ZnGeP2的多晶合成与单晶生长研究

采用富P配料工艺,通过改进的单温区合成法(MSTZM)合成出高纯、单相的ZnGeP2多晶原料。用改进垂直布里奇曼法(MVBM)生长出尺寸为Φ20mm×30mm的ZnGeP2单晶体。经X射线衍射分析、红外光谱分析、ZC36高阻仪测试表明:晶体完整性好,具有黄铜矿结构,晶格常数a=b=0.5463nm,c=1.0709nm。晶体的透光范围为0.65～12.5μm。厚度为2mm的晶片在2～12μm范围内的平均红外透过率达55%以上,电阻率为6×107Ω·cm,计算2.05μm和10.6μm处的吸收系数分别为0.017cm-1和0.21cm-1。     

AgGaS2单晶生长与完整性研究

采用二温区气相输运温度振荡方法合成了高纯单相致密的AgGaS2多晶,计算出晶格常数a-5.7535nm,c=10.3008nm,以及S原子位置x=0.279,与PDF值相差很小,表明其是高质量的多晶原料,以此为原料用改进Bridgman法生长出直径15mm长度30mm的单晶体,经外形观测,解理试验和X射线衍射分析表明其是结晶完整的单晶体。     

纳米级SiO_2填充PVC/CPE复合材料研究

80年代以后发展起来的纳米材料被称为“2 1世纪最有前途的材料” ,已成为材料学中跨世纪的研究热点[1 ] 。纳米级无机粒子 /聚合物复合材料是纳米材料中的一种具有重要价值的新型材料 ,可广泛应用于橡胶、塑料、纤维三大合成材料之中[2 ] 。其中 ,纳米级ＳｉＯ2 是纳米材料中的重要一员 ,它被称作跨世纪的高科技材料[3] 。因此 ,本文就纳米级ＳｉＯ2 填充ＰＶＣ/ＣＰＥ复合材料进行探讨。1　实验部分自制 纳米级 (和普通超细 )ＳｉＯ2 ,平均粒径约为 5 0ｎｍ ,比表面积约为 30 0ｍ2 /ｇ ,经过特殊表面处理 ,再用偶联剂、分散剂处理 ,1 2 0…     

碘化铅单晶体生长新方法探索

本文分析了用布里奇曼法生长碘化铅单晶体的结晶过程。发现坩埚下降法生长碘化铅单晶体过程中,碘的蒸发与凝结、铅的分凝与沉淀是影响晶体质量的两个重要因素。提出了采用U型安瓿提拉方式生长碘化铅单晶体的新方法,有效抑制了碘的蒸发并排除了分凝的铅,获得了桔红色半透明的碘化铅晶体。经测试,晶体的结晶性好,红外透过率达45%,电阻率为1.7×1012Ω.cm,为制备性能优异的碘化铅室温核辐射探测器奠定了基础。     

Fe/Si多层膜的层间耦合与界面扩散

对以本征Si及重掺杂ｐ型和ｎ型Si作为中间层的Fe/Si多层膜的层间耦合进行研究，并通过退火，增大Fe，Si之间的扩散，分析界面扩散对层间耦合的影响. 实验结果表明，层状结构良好的制备态的多层膜，Fe，Si之间也存在一定程度的扩散，它是影响层间耦合的 主要因素，远远超过了半导体意义上的重掺杂，使不同种类的Si作为中间层的层间耦合基本 一致.进一步还发现，在一定范围内增大Fe，Si之间的扩散，即使多层膜的层状结构已经有了相当的退化，Fe/Si多层膜的反铁磁耦合强度基本保持不变. 关键词： Fe/Si多层膜 层间耦合 界面扩散     

Single Crystal Si Layers on Glass Fabricated by Hydrophilic Fusion Bonding and Smart-Cut Technology

A single crystal Si thin film on a glass substrate has been obtained successfully by hydrophilic fusion bonding and the smart-cut technology. Tensile strength testing shows that the bonded interface has strong adhesion and the bonding strength is about 8.7MPa. Crystallinity and microstructure of the samples have been characterized by transmission electron microscopy (TEM). Electrical properties have also been investigated by Hall measurements and four-point probe. The mobility of the transferred Si layer on glass is about 122cm^2//V.s. The results show that the single-crystal silicon layer transferred onto glass by direct bonding keeps good quality for the applications of integrated circuits, transducers, and fiat panel display.     

d2,8电子体系共价效应对光谱的影响

在含过渡金属离子的半磁半导体的光学和磁学性质研究中,由于体系的共价性较强,d轨道不再是纯d轨道,而是混合轨道t2g或eg。相应地,需要引入两个共价因子Nt和Ne。建立在混合轨道上的含有共价因子的能量矩阵称为广义能量矩阵。建立了d2,8电子体系的(45×45)阶广义能量矩阵。在广义能量矩阵中,拉卡(Racah)参量A不再是相加常量,同时,d8电子体系不能简单地视为互补的d2空穴体系,因为它们的能量矩阵形式不同。Nt和Ne虽然是属于两个不同轨道的不同的共价因子,但在数值上不能有大的差别,因为考虑进共价效应后,拉卡静电参量A对能级计算有极大的影响。这意味着在通常的光谱拟合中所采用的BCΔ方案是好的近似。以上结论被应用于ZnS∶Ni2 的d-d跃迁谱,计算结果与实验符合。     

CdSiP2晶体的生长与热膨胀性质研究

设计出PBN内衬的逐层减压石英生长安瓿,采用改进的垂直布里奇曼法,获得了完整无开裂的CdSiP2晶体,尺寸达φ15 mm × 65 mm.采用高分辨X射线衍射、扫描电子显微镜和X射线能谱仪对生长的晶体进行测试表明,生长晶体化学成分非常接近CdSiP2的理论化学配比,结晶性良好.运用红外分光光度计以及红外显微镜对厚度2mm的CdSiP2晶片进行了红外光学性能测试,结果表明,在2～5 μm范围内的红外透过率在53;以上,晶片的红外透过率均匀性接近90;.对CdSiP2晶体a轴方向与c轴方向的热膨胀系数αa和αc分别进行了测定,在温度620K时,a轴方向的热膨胀系数αa高达4×10-6 K-1,几乎为αc的三倍.计算得到Cd-P键rCd-P的热膨胀系数为17×10-6 K-1,比Si-P键rSi-P大得多,采用电子结构理论分析了CdSiP2晶体各向异性热膨胀机理.     

CdSiP2单晶生长及防爆工艺研究

对磷硅镉(CdSiP2)单晶生长过程中发生爆炸的原因进行了分析,设计出新型的逐层减压坩埚.通过在内外层坩埚之间的空腔内加入适量CdSiP2粉末产生的蒸气压,平衡和降低了晶体生长过程中坩埚内壁承受的压力,实现逐层减压,从而减小了内层坩埚形变,降低了生长容器爆炸的几率.同时,改进了布里奇曼生长法的降温工艺,生长出尺寸达φ14 mm×32mm的CdSiP2单晶体.X射线分析表明单晶衍射面为(204)晶面,回摆峰半峰宽值为0.434,衍射谱峰强度高,具有良好的对称性;晶体在1500～7500 cm-1波数范围的红外透过率达55;,吸收系数为0.10 ～0.17 cm-1,电阻率1.3×107 Ω·cm.