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基于平台零售商存在的满减促销价格问题,考虑由一个平台零售商和两类消费者(投机型/普通型)组成的购物场景,在存在投机型消费者凑单退货情形下,建立了单周期销售决策模型并分别得到了平台商在不允许退货和允许退货模式下的最优促销定价决策。研究发现:在两种模式下均存在最优的促销价格使得平台商利润最大。不允许退货模式下的最优促销价格仅仅与两种产品之间的相关程度有关;允许退货模式下两种产品的最优促销价格随其中一个产品被凑单的概率和投机型消费者比例的变化而变化。通过综合比较两种模式下的利润,发现允许退货下的利润并不始终高于不允许退货下的情况,进一步给出了平台商采取不同模式的临界条件。 相似文献
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理论模拟了不同GaN沟道厚度的双异质结(AlGaN/GaN/AlGaN/GaN)材料对高电子迁移率晶体管(HEMT)特性的影响,并模拟了不同F注入剂量下用该材料制作的增强型器件的特性差异.采用双异质结材料,结合F注入工艺成功地研制出了较高正向阈值电压的增强型HEMT器件.实验研究了三种GaN沟道厚度制作的增强型器件直流特性的差异,与模拟结果进行了对比验证.采用降低的F注入等离子体功率,减小了等离子体处理工艺对器件沟道迁移率的损伤,研制出的器件未经高温退火即实现了较高的跨导和饱和电流特性.对14 nm GaN沟道厚度的器件进行了阈值电压温度稳定性和栅泄漏电流的比较研究,并且分析了双异质结器件的漏致势垒降低效应. 相似文献
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本文以棒、板耦合结构为例,从理论和实验上证明和验证了统计能量方法对强耦合结构仍然适用;进而又对该结构的耦合损耗因子进行了较为详细的计算和讨论,并与弱耦合条件下的统计能量方法结果进行了比较,得出了该方法适用的条件以及在低模态密度情况下耦合损耗因子的表示式;最后通过大量实验对所得结论进行了验证,结果是令人满意的。 相似文献
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基于对制作在n-GaN上的肖特基二极管的变温,I-V测试和C-V测试,采用表面势垒减薄模型对肖特基二极管的电流输运特性进行了研究.试验结果表明,肖特基接触的电流输运机理非常复杂,在不同的温度条件和偏压条件下有着不同的电流输运机理.在此基础上对肖特基接触,I-V特性方程进行了修正,得到了很好的拟合曲线.试验表明,高温I-V法提取的势垒高度与常温C-V法提取的势垒高度接近于根据金属功函数得出的理论势垒高度值. 相似文献
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通过实验和数值器件仿真研究了钝化GaN高电子迁移率晶体管(HEMTs)、栅场板GaN HEMTs和栅源双层场板GaN HEMTs电流崩塌现象的物理机理,建立了电流崩塌强度与帽层中载流子浓度、陷阱电离率和电场的内在联系.研究结果表明,场板可以有效调制帽层中横向和纵向电场的强度分布,并可有效调制纵向电场的方向,减弱栅极附近电场强度,增加场板下方电场强度,这会减弱栅极附近自由电子的横向运动,增强场板下方自由电子的纵向运动,进而可以有效调制帽层中自由电子浓度的分布,提高陷阱的电离率,减小器件的电流崩塌.
关键词:
电流崩塌
钝化器件
场板器件
陷阱电离率 相似文献
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AZO-gated and Ni/Au-gated AlGaN/GaN HEMTs are fabricated successfully,and an excellent transparency of AZOgated electrode is achieved.After a negative gate bias stress acts on two kinds of the devices,their photoresponse characteristics are investigated by using laser sources with different wavelengths.The effect of photoresponse on AZO-gated electrode device is more obvious than on Ni/Au-gated electrodes device.The electrons are trapped in the AlGaN barrier of AZO-gated HEMT after it has experienced negative gate bias stress,and then the electrons can be excited effectively after it has been illuminated by the light with certain wavelengths.Furthermore,the trap state density D_T and the time constantτ_T of the AZO-gated Schottky contact are extracted by fitting the measured parallel conductance in a frequency range from10 kHz to 10 MHz.The constants of the trap range from about 0.35 μs to 20.35 μs,and the trap state density increased from1.93×l0~(13)eV 1·cm~2 at an energy of 0.33 eV to 3.07×10~(11) eV~1·cm~2 at an energy of 0.40 eV.Moreover,the capacitance and conductance measurements are used to characterize the trapping effects under different illumination conditions in AZO-gated HEMTs.Reduced deep trap states' density is confirmed under the illumination of short wavelength light. 相似文献
70.