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通过改性由酸蚀二维蛭石制备的二维二氧化硅,得到带正电荷的二维介孔二氧化硅(PSN+)纳米片,并将PSN+用作聚环氧乙烷(PEO)基固体聚合物电解质(SPEs)的填料。由于PSN+具有丰富的正电荷,PSN+与锂盐解离的阴离子能够有效结合,从而促进锂离子的运输,获得较好的锂离子转移数。在50 ℃时,基于PSN+的SPEs表现出较高的离子电导率(7.5×10-5 S·cm-1),锂离子迁移数为0.30,稳定电压窗为4.41 V。因此,组装后的LiFePO4锂电池在50 ℃、0.2C下具有优异的初始放电比容量(155.7 mAh·g-1),在循环100次后容量保持率为97.1%。 相似文献
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We investigate the effects of intrinsic noise on Turing pattern formation near the onset of bifurcation from the homogeneous state to Turing pattern in the reaction-diffusion Brusselator. By performing stochastic simulations of the master equation and using Gillespie's algorithm, we check the spatiotemporal behaviour influenced by internal noises. We demonstrate that the patterns of occurrence frequency for the reaction and diffusion pro- cesses are also spatially ordered and temporally stable. Turing patterns are found to be robust against intrinsic fluctuations. Sfochastic simulations also reveal that under the influence of intrinsic noises, the onset of Turing instability is advanced in comparison to that predicted deterministically. 相似文献
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离子型稀土矿浸出液除杂和产品沉淀过程中,高效固液分离对全工艺连续化生产和产品质量提升具有重要作用,也是整个离子型稀土生产流程自动化、智能化的关键步骤。研究表明:在浸出液除杂、沉淀工序添加0.25 g·m-3 JH2002絮凝剂,利用其电性中和作用和吸附架桥作用,可使Al(OH)3胶体、碳酸稀土颗粒迅速团聚形成絮凝体,进而加速沉降过程;浸出液循环除杂过程的沉降速率为31.43 mm·min-1,除杂上清液循环沉淀碳酸稀土产品过程的沉降速率为24.67 mm·min-1。碳酸稀土产品经煅烧后,所得混合稀土氧化物产品的稀土总量为93.8%,主要杂质Al2O3,Fe2O3,SiO2含量均很低,优于GB/T 20169-2015《离子型稀土矿混合稀土氧化物》标准值。此外,经过循环絮凝沉降的沉淀母液用于离子型稀土矿浸取,基本不会对浸出结果产生影响。 相似文献
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土壤水溶性盐是表征土壤盐碱化程度的重要指标,也是评价耕地地力的重要参数,被纳入第三次全国土壤普查(“三普”)监测指标体系中。重量法是测定土壤水溶性盐总量的最常用方法,其测定过程易受多种因素影响,导致其测定结果不准。鉴于此,本文设计试验分别验证了水溶性盐浸提和浸提液固液分离这两个过程对测定结果的影响,结果表明浸提液固液分离是影响土壤水溶性盐总量测定准确度和精密度的主要因素。基于此进一步探究4种不同固液分离方式(布氏漏斗过滤、滤膜真空抽滤、离心、滤纸组合过滤)对测定结果的影响,结果表明相较于其它方式,滤纸组合过滤测定结果准确度高,适用于土壤水溶性盐总量的测定。对改进后的重量法测定土壤水溶性盐总量进行方法学确认,结果表明其检出限为0.01 g/kg,测定下限为0.04 g/kg;方法的准确度和精密度、适用范围等均符合相关要求。本文推荐的土壤水溶性盐总量测定方法为:土壤样品采用1:5土水比浸提,180 r/min振荡3 min,浸提液采用滤纸组合自然过滤;其测定结果的准确度和精密度符合相关要求。本文旨在为“三普”内业检测提供参考和借鉴,为全面摸清不同区域土壤水溶性盐含量水平及土壤盐渍化程度提供技术支撑。 相似文献
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基于密度泛函理论的第一性原理计算,研究了含空位缺陷的扶手椅型二硫化钼纳米带的电子性质.发现缺陷会导致纳米带结构稳定性降低,单空位钼缺陷和三空位缺陷使得纳米带从半导体变成金属性,而单空位硫缺陷和两种双空位缺陷仅减小纳米带的带隙;电子态密度和能带的本征态表明缺陷纳米带费米能级附近的杂质态主要是缺陷态的贡献.研究了四类半导体性质的纳米带带隙与宽度的关系,对于完整的纳米带,带隙随宽度以3为周期振荡变化;而引入空位缺陷后,纳米带的带隙振荡不再具有周期且振荡幅度变小.同时发现,当缺陷的浓度变小后,缺陷仅使纳米带的带隙减小,不会使其变为金属性.这些结果有望打开其在新型纳电子器件中的应用潜能. 相似文献