－９ｇ／ｍＬ。该方法应用于测定食盐和饮用水中碘含量,ＲＳＤ〈４．１％,平均回收率为９５．１％。     

镍钨磷合金电结晶机理及其镀层结构与显微硬度

应用循环伏安,恒电位阶跃和Ｘ射线衍射（ＸＲＤ）等方法了Ｎｉ－Ｗ－Ｐ合金电沉积特点和镀层结构与显微硬度,结果表明,在以柠檬酸铵为配体的溶液中,Ｎｉ－Ｗ－Ｐ合金 层较Ｎｉ－Ｗ合金有较低的电化学活性,根据电位阶跃的ｉ－ｔ曲线分析表明,在玻碳电极上Ｎｉ－Ｗ－Ｐ合金电结晶过程遵从扩散控制瞬时成核三维成长模式进行,随着过电位的增加,电极表面上晶核数增多,ＸＲＤ试验结果表明,Ｎｉ－Ｗ－Ｐ合金镀层呈现明显的非晶态特征,所获得的Ｎｉ－Ｗ－Ｐ合金电沉层的显微硬度在４５０ｋｇ．ｍｍ＾－２左右。     

窄分子量分布茂金属短链支化聚乙烯结晶动力学

本工作用DSC方法对三种不同支化度的茂金属短链支化聚乙烯的等温、非等温结晶行为进行了研究 .样品为乙烯和己烯 1的共聚物 ,短支链主要为正丁基 ,分子量Mw =2 0 ,0 0 0 ,Mw/Mn<1 15 ,支化度 (每10 0 0C中CH3 数目 )分别为 1 6、10 4、40 .实验结果表明 ,茂金属短链支化聚乙烯结晶方式Ⅰ Ⅱ转变温度随支化度增加而降低 ,分别为 119 8℃、115 9℃、113 3℃ ;同时支链的存在降低了二次成核速率 ,增大了方式Ⅰ的结晶范围 ,总的结晶速度随支化度增大而减小