首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
文章检索
  按 检索   检索词:      
出版年份:   被引次数:   他引次数: 提示:输入*表示无穷大
  收费全文   42篇
  免费   43篇
  国内免费   8篇
化学   8篇
晶体学   2篇
力学   12篇
综合类   3篇
数学   11篇
物理学   57篇
  2023年   6篇
  2022年   5篇
  2021年   4篇
  2020年   1篇
  2019年   3篇
  2018年   9篇
  2017年   3篇
  2016年   7篇
  2015年   7篇
  2014年   5篇
  2013年   7篇
  2012年   4篇
  2011年   7篇
  2010年   5篇
  2009年   4篇
  2008年   2篇
  2007年   2篇
  2006年   2篇
  2005年   1篇
  2001年   1篇
  1996年   1篇
  1995年   2篇
  1994年   3篇
  1991年   1篇
  1961年   1篇
排序方式: 共有93条查询结果,搜索用时 15 毫秒
61.
本文先利用Matlab做出各种重金属元素浓度的空间分布图,初步得到土壤重金属污染的状况.接着用内梅罗污染指数法定量的确定土壤重金属污染最严重的地区,并用主成分分析法进行了验证.最后利用灰色-灾变与回归预测的组合模型解决了地质环境的演变问题.  相似文献   
62.
基于平台零售商存在的满减促销价格问题,考虑由一个平台零售商和两类消费者(投机型/普通型)组成的购物场景,在存在投机型消费者凑单退货情形下,建立了单周期销售决策模型并分别得到了平台商在不允许退货和允许退货模式下的最优促销定价决策。研究发现:在两种模式下均存在最优的促销价格使得平台商利润最大。不允许退货模式下的最优促销价格仅仅与两种产品之间的相关程度有关;允许退货模式下两种产品的最优促销价格随其中一个产品被凑单的概率和投机型消费者比例的变化而变化。通过综合比较两种模式下的利润,发现允许退货下的利润并不始终高于不允许退货下的情况,进一步给出了平台商采取不同模式的临界条件。  相似文献   
63.
理论模拟了不同GaN沟道厚度的双异质结(AlGaN/GaN/AlGaN/GaN)材料对高电子迁移率晶体管(HEMT)特性的影响,并模拟了不同F注入剂量下用该材料制作的增强型器件的特性差异.采用双异质结材料,结合F注入工艺成功地研制出了较高正向阈值电压的增强型HEMT器件.实验研究了三种GaN沟道厚度制作的增强型器件直流特性的差异,与模拟结果进行了对比验证.采用降低的F注入等离子体功率,减小了等离子体处理工艺对器件沟道迁移率的损伤,研制出的器件未经高温退火即实现了较高的跨导和饱和电流特性.对14 nm GaN沟道厚度的器件进行了阈值电压温度稳定性和栅泄漏电流的比较研究,并且分析了双异质结器件的漏致势垒降低效应.  相似文献   
64.
指向性声源的自由空间有源消声   总被引:2,自引:0,他引:2  
本文根据最小辐射声功率准则,推导了当初级源和次级源的声辐射均具有指向性时,次级源最优复强度的一般表达式.分析结果表明该式具有普遍性。文中最后讨论了几种典型和常见的声源结构有源消声的特点,给出了次级源最优复强度及消声前后辐射功率比的表达式。  相似文献   
65.
本文以棒、板耦合结构为例,从理论和实验上证明和验证了统计能量方法对强耦合结构仍然适用;进而又对该结构的耦合损耗因子进行了较为详细的计算和讨论,并与弱耦合条件下的统计能量方法结果进行了比较,得出了该方法适用的条件以及在低模态密度情况下耦合损耗因子的表示式;最后通过大量实验对所得结论进行了验证,结果是令人满意的。  相似文献   
66.
基于I-V-T和C-V-T的GaN上Ni/Au肖特基接触特性研究   总被引:1,自引:0,他引:1       下载免费PDF全文
基于对制作在n-GaN上的肖特基二极管的变温,I-V测试和C-V测试,采用表面势垒减薄模型对肖特基二极管的电流输运特性进行了研究.试验结果表明,肖特基接触的电流输运机理非常复杂,在不同的温度条件和偏压条件下有着不同的电流输运机理.在此基础上对肖特基接触,I-V特性方程进行了修正,得到了很好的拟合曲线.试验表明,高温I-V法提取的势垒高度与常温C-V法提取的势垒高度接近于根据金属功函数得出的理论势垒高度值.  相似文献   
67.
通过实验和数值器件仿真研究了钝化GaN高电子迁移率晶体管(HEMTs)、栅场板GaN HEMTs和栅源双层场板GaN HEMTs电流崩塌现象的物理机理,建立了电流崩塌强度与帽层中载流子浓度、陷阱电离率和电场的内在联系.研究结果表明,场板可以有效调制帽层中横向和纵向电场的强度分布,并可有效调制纵向电场的方向,减弱栅极附近电场强度,增加场板下方电场强度,这会减弱栅极附近自由电子的横向运动,增强场板下方自由电子的纵向运动,进而可以有效调制帽层中自由电子浓度的分布,提高陷阱的电离率,减小器件的电流崩塌. 关键词: 电流崩塌 钝化器件 场板器件 陷阱电离率  相似文献   
68.
基于浅水波浪理论,建立了亚临界和超临界航速条件下舰船运动引起水底附近扰动速度的理论计算模型。通过数值计算,揭示了扰动速度分量的变化规律和分布特点。建立了舰船扰动速度的测试系统,对船模运动引起的扰动速度进行了测量。横向扰动速度分量计算结果与实验结果基本吻合,纵向扰动速度分量计算结果与实验结果定性一致。理论与实验研究表明,...  相似文献   
69.
AZO-gated and Ni/Au-gated AlGaN/GaN HEMTs are fabricated successfully,and an excellent transparency of AZOgated electrode is achieved.After a negative gate bias stress acts on two kinds of the devices,their photoresponse characteristics are investigated by using laser sources with different wavelengths.The effect of photoresponse on AZO-gated electrode device is more obvious than on Ni/Au-gated electrodes device.The electrons are trapped in the AlGaN barrier of AZO-gated HEMT after it has experienced negative gate bias stress,and then the electrons can be excited effectively after it has been illuminated by the light with certain wavelengths.Furthermore,the trap state density D_T and the time constantτ_T of the AZO-gated Schottky contact are extracted by fitting the measured parallel conductance in a frequency range from10 kHz to 10 MHz.The constants of the trap range from about 0.35 μs to 20.35 μs,and the trap state density increased from1.93×l0~(13)eV 1·cm~2 at an energy of 0.33 eV to 3.07×10~(11) eV~1·cm~2 at an energy of 0.40 eV.Moreover,the capacitance and conductance measurements are used to characterize the trapping effects under different illumination conditions in AZO-gated HEMTs.Reduced deep trap states' density is confirmed under the illumination of short wavelength light.  相似文献   
70.
研讨式案例教学法寓理论于实践,尤其适合于高等军事院校的教学应用,大大提高了学员的思维能力、实践能力以及决策能力.本文以高等军事院校的一堂流体力学课为例,从案例的选取、呈现、讨论、总结等阶段具体介绍研讨式案例教学法在高等军事院校力学课程中的设计、组织和实施过程.经教学实践检验,研讨式案例教学法成效显著.  相似文献   
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号